| dbo:abstract
|
- يشير الجهاز متعدد البوابات أو موسفت متعدد البوابات أو ترانزستور التأثير الحقلي متعدد البوابات (ماغفت) إلى موسفت (ترانزستور التأثير الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات) الذي يتضمن أكثر من بوابة واحدة في جهاز واحد. يمكن التحكم في البوابات المتعددة بواسطة قطب بوابة واحد، حيث تعمل أسطح البوابات المتعددة كهربائيًا بمثابة بوابة واحدة، أو بواسطة الأقطاب الكهربائية لبوابة مستقلة. يُطلق على الجهاز متعدد البوابات الذي يستخدم الأقطاب الكهربائية للبوابة المستقلة أحيانًا ترانزستور متعدد البوابات المستقلة ذو التأثير الحقلي (ميغفت). أكثر الأجهزة متعددة البوابات استخدامًا هي فينفت (ترانزستور الزعفنة ذو التأثير الحقلي) و غافت (ترانزستور البوابة ذو التأثير الحقلي الكامل)، وهي ترانزستورات غير مستوية أو ترانزستورات ثلاثية الأبعاد. تعد الترانزستورات متعددة البوابات واحدة من الاستراتيجيات العديدة التي طُورت من قبل مصنعي أشباه الموصلات موس لإنشاء معالجات دقيقة وخلايا ذاكرة أصغر حجمًا، يُشار إليها بالعامية باسم توسيع قانون مور. أُبلغ عن جهود التطوير في الترانزستورات متعددة البوابات من قبل المختبر الكهربائي التقني، وشركة توشيبا، ومعهد غرينوبل للتقنية، وشركة هيتاشي، وشركة آي بي إم، وشركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة، وجامعة كاليفورنيا في بركلي، وشركة انفينيون للتقنيات، وشركة إنتل، وشركة إيه إم دي، وإلكترونيات سامسونغ، والمعهد الكوري المتقدم للعلوم والتكنولوجيا، وشركة فريسكال لصناعة أشباه الموصلات، وغيرها، وتوقعت آي تي آر إس بشكلٍ صحيح أن مثل هذه الأجهزة ستكون الأساس لتقنيات أصغر من 32 نانومتر. إن العقبة الرئيسية أمام التنفيذ الواسع النطاق هي قابلية التصنيع، لأن كلًا من التصاميم المستوية وغير المستوية تمثل تحديات كبيرة، خاصةً فيما يتعلق بالطباعة الحجرية والتنميط. وتشمل الاستراتيجيات التكميلية الأخرى لتطوير الأجهزة هندسة جهد القناة، والتقنيات المستندة إلى السيليكون على عازل، بدرجة k مرتفعة/ ومواد البوابة المعدنية. تُستخدم وحدات موسفت ذو البوابتين بشكلٍ شائع في مازجات التردد العالي جدًا (في إتش إف) وفي مضخمات أمامية حساسة لترددات عالية جدًا. وهي متوفرة من شركات مصنعة مثل موتورولا وإن إكس بّي لأشباه الموصلات وهيتاشي. (ar)
- El término transistor 3D (o tridimensional), es usualmente utilizado para referirse a transistores con una arquitectura tridimensional, lo que supone añadir una dimensión adicional a los transistores actuales, los cuales están fabricados en dos dimensiones. La fabricación de transistores tridimensionales no es excesivamente novedosa, si se tiene en cuenta que desde hace alrededor de una década compañías como IBM, TSMC, Infineon e Intel entre otras, vienen desarrollando este tipo de transistores (aunque solamente haya sido en prototipos con fines de investigación). (es)
- A multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET). The most widely used multi-gate devices are the FinFET (fin field-effect transistor) and the (gate-all-around field-effect transistor), which are non-planar transistors, or 3D transistors. Multi-gate transistors are one of the several strategies being developed by MOS semiconductor manufacturers to create ever-smaller microprocessors and memory cells, colloquially referred to as extending Moore's law (in its narrow, specific version concerning density scaling, exclusive of its careless historical conflation with Dennard scaling). Development efforts into multigate transistors have been reported by the Electrotechnical Laboratory, Toshiba, Grenoble INP, Hitachi, IBM, TSMC, UC Berkeley, Infineon Technologies, Intel, AMD, Samsung Electronics, KAIST, Freescale Semiconductor, and others, and the ITRS predicted correctly that such devices will be the cornerstone of sub-32 nm technologies. The primary roadblock to widespread implementation is manufacturability, as both planar and non-planar designs present significant challenges, especially with respect to lithography and patterning. Other complementary strategies for device scaling include channel strain engineering, silicon-on-insulator-based technologies, and high-κ/metal gate materials. Dual-gate MOSFETs are commonly used in very high frequency (VHF) mixers and in sensitive VHF front-end amplifiers. They are available from manufacturers such as Motorola, NXP Semiconductors, and Hitachi. (en)
