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- FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superfície en el dau de silici, a més a més de major velocitat de commutació i menor consum de potència. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Califòrnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor. (ca)
- Un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) es un dispositivo de múltiple puerta, un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal) construido sobre un sustrato donde la puerta se coloca en dos, tres o cuatro lados del canal o envuelta alrededor el canal, formando una estructura de doble puerta. A estos dispositivos se les ha dado el nombre genérico "finfets" porque la región fuente / drenaje forma aletas en la superficie del silicio. Los dispositivos FinFET tienen tiempos de conmutación significativamente más rápidos y una densidad de corriente más alta que la tecnología plana CMOS (semiconductor de óxido de metal complementario). FinFET es un tipo de transistor no plano o transistor "3D". Es la base para la fabricación moderna de dispositivos semiconductores nanoelectrónicos. Los microchips que utilizan puertas FinFET se comercializaron por primera vez en la primera mitad de la década de 2010, y se convirtieron en el diseño de puerta dominante en los nodos de proceso de 14 nm, 10 nm y 7 nm. (es)
- A fin field-effect transistor (FinFET) is a multigate device, a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) built on a substrate where the gate is placed on two, three, or four sides of the channel or wrapped around the channel, forming a double or even multi gate structure. These devices have been given the generic name "FinFETs" because the source/drain region forms fins on the silicon surface. The FinFET devices have significantly faster switching times and higher current density than planar CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) technology. FinFET is a type of non-planar transistor, or "3D" transistor. It is the basis for modern nanoelectronic semiconductor device fabrication. Microchips utilizing FinFET gates first became commercialized in the first half of the 2010s, and became the dominant gate design at 14 nm, 10 nm and 7 nm process nodes. It is common for a single FinFET transistor to contain several fins, arranged side by side and all covered by the same gate, that act electrically as one, to increase drive strength and performance. (en)
- Un transistor à effet de champ à ailettes (en anglais fin field-effect transistor ou FinFET) est un , un transistor à effet de champ MOSFET (FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur un substrat où la grille est placée sur deux, trois ou quatre côtés du canal, formant un structure à double grille. On a donné le nom générique « FinFET » à ces dispositifs car la région source/drain forme des ailettes (en anglais fins) sur la surface du silicium. Les transistors FinFET ont des temps de commutation significativement plus rapides et des densités de courant plus élevées que ceux de technologie CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) planaire. Le FinFET est un type de transistor non planaire, ou « transistor 3D ». Il est à la base de la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs modernes nanoélectroniques. Les puces utilisant des transistors FinFET ont été commercialisées dans la première moitié des années 2010, et sont devenues le type de conception de grille le plus répandu pour les procédés de fabrication à 14 nm, 10 nm et 7 nm. Un unique transistor FinFET peut posséder plusieurs ailettes, disposées côte-à-côte et toutes couvertes par la même grille, qui agit électriquement comme une seule, pour augmenter la densité de courant et la performance. (fr)
