| dbo:abstract
|
- Die Atomlagenabscheidung (englisch atomic layer deposition, ALD) ist ein Verfahren zur Abscheidung von extrem dünnen Schichten, bis hin zu atomaren Monolagen, auf einem Ausgangsmaterial. Es handelt sich um ein stark verändertes Chemisches Gasphasenabscheidungs- (CVD-) Verfahren mit zwei oder mehr zyklisch durchgeführten selbstbegrenzenden Oberflächenreaktionen. Das abzuscheidende Material ist in chemischer Form an ein oder mehrere Trägergase, die sogenannten Präkursoren gebunden. Diese Präkursoren werden alternierend in eine Reaktionskammer geleitet und dort zur Reaktion mit dem Substrat gebracht, woraufhin der im Gas gebundene Stoff sich auf dem Substratmaterial abscheidet. Die so entstehenden Schichten haben in der Regel eine polykristalline oder amorphe Struktur. Für einkristalline (epitaktische) Schichten ist das Verfahren auch unter der Bezeichnung Atomlagenepitaxie (engl. atomic layer epitaxy, ALE) bekannt. Werden nicht einzelne Atome aus den Vorgängermolekülen, sondern Molekülfragmente in einer selbstbegrenzenden Reaktion abgeschieden, spricht man auch von molecular layer deposition (MLD, dt. „Moleküllagenabscheidung“). (de)
- Atomic layer deposition (ALD) is a thin-film deposition technique based on the sequential use of a gas-phase chemical process; it is a subclass of chemical vapour deposition. The majority of ALD reactions use two chemicals called precursors (also called "reactants"). These precursors react with the surface of a material one at a time in a sequential, self-limiting, manner. A thin film is slowly deposited through repeated exposure to separate precursors. ALD is a key process in fabricating semiconductor devices, and part of the set of tools for synthesising nanomaterials. (en)
- L’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés. (fr)
- Osadzanie warstw atomowych (ang. Atomic Layer Deposition, ALD) – metoda chemiczna służąca do uzyskiwania cienkich warstw o grubościach atomowych. ALD jest zmodyfikowaną wersją techniki CVD, w której oba wprowadzane prekursory nie mają ze sobą kontaktu w fazie gazowej, a jedynie na osadzanej powierzchni. (pl)
- 原子層堆積、または原子層堆積法（ALD：Atomic layer deposition)は気相の連続的な化学反応を利用した薄膜形成技術である。化学気相成長（CVD: chemical vapor deposition）の1分類とされる。多くの場合、ALDは2種類のプリカーサ（前駆体）と呼ばれる化学物質を用いて行われる。プリカーサは1種ずつ、連続的かつ自己制御的に対象物表面に反応する。それぞれのプリカーサへの暴露を順番に繰り返し行うことで、薄膜は徐々に形成される。ALDは半導体デバイス製造において重要なプロセスであり、装置の一部はナノマテリアル合成にも利用可能である。1974年にフィンランドのトゥオモ・スントラ博士によって実用化された。 (ja)
- Атомно-слоевое осаждение (АСО) (англ. Atomic Layer Deposition (ALD)) — это технология осаждения тонких плёнок, которая базируется на последовательных химических реакциях между паром и твёрдым телом и имеет свойство самоограничения. Большинство АСО-реакций используют два химических соединения, которые обычно называют прекурсорами. Такие прекурсоры поочередно вступают в реакцию с поверхностью. В результате многократного влияния прекурсоров происходит рост тонкой плёнки. (ru)
- 原子层沉积（英文：Atomic layer deposition）是一种可以将物质以形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的（化学气相沉积）有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积的主要反应物有两种化学物质，通常被称作前驱物。前驱产物和材料表面发生连续的，自限性的反应。薄膜通过分别和不同的前驱产物进行反应缓慢沉积。原子层沉积是关键的半导体设备装配方法，也可以成为一些纳米材料合成方法中的一环。 (zh)
- Атомно-шарове осадження (АШО, англ. Atomic layer deposition, ALD) — це технологія осадження тонких плівок, яка базується на послідовних хімічних реакціях між парою та твердим тілом, та яка має властивість самообмеження. Більшість АШО-реакцій використовують дві хімічні сполуки, які зазвичай називають прекурсорами. Такі прекурсори почергово вступають в реакцію з поверхнею. Внаслідок багаторазового впливу прекурсорів відбувається ріст тонкої плівки. (uk)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 62715 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:colwidth