- Un Dispositivo multiporta (in inglese: multigate device) o multiple gate field-effect transistor (MuGFET) fa riferimento a un MOSFET (transistor semiconduttore metalossidato ad effetto campo) che incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo.Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta o come elettrodi di porta indipendenti.Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta Multiple Independent Gate Field Effect Transistor (MIGFET).I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppate dai produttori di semiconduttori CMOS per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli. (it)
- マルチゲート素子 (英: multigate device、multiple gate field effect transistor、MuGFET) とは、半導体素子であるMOSFETの新たな方式の1つであり、単一のチャンネルに対して複数のゲートを持つ構成のものを指す。このトランジスタの構造は、CMOS構造のマイクロプロセッサや記憶素子を製造する半導体メーカーが2011年現在も開発している次世代技術の1つであり、ゲートの配置方法などによって幾つかの形式に分かれるとともに、開発の進展状況も各社で異なる。 マルチゲートは、電気的には単一ゲートのように振舞う複数のゲート面が単一ゲート電極として制御するものや、個別のゲート電極として制御を行うものがある。マルチゲート素子が持つ個別のゲート電極は、MIGFETと呼ばれることがある。 (ja)
- Мультизатворний польовий транзистор (MuGFET) або мультизатворний MOSFET відноситься до МДН транзисторів (польовий транзистор метал-оксид-напівпровідник), який має більше одного затвора в одному пристрої. Кілька затворів можуть керуватись одним електродом затвора, в такому виконанні кілька поверхонь затвора діють як один затвор. Мулитизатворний польовий транзистор, що має виводи незалежних затворів, іноді називають польовим транзистором із незалежним мультизатвором (MIGFET). Найпоширенішими пристроями з мультизатворами є FinFET (польовий транзистор із вертикальним затвором) та GAAFET (польовий транзистор із затвором «увесь навколо» (gate-all-around field-effect transisto)), які є непланарними транзисторами, або 3D транзисторами . Мультизатворні транзистори — один з декількох технологій, що розробляються виробниками напівпровідників МОН для створення все менших мікропроцесорів і комірок пам'яті, цей процес описується законом Мура. Про потуги в розробці мультизатворних транзисторів повідомили , Toshiba, Grenoble INP, Hitachi, IBM, TSMC, UC Berkeley, Infineon Technologies, Intel, AMD, Samsung Electronics, KAIST, Freescale Semiconductor та інші. ITRS влучно спрогнозував, що такі пристрої будуть наріжним каменем технологій з техпроцесом меншим, ніж 32 nm. Основна перешкода широкому впровадженню — технологічність, оскільки як плоскі, так і непланарні структури представляють значні складнощі, особливо стосовно літографії та створення шаблонів. Інші допоміжні стратегії масштабування пристроїв включають техніку деформації каналів, технологію кремній на ізоляторі та матеріали затвора типу high-k-метал. МДН транзистори (MOSFET) з подвійними затворами зазвичай використовуються в змішувачах ультракороткохвилового (УКХ) діапазону і у вихідних каскадах підсилювачів УКХ. Їх виготовляють такі виробники, як Motorola, NXP Semiconductors та Hitachi. (uk)
- 多閘極電晶體（英語：Mulitgate Device）是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）。它可以用一個電極來同時控制多个閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor（MIGFET）。多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裡摩爾定律（Moore's law）發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題。 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體，其中包含了超微半導體、日立、IBM、英飞凌、英特尔、台积电、飞思卡尔、加州大学伯克利分校等等，而ITRS預估多閘極電晶體將是32奈米以下重要的奠基石。實現上主要的障礙來自於製造技術，不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰，特別是顯影以及圖案化技術。其他伴隨發展的包含了通道應力、矽上絕緣（SOI）以及高介電質/金屬閘極材料。 雙閘極電晶體廣泛用於超高頻混頻器（VHF mixers）和超高頻（VHF front end amplifiers）。製造商包含Motorola、NXP和Hitachi。 (zh)
|
| rdfs:comment
|