- FinFET（Fin Field-Effect Transistor）とは、ゲートがチャネルの2面、3面、4面またはチャネルを包むように位置しダブルゲート構造を形成している基板上に作られたMOSFETである。FinFETと呼ばれる理由は、ソース/ドレイン領域がシリコン表面でフィンを形成するためである。FinFETデバイスは主流のCMOSよりもかなり速いスイッチング時間と高い電流密度を持つ。 FinFETという用語は、SOI基板上に構築された非プレーナー型ダブルゲートトランジスタを表現するために、2001年にカリフォルニア大学バークレー校の研究者である、、らによって作られた。このトランジスタは、以前のDELTA（シングルゲート）トランジスタデザインに基づいていた。 FinFETトランジスタは5nmのゲート厚さと50nm以下のゲート幅を持つことができ、28nmチップで応用されると想定されている。FinFET技術は、AMD、NVIDIA、IBM、ARM、Motorolaと学術研究機関によって追求されている。 産業界では2002年のTSMCによる0.7Vで動作する25nmトランジスタが最初である。「Omega FinFET」デザインは、ギリシャ文字の「オメガ」と、ソース/ドレイン構造を包むゲートの形状との類似性から名付けられたもので、ゲートディレイはN型トランジスタで0.39ピコ秒、P型で0.88ピコ秒となっている。 ゲートが3面からチャネルを囲むインテルのトライゲートトランジスタは、プレーナー型よりゲートディレイが小さく、高い性能を可能にした。 最初のFinFETトランジスタのタイプは「DEpleted Lean-channel TrAnsistor」または「DELTAトランジスタ」として知られた。DELTAトランジスタを扱った論文は1990年代始めに最初に出版された。このトランジスタのゲートは半導体チャネルのフィンを被覆したり、またトップとサイドの両方あるいはサイドのみに電気的に接触させたりすることができる。前者（トップとサイド）を「トライゲートトランジスタ」、後者（サイドのみ）を「ダブルゲートトランジスタ」と呼ぶ。ダブルゲートトランジスタは各端を2つの異なる端子または接点に接続させることが任意に可能となっている。このバリエーションを「スプリットトランジスタ」と呼ぶ。これにより、より繊細なトランジスタの動作制御が可能となる。 (ja)
- 핀펫(FinFET, fin field-effect transistor)은 게이트가 2, 3, 4면의 채널에 위치하거나 게이트를 채널 주변에 감싸서 더블 게이트 구조를 형성하는, 기관 위에 빌드되는 (multigate device), MOSFET이다. 이 장치들의 일반 명칭이 핀펫(finfets)인 이유는 소스(source)/드레인(drain) 영역이 실리콘 표면 위에 핀(fin)을 형성하기 때문이다. 이 핀펫 장치들은 평면 CMOS 기술에 비해 상당히 더 빠른 전환 시간과 더 높은 전류 밀도를 보여준다. 핀펫은 평면이 아닌 트랜지스터, 즉 3D 트랜지스터의 일종이다. 핀펫 게이트를 이용한 마이크로칩은 2010년대 상반기에 최초로 상용화되었으며 14 nm, , 7 nm 공정 에 주로 사용되는 게이트 디자인이 되었다. (ko)
- FinFET（Fin Field-Effect Transistor；鰭式場效電晶體），中文名有时称为鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管，屬於多閘極電晶體。FinFET是由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的。 当晶体管的尺寸小于25纳米以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的主要思想是将场效应管立体化。 2011年，英特尔已经推出商业化的22纳米FinFET。 在2018年2月开始，中国科学院微电子研究所就该技术涉及该所的部分专利对英特尔提出侵权诉讼，而英特尔多次反制，向中美两国的知识产权管理部门申请专利无效审议或复审，但均告失败，2020年7月28日，国家知识产权局口头受理了该次申请无效审议。 (zh)
- Польовий транзистор з вертикальним затвором (англ. FinFET) — мультизатворний польовий МДН транзистор (MOSFET), побудований на підкладці, де затвор розміщений на двох, трьох чи чотирьох сторонах каналу (обгорнутий навколо каналу), утворюючи подвійну структуру затвору. Ці прилади отримали назву FinFET (англ. fin - плавник, FET(англ. field-effect transistor) - польовий транзистор), оскільки область стоку-витоку утворює "плавники" на поверхні кремнію. Пристрої FinFET мають значно швидший час перемикання та більш високу густину струму, ніж плоска технологія КМОН (CMOS) (комплементарний метал-оксид-напівпровідник). FinFET — це тип непланарного транзистора, або "3D" транзистора. Це основа для виготовлення сучасних наноелектронних напівпровідникових пристроїв. Мікрочипи, що використовують затвор FinFET, вперше були комерціалізовані в першій половині 2010-х років і стали домінуючою конструкцією затвору на 14-нм, 10-нм та 7-нм технологічних процесах . (uk)
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- FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superfície en el dau de silici, a més a més de major velocitat de commutació i menor consum de potència. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Califòrnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor. (ca)
- 핀펫(FinFET, fin field-effect transistor)은 게이트가 2, 3, 4면의 채널에 위치하거나 게이트를 채널 주변에 감싸서 더블 게이트 구조를 형성하는, 기관 위에 빌드되는 (multigate device), MOSFET이다. 이 장치들의 일반 명칭이 핀펫(finfets)인 이유는 소스(source)/드레인(drain) 영역이 실리콘 표면 위에 핀(fin)을 형성하기 때문이다. 이 핀펫 장치들은 평면 CMOS 기술에 비해 상당히 더 빠른 전환 시간과 더 높은 전류 밀도를 보여준다. 핀펫은 평면이 아닌 트랜지스터, 즉 3D 트랜지스터의 일종이다. 핀펫 게이트를 이용한 마이크로칩은 2010년대 상반기에 최초로 상용화되었으며 14 nm, , 7 nm 공정 에 주로 사용되는 게이트 디자인이 되었다. (ko)
