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- كَرْبِيدُ اَلسِّيلِيكُونِ (يعرف أيضاً باسم كربورندوم) هو مركب كيميائي من السيليكون والكربون، رمزه SiC، ويوجد في الشروط القياسية في شكل صلب بلوري غامق اللون. يصنف كربيد السيليكون ضمن المواد شبه الموصلة وكذلك من المواد السيراميكية القادرة على تحمل درجات حرارة مرتفعة. يتوفر هذا المركب في الطبيعة على شكل معدن المواسانيت. (ar)
- El carbur de silici (SiC) és un material ceràmic de carbur covalent d'estequiometria 1:1 i que té una estructura semblant a la diamant. És gairebé tan dur com el diamant. Per la seva duresa, es fa servir com a abrasiu artificial, conegut amb per la marca comercial de carborúndum, així com a element calefactor en resistències, en reactors, i, com a reforç, en materials compostos. És relativament inert a l'oxidació, ja que en presència d'oxigen forma una capa protectora de SiO2. El carbur de silici és un material semiconductor (amb una banda prohibida de 2,4 V) i refractari que presenta molts avantatges en dispositius que impliquin treballar en condicions extremes de temperatura, voltatge i freqüència. El carbur de silici pot suportar un gradient de voltatge o de camp elèctric fins a vuit vegades superior al silici o l'arsenur de gal·li sense que rompre's. Aquest elevat valor de camp elèctric de ruptura el fa útil en la fabricació de components que operen a voltatges elevats i a altes energies com per exemple: díodes, transistors, supressors…, i fins i tot dispositius per microones d'alta energia. S'hi suma l'avantatge de poder col·locar una elevada densitat d'empaquetament en els circuits integrats. Finalment, la duresa de 9 a l'escala de Mohs li proporciona una resistència mecànica que, junt amb les propietats elèctriques, li donen molts beneficis enfront d'altres semiconductors. (ca)
- Karbid křemíku (SiC) je sloučenina uhlíku a křemíku. Velmi vzácně se vyskytuje i v přírodě jako minerál moissanit. Často se mylně uvádí, že se v této sloučenině vyskytuje čtyřnásobná vazba mezi atomy C a Si. Vazba je díky prostorové struktuře pevné látky tvořené tetraedry jednoduchá – samostatná molekula SiC neexistuje. (cs)
- Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff. Die chemische Formel ist SiC. Als Mineral kommt es natürlich als Moissanit vor, ist aber sehr selten und verunreinigt. Die technisch verwendeten Mengen werden darum im Allgemeinen synthetisch hergestellt. Die technische Herstellung von Siliziumcarbid erfolgte 1893 im Acheson-Verfahren, noch bevor natürliches Siliziumcarbid 1904 durch Henri Moissan im Canyon Diablo Meteorit gefunden wurde. (de)
- Le carbure de silicium est un composé chimique de formule SiC. C'est une céramique ultraréfractaire ultradure semiconductrice synthétique, qu'on peut trouver dans la nature sous la forme d'un minéral très rare, la moissanite. Grâce au procédé Acheson, depuis la fin du XIXe siècle, on sait produire industriellement de la poudre de carbure de silicium, qui servit d'abord comme abrasif. Les grains de SiC peuvent être traités par frittage pour obtenir des pièces en céramique très dures — de 9,0 à 9,5 sur l'échelle de Mohs — qui sont largement utilisées pour des applications exigeant une résistance élevée comme les freins, les embrayages, ou les plaques de certains gilets pare-balles. Le carbure de silicium a également des applications électroniques qui remontent au début du XXe siècle, dans les premières radios, puis des diodes électroluminescentes (LED) ; aujourd'hui, ce matériau est employé dans les composants électroniques devant fonctionner à température ou sous des tensions élevées. Il est possible d'obtenir de grands monocristaux de carbure de silicium par le procédé de Lely, cristaux qui peuvent ensuite être taillés en gemmes appelées moissanite synthétique. Le carbure de silicium présente plus de 250 polymorphes, dont les principaux sont l'α-SiC (ou polytype 6H, hexagonal), le β-SiC (ou polytype 3C, de type sphalérite), et le carbure de silicium 4H. (fr)