- El término transistor 3D (o tridimensional), es usualmente utilizado para referirse a transistores con una arquitectura tridimensional, lo que supone añadir una dimensión adicional a los transistores actuales, los cuales están fabricados en dos dimensiones. La fabricación de transistores tridimensionales no es excesivamente novedosa, si se tiene en cuenta que desde hace alrededor de una década compañías como IBM, TSMC, Infineon e Intel entre otras, vienen desarrollando este tipo de transistores (aunque solamente haya sido en prototipos con fines de investigación). (es)
- Un Dispositivo multiporta (in inglese: multigate device) o multiple gate field-effect transistor (MuGFET) fa riferimento a un MOSFET (transistor semiconduttore metalossidato ad effetto campo) che incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo.Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta o come elettrodi di porta indipendenti.Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta Multiple Independent Gate Field Effect Transistor (MIGFET).I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppate dai produttori di semiconduttori CMOS per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli. (it)
- マルチゲート素子 (英: multigate device、multiple gate field effect transistor、MuGFET) とは、半導体素子であるMOSFETの新たな方式の1つであり、単一のチャンネルに対して複数のゲートを持つ構成のものを指す。このトランジスタの構造は、CMOS構造のマイクロプロセッサや記憶素子を製造する半導体メーカーが2011年現在も開発している次世代技術の1つであり、ゲートの配置方法などによって幾つかの形式に分かれるとともに、開発の進展状況も各社で異なる。 マルチゲートは、電気的には単一ゲートのように振舞う複数のゲート面が単一ゲート電極として制御するものや、個別のゲート電極として制御を行うものがある。マルチゲート素子が持つ個別のゲート電極は、MIGFETと呼ばれることがある。 (ja)
- 多閘極電晶體（英語：Mulitgate Device）是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）。它可以用一個電極來同時控制多个閘極，亦可用多個電極單獨控制各閘極。後者有時又被叫做Multiple Independent Gate Field Effect Transistor（MIGFET）。多閘極電晶體被提出為的是克服半導體工業裡摩爾定律（Moore's law）發展至今體積的縮小已經到達物理極限的難題。 相當多的公司和機構已經在積極發展多閘極電晶體，其中包含了超微半導體、日立、IBM、英飞凌、英特尔、台积电、飞思卡尔、加州大学伯克利分校等等，而ITRS預估多閘極電晶體將是32奈米以下重要的奠基石。實現上主要的障礙來自於製造技術，不論是平面和非平面的設計都面臨挑戰，特別是顯影以及圖案化技術。其他伴隨發展的包含了通道應力、矽上絕緣（SOI）以及高介電質/金屬閘極材料。 雙閘極電晶體廣泛用於超高頻混頻器（VHF mixers）和超高頻（VHF front end amplifiers）。製造商包含Motorola、NXP和Hitachi。 (zh)
- يشير الجهاز متعدد البوابات أو موسفت متعدد البوابات أو ترانزستور التأثير الحقلي متعدد البوابات (ماغفت) إلى موسفت (ترانزستور التأثير الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات) الذي يتضمن أكثر من بوابة واحدة في جهاز واحد. يمكن التحكم في البوابات المتعددة بواسطة قطب بوابة واحد، حيث تعمل أسطح البوابات المتعددة كهربائيًا بمثابة بوابة واحدة، أو بواسطة الأقطاب الكهربائية لبوابة مستقلة. يُطلق على الجهاز متعدد البوابات الذي يستخدم الأقطاب الكهربائية للبوابة المستقلة أحيانًا ترانزستور متعدد البوابات المستقلة ذو التأثير الحقلي (ميغفت). أكثر الأجهزة متعددة البوابات استخدامًا هي فينفت (ترانزستور الزعفنة ذو التأثير الحقلي) و غافت (ترانزستور البوابة ذو التأثير الحقلي الكامل)، وهي ترانزستورات غير مستوية أو ترانزستورات ثلاثية الأبعاد. (ar)
- A multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET). The most widely used multi-gate devices are the FinFET (fin field-effect transistor) and the (gate-all-around field-effect transistor), which are non-planar transistors, or 3D transistors. (en)
- Мультизатворний польовий транзистор (MuGFET) або мультизатворний MOSFET відноситься до МДН транзисторів (польовий транзистор метал-оксид-напівпровідник), який має більше одного затвора в одному пристрої. Кілька затворів можуть керуватись одним електродом затвора, в такому виконанні кілька поверхонь затвора діють як один затвор. Мулитизатворний польовий транзистор, що має виводи незалежних затворів, іноді називають польовим транзистором із незалежним мультизатвором (MIGFET). Найпоширенішими пристроями з мультизатворами є FinFET (польовий транзистор із вертикальним затвором) та GAAFET (польовий транзистор із затвором «увесь навколо» (gate-all-around field-effect transisto)), які є непланарними транзисторами, або 3D транзисторами . (uk)
|
