| dbo:abstract
|
- 14 nanòmetres (14 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 14 nm. És una millora de la tecnologia de 22 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 25 àtoms de llargada. Els transistors d'aquesta litografia estan preparats per dispositius que necessiten processadors de baix consum i com que són més petits, permeten posar més components dins el processador, com més nuclis (processadors multi-core) o diferents nivells de memòries caché i de més capacitat. (ca)
- The 14 nm process refers to the MOSFET technology node that is the successor to the 22 nm (or 20 nm) node. The 14 nm was so named by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Until about 2011, the node following 22 nm was expected to be 16 nm. All 14 nm nodes use FinFET (fin field-effect transistor) technology, a type of multi-gate MOSFET technology that is a non-planar evolution of planar silicon CMOS technology. Samsung Electronics taped out a 14 nm chip in 2014, before manufacturing "10 nm class" NAND flash chips in 2013. The same year, SK Hynix began mass-production of 16 nm NAND flash, and TSMC began 16 nm FinFET production. The following year, Intel began shipping 14 nm scale devices to consumers. (en)
- 14 nanómetros (14nm) es la tecnología de fabricación de semiconductores, en la que los componentes están fabricados en una 14 milmillonésima parte de un metro. (es)
- 14 nm è un processo costruttivo dei microprocessori per computer, evoluzione del processo a 22 nm utilizzato per i microprocessori Intel e AMD (oltre che per altri tipi di circuiti realizzati da altre società del settore). La sua introduzione è avvenuta tra la fine del 2014 e l'inizio del 2015. (it)
- 14 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé 22 nm. La taille des cellules SRAM est presque réduite de 50% par rapport à la technologie 22 nm. Suivant les plans de l'ITRS le successeur du 14 nm sera la technologie 10 nm. En 2014, Intel met la technologie sur le marché pour des microprocesseurs pour téléphones portables. (fr)
- 14 nm는 인텔이 5세대 브로드웰 때부터 6,7,8,9~ 세대까지 쭉 사용해온 공정이다. AMD가 1세대 써밋릿지에 사용된 공정이고 라데온 RX 400, 500, Vega 시리즈에서 사용된 공정이다. (ko)
- 14纳米制程是半导体制造制程的一个水平。最早的14纳米器件是由英特尔于2014年制造。在14纳米中，使用了多重图形曝光模式。 2014年9月，英特尔推出第一代14nm處理器，採用Broadwell微架構。 (zh)
|
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 27979 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:date
| |
| dbp:list
| |
| dbp:next
| |
| dbp:prev
| |
| dbp:reason
|
- The sentence implies 2014 is before 2013. (en)
|
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| rdfs:comment
|
- 14 nanómetros (14nm) es la tecnología de fabricación de semiconductores, en la que los componentes están fabricados en una 14 milmillonésima parte de un metro. (es)
- 14 nm è un processo costruttivo dei microprocessori per computer, evoluzione del processo a 22 nm utilizzato per i microprocessori Intel e AMD (oltre che per altri tipi di circuiti realizzati da altre società del settore). La sua introduzione è avvenuta tra la fine del 2014 e l'inizio del 2015. (it)
- 14 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé 22 nm. La taille des cellules SRAM est presque réduite de 50% par rapport à la technologie 22 nm. Suivant les plans de l'ITRS le successeur du 14 nm sera la technologie 10 nm. En 2014, Intel met la technologie sur le marché pour des microprocesseurs pour téléphones portables. (fr)
- 14 nm는 인텔이 5세대 브로드웰 때부터 6,7,8,9~ 세대까지 쭉 사용해온 공정이다. AMD가 1세대 써밋릿지에 사용된 공정이고 라데온 RX 400, 500, Vega 시리즈에서 사용된 공정이다. (ko)
- 14纳米制程是半导体制造制程的一个水平。最早的14纳米器件是由英特尔于2014年制造。在14纳米中，使用了多重图形曝光模式。 2014年9月，英特尔推出第一代14nm處理器，採用Broadwell微架構。 (zh)
- 14 nanòmetres (14 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 14 nm. És una millora de la tecnologia de 22 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 25 àtoms de llargada. (ca)
- The 14 nm process refers to the MOSFET technology node that is the successor to the 22 nm (or 20 nm) node. The 14 nm was so named by the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Until about 2011, the node following 22 nm was expected to be 16 nm. All 14 nm nodes use FinFET (fin field-effect transistor) technology, a type of multi-gate MOSFET technology that is a non-planar evolution of planar silicon CMOS technology. (en)
|
| rdfs:label
|
- 14 nanòmetres (ca)
- 14 nm process (en)
- 14 nanómetros (es)
- 14 nm (fr)
- 14 nm (it)
- 14 nm 공정 (ko)
- 14 nanômetros (pt)
- 14纳米制程 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is dbp:process
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