- El carburo de silicio, también llamado carborundo, carborundio o carburindón (sic) es un carburo covalente de estequiometría 1:1 y que tiene una estructura de diamante, a pesar del diferente tamaño del C y Si, que podría impedir la misma. Debido en parte a su estructura, es casi tan duro como el diamante, alcanzando durezas en la escala de Mohs de 9 a 9,5, por lo que además se usa como material abrasivo. También es conocido como carburindón o «carborindón», palabra formada por carbo- y corindón, mineral famoso por su dureza. Es un compuesto que se puede denominar aleación sólida, y que se basa en que sobre la estructura anfitrión (C en forma de diamante) se cambian átomos de éste por átomos de Silicio, siempre y cuando el hueco que se deje sea similar al tamaño del átomo que lo va a ocupar. El carburo de silicio es un material semiconductor (~ 2,4V) y refractario que presenta muchas ventajas para ser utilizado en dispositivos que impliquen trabajar en condiciones extremas de temperatura, voltaje y frecuencia. El Carburo de Silicio puede soportar un gradiente de voltaje o de campo eléctrico hasta ocho veces mayor que el silicio o el arseniuro de galio sin que sobrevenga la ruptura: este elevado valor de campo eléctrico de ruptura le hace ser de utilidad en la fabricación de componentes que operan a elevado voltaje y alta energía, como por ejemplo: diodos, transistores, supresores..., e incluso dispositivos para microondas de alta energía. A esto se suma la ventaja de poder colocar una elevada densidad de empaquetamiento en los circuitos integrados. Gracias a la elevada velocidad de saturación de portadores de carga (2×107 cm−¹) es posible emplear SiC para dispositivos que trabajen a altas frecuencias, ya sean Radiofrecuencias o Microondas. Por último una dureza de ~9 en la escala de Mohs le proporciona resistencia mecánica, que junto a sus propiedades eléctricas hacen que dispositivos basados en SiC ofrezcan numerosos beneficios frente a otros semiconductores. (es)
- SiC, comhdhúil a tháirgtear trí mheascán de charbón is sileacan a leá. Tugtar carbaram uirthi freisin. Bíonn foirmeacha éagsúla criostalta aici, a bhfuil leáphointe ard acu uile, gach ceann acu an-chrua. Baintear feidhm aisti mar scríobach. (ga)
- 'Silikon karbida' ('SiC'), dikenal juga sebagai carborundum, adalah senyawa silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC. Ia terjadi di alam sebagai mineral yang sangat langka moissanite. Serbuk silikon karbida sintetis telah diproduksi massal sejak 1893 untuk digunakan sebagai . Butiran silikon karbida dapat disatukan dengan cara membentuk keramik yang sangat keras yang banyak digunakan pada aplikasi yang memerlukan daya tahan tinggi, seperti rem mobil, kopling mobil dan untuk rompi anti peluru. Aplikasi elektronik silikon karbida seperti untuk Light-Emitting Diode, (LED) dan dalam radio-radio awal yang pertama kali didemonstrasikan pada sekitar tahun 1907. SiC digunakan sebagai semikonduktor dalam modul elektronik yang beroperasi pada suhu tinggi dan/atau tegangan tinggi. Kristal tunggal besar silikon karbida dapat tumbuh dengan ; mereka dapat dipotong menjadi batu permata yang dikenal sebagai moissanite sintetis. Silikon karbida dengan area permukaan tinggi dapat diproduksi dari SiO2 yang terkandung dalam bahan tanaman. (in)