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Atomic layer deposition (ALD) is a thin-film deposition technique based on the sequential use of a gas-phase chemical process; it is a subclass of chemical vapour deposition. The majority of ALD reactions use two chemicals called precursors (also called "reactants"). These precursors react with the surface of a material one at a time in a sequential, self-limiting, manner. A thin film is slowly deposited through repeated exposure to separate precursors. ALD is a key process in fabricating semiconductor devices, and part of the set of tools for synthesising nanomaterials. (en)
- L’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés. (fr)
- Osadzanie warstw atomowych (ang. Atomic Layer Deposition, ALD) – metoda chemiczna służąca do uzyskiwania cienkich warstw o grubościach atomowych. ALD jest zmodyfikowaną wersją techniki CVD, w której oba wprowadzane prekursory nie mają ze sobą kontaktu w fazie gazowej, a jedynie na osadzanej powierzchni. (pl)
- 原子層堆積、または原子層堆積法（ALD：Atomic layer deposition)は気相の連続的な化学反応を利用した薄膜形成技術である。化学気相成長（CVD: chemical vapor deposition）の1分類とされる。多くの場合、ALDは2種類のプリカーサ（前駆体）と呼ばれる化学物質を用いて行われる。プリカーサは1種ずつ、連続的かつ自己制御的に対象物表面に反応する。それぞれのプリカーサへの暴露を順番に繰り返し行うことで、薄膜は徐々に形成される。ALDは半導体デバイス製造において重要なプロセスであり、装置の一部はナノマテリアル合成にも利用可能である。1974年にフィンランドのトゥオモ・スントラ博士によって実用化された。 (ja)
- Атомно-слоевое осаждение (АСО) (англ. Atomic Layer Deposition (ALD)) — это технология осаждения тонких плёнок, которая базируется на последовательных химических реакциях между паром и твёрдым телом и имеет свойство самоограничения. Большинство АСО-реакций используют два химических соединения, которые обычно называют прекурсорами. Такие прекурсоры поочередно вступают в реакцию с поверхностью. В результате многократного влияния прекурсоров происходит рост тонкой плёнки. (ru)
- 原子层沉积（英文：Atomic layer deposition）是一种可以将物质以形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的（化学气相沉积）有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积的主要反应物有两种化学物质，通常被称作前驱物。前驱产物和材料表面发生连续的，自限性的反应。薄膜通过分别和不同的前驱产物进行反应缓慢沉积。原子层沉积是关键的半导体设备装配方法，也可以成为一些纳米材料合成方法中的一环。 (zh)
- Атомно-шарове осадження (АШО, англ. Atomic layer deposition, ALD) — це технологія осадження тонких плівок, яка базується на послідовних хімічних реакціях між парою та твердим тілом, та яка має властивість самообмеження. Більшість АШО-реакцій використовують дві хімічні сполуки, які зазвичай називають прекурсорами. Такі прекурсори почергово вступають в реакцію з поверхнею. Внаслідок багаторазового впливу прекурсорів відбувається ріст тонкої плівки. (uk)
- Die Atomlagenabscheidung (englisch atomic layer deposition, ALD) ist ein Verfahren zur Abscheidung von extrem dünnen Schichten, bis hin zu atomaren Monolagen, auf einem Ausgangsmaterial. Es handelt sich um ein stark verändertes Chemisches Gasphasenabscheidungs- (CVD-) Verfahren mit zwei oder mehr zyklisch durchgeführten selbstbegrenzenden Oberflächenreaktionen. Das abzuscheidende Material ist in chemischer Form an ein oder mehrere Trägergase, die sogenannten Präkursoren gebunden. Diese Präkursoren werden alternierend in eine Reaktionskammer geleitet und dort zur Reaktion mit dem Substrat gebracht, woraufhin der im Gas gebundene Stoff sich auf dem Substratmaterial abscheidet. Die so entstehenden Schichten haben in der Regel eine polykristalline oder amorphe Struktur. Für einkristalline (epi (de)
|
| rdfs:label
|
- Deposició en capa atòmica (ca)
- Atomlagenabscheidung (de)
- Atomic layer deposition (en)
- Atomic layer deposition (fr)
- 原子層堆積 (ja)
- Osadzanie warstw atomowych (pl)
- Атомно-слоевое осаждение (ru)
- Атомно-шарове осадження (uk)
- 原子层沉积 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:knownFor
of | |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is dbp:knownFor
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