- FinFET（Fin Field-Effect Transistor；鰭式場效電晶體），中文名有时称为鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管，屬於多閘極電晶體。FinFET是由加州大学伯克利分校胡正明教授发明的。 当晶体管的尺寸小于25纳米以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的主要思想是将场效应管立体化。 2011年，英特尔已经推出商业化的22纳米FinFET。 在2018年2月开始，中国科学院微电子研究所就该技术涉及该所的部分专利对英特尔提出侵权诉讼，而英特尔多次反制，向中美两国的知识产权管理部门申请专利无效审议或复审，但均告失败，2020年7月28日，国家知识产权局口头受理了该次申请无效审议。 (zh)
- A fin field-effect transistor (FinFET) is a multigate device, a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) built on a substrate where the gate is placed on two, three, or four sides of the channel or wrapped around the channel, forming a double or even multi gate structure. These devices have been given the generic name "FinFETs" because the source/drain region forms fins on the silicon surface. The FinFET devices have significantly faster switching times and higher current density than planar CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) technology. (en)
- Un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) es un dispositivo de múltiple puerta, un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal) construido sobre un sustrato donde la puerta se coloca en dos, tres o cuatro lados del canal o envuelta alrededor el canal, formando una estructura de doble puerta. A estos dispositivos se les ha dado el nombre genérico "finfets" porque la región fuente / drenaje forma aletas en la superficie del silicio. Los dispositivos FinFET tienen tiempos de conmutación significativamente más rápidos y una densidad de corriente más alta que la tecnología plana CMOS (semiconductor de óxido de metal complementario). (es)
- Un transistor à effet de champ à ailettes (en anglais fin field-effect transistor ou FinFET) est un , un transistor à effet de champ MOSFET (FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur un substrat où la grille est placée sur deux, trois ou quatre côtés du canal, formant un structure à double grille. On a donné le nom générique « FinFET » à ces dispositifs car la région source/drain forme des ailettes (en anglais fins) sur la surface du silicium. Les transistors FinFET ont des temps de commutation significativement plus rapides et des densités de courant plus élevées que ceux de technologie CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) planaire. (fr)
- FinFET（Fin Field-Effect Transistor）とは、ゲートがチャネルの2面、3面、4面またはチャネルを包むように位置しダブルゲート構造を形成している基板上に作られたMOSFETである。FinFETと呼ばれる理由は、ソース/ドレイン領域がシリコン表面でフィンを形成するためである。FinFETデバイスは主流のCMOSよりもかなり速いスイッチング時間と高い電流密度を持つ。 FinFETという用語は、SOI基板上に構築された非プレーナー型ダブルゲートトランジスタを表現するために、2001年にカリフォルニア大学バークレー校の研究者である、、らによって作られた。このトランジスタは、以前のDELTA（シングルゲート）トランジスタデザインに基づいていた。 FinFETトランジスタは5nmのゲート厚さと50nm以下のゲート幅を持つことができ、28nmチップで応用されると想定されている。FinFET技術は、AMD、NVIDIA、IBM、ARM、Motorolaと学術研究機関によって追求されている。 ゲートが3面からチャネルを囲むインテルのトライゲートトランジスタは、プレーナー型よりゲートディレイが小さく、高い性能を可能にした。 (ja)
- Польовий транзистор з вертикальним затвором (англ. FinFET) — мультизатворний польовий МДН транзистор (MOSFET), побудований на підкладці, де затвор розміщений на двох, трьох чи чотирьох сторонах каналу (обгорнутий навколо каналу), утворюючи подвійну структуру затвору. Ці прилади отримали назву FinFET (англ. fin - плавник, FET(англ. field-effect transistor) - польовий транзистор), оскільки область стоку-витоку утворює "плавники" на поверхні кремнію. Пристрої FinFET мають значно швидший час перемикання та більш високу густину струму, ніж плоска технологія КМОН (CMOS) (комплементарний метал-оксид-напівпровідник). (uk)
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- FinFET (ca)
- FinFET (es)
- FinFET (fr)
- Fin field-effect transistor (en)
- FinFET (in)
- 핀펫 (ko)
- FinFET (ja)
- FinFET (zh)
- FinFET (uk)
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