- Silicon carbide (SiC), also known as carborundum (/ˌkɑːrbəˈrʌndəm/), is a hard chemical compound containing silicon and carbon. A semiconductor, it occurs in nature as the extremely rare mineral moissanite, but has been mass-produced as a powder and crystal since 1893 for use as an abrasive. Grains of silicon carbide can be bonded together by sintering to form very hard ceramics that are widely used in applications requiring high endurance, such as car brakes, car clutches and ceramic plates in bulletproof vests. Large single crystals of silicon carbide can be grown by the Lely method and they can be cut into gems known as synthetic moissanite. Electronic applications of silicon carbide such as light-emitting diodes (LEDs) and detectors in early radios were first demonstrated around 1907. SiC is used in semiconductor electronics devices that operate at high temperatures or high voltages, or both. (en)
- 炭化ケイ素（たんかケイそ、英: silicon carbide、化学式: SiC）は、炭素（C）とケイ素（Si）の1:1 の化合物で、天然では、隕石中にわずかに存在が確認される。鉱物学上「モアッサン石」(英: Moissanite)と呼ばれ、また、19世紀末に工業化した会社の商品名から「カーボランダム」と呼ばれることもある。 ダイヤモンドとシリコンの中間的な性質を持ち、硬度、耐熱性、化学的安定性に優れることから、研磨材、耐火物、発熱体などに使われ、また半導体でもあることから電子素子の素材にもなる。結晶の光沢を持つ、黒色あるいは緑色の粉粒体として、市場に出る。 (ja)
- 탄화 규소 (SiC)는 카보런덤(/ˌkɑːrbəˈrʌndəm/)이라고도 하며, 규소와 탄소를 함유하고 있는 반도체이다. 탄화규소는 자연에서 극히 희귀한 광물 모이사나이트로 생성된다. 합성 SiC 분말은 연마재로 사용할 목적으로 1893년부터 대량 생산되었다. 탄화규소 입자는 소결을 거쳐 함께 결합되어 매우 단단한 세라믹을 형성하며, 자동차 브레이크, 자동차 클러치, 방탄복, 와 같은 높은 내구성을 요구하는 응용 분야에 널리 사용되고 있다. 실리콘 카바이드의 큰 단결정은 으로 팽창할 수 있으며, 합성 모이사나이트로 알려진 보석으로 절단될 수 있다. 발광 다이오드 (LED) 및 초기 라디오의 와 같은 탄화규소의 전자 응용은 1907년경에 처음으로 시연되었다. 실리콘 카바이드는 고온이나 고전압 또는 둘 다에서 작동하는 반도체 전자 장치에 사용된다. (ko)
- Siliciumcarbide (SiC), ook bekend als carborundum, is een zeer hard materiaal. De verbinding is ontdekt in 1891 door de Amerikaanse chemicus die er op 28 februari 1893 een patent op verkreeg. (nl)
- Węglik krzemu (karborund) – materiał ceramiczny z grupy węglików o ogólnym wzorze SiC. Występuje w naturze jako niezwykle rzadki minerał moissanit. Istnieją jego dwie odmiany krystaliczne α i β. Węglik krzemu znalazł się w obszarze zainteresowań nauki pod koniec XIX w., w związku z poszukiwaniami nowych, niedrogich materiałów ściernych. Pierwsza metoda, opatentowana przez jej wynalazcę, E. G. Achesona, polegała na reakcji krzemionki i węgla w piecu elektrycznym. Do dzisiaj jest stosowana ona w nieznacznie tylko zmodyfikowanej formie. Węglik krzemu można też otrzymywać w wyniku pirolizy . Węglik krzemu zwany jest czasami karborundem ze względu na jego twardość, która zawiera się pomiędzy twardością diamentu i korundu. Główną zaletą węgliku krzemu jest jego twardość, której wartość wynosi według skali Brinella 1150, według skali Mohsa 9,5. Inną jego zaletą jest bardzo wysoka odporność termiczna. Jest to jednak materiał kruchy. W czystej postaci jest bezbarwny, spotykane najczęściej zabarwienie powodowane jest zanieczyszczeniem. Pod normalnym ciśnieniem nie ulega stopieniu, ale sublimuje w temperaturze powyżej 2500 °C. Węglik krzemu bywa stosowany do pokrywania powierzchni ciernych pracujących w wysokich temperaturach, na przykład powierzchni bocznych cylindrów silników, a także jako osłony termiczne w pojazdach kosmicznych. Jednym z najnowszych zastosowań węgliku krzemu jest produkcja . W czystej postaci (moissanit) jest niekiedy wykorzystywany w biżuterii jako kamień ozdobny. Właściwości:
* gęstość 3,217 g/cm³
* kruchość
* wysoka stabilność termiczna
* brak reakcji z kwasami
* wrażliwość na działanie zasad
* utlenianie się w temperaturze powyżej 1400 °C, z tworzeniem warstwy ochronnej SiO2
* wysoka przewodność cieplna, lecz słaba elektryczna (półprzewodnik). (pl)
- Il carburo di silicio, chiamato talvolta impropriamente col nome commerciale carborundum, è un materiale ceramico composto da silicio e carbonio legati insieme, di formula SiC. Viene ottenuto per sintesi, ma esiste anche in natura sotto forma del rarissimo minerale moissanite. Ha una durezza molto elevata, intermedia tra il corindone e il diamante. È quindi classificato tra i materiali superduri. (it)
- O Carbeto de silício (SiC, também chamado carborundum) é um composto químico de silício e carbono. É mais familiar como um composto sintético largamente usado como abrasivo, mas ocorre também na natureza na forma do mineral muito raro chamado moissanite. Grãos de carbeto de silício podem ser agregados por sinterização, formando uma cerâmica muito dura. O carbeto de silício (SiC) é um componente inorgânico formado a partir da ligação entre um átomo de silício e um átomo de carbono (12% de caráter iônico) [1] com coordenação tetraédrica e massa específica de 3,20 g/cm3. Sua forma natural é conhecida como moissanita, mineral transparente extremamente raro, descoberto em 1905 por Henri Moissan em um meteoro no Arizona, EUA. O mineral encontrado na natureza não é utilizado na indústria, mas sim pelo mercado de jóias e é conhecido como pseudodiamante ou imitação de diamante. Em 1824, Jöns Jacob Berzelius, cientista sueco, sugeriu pela primeira vez a existência da ligação entre átomos de silício e carbono. Entretanto, apenas em 1891, o primeiro processo de fabricação industrial do SiC foi desenvolvido. Tal avanço tecnológico foi realizado de forma acidental por Edward Goodrich Acheson, assistente de Thomas A. Edson, durante um experimento onde se buscava sintetizar diamante a partir de argila e carbono. Acheson acreditou que o produto de seu experimento era uma combinação do carbono (carbon) e da alumina (corundum) proveniente da argila, o que o levou a nomeá-lo carborundum. Anos depois se concluiu que esse composto sintetizado era na verdade a combinação de átomos de silício e carbono. O principal processo de produção industrial do SiC é até hoje o Processo Acheson, onde fontes de carbono e sílica são misturadas e levadas a altas temperaturas (próximas a 2600-3000 °C). Neste processo, dois eletrodos são conectados através de uma resistência, usualmente de grafite, envoltos por uma mistura de coque ou carvão (como fontes de carbono) e quartzo (como fonte de sílica). A mistura é aquecida eletricamente para a formação do SiC segundo a seguinte reação: SiO2(s) + 3C(s) → SiC(s) + 2CO(g) (A) O SiC é encontrado em duas estruturas principais: α-SiC e β-SiC. O ββ-SiC é uma estrutura cristalina transitória não estável a temperatura ambiente, podendo existir nessas condições de forma metaestável por meio de processos especiais em escala laboratorial. Sua formação ocorre em temperaturas inferiores a 2100 °C e sua estrutura cristalina é a cúbica de face centrada [2,3,4]. Esta forma de SiC é única, não apresentando politipos [2-5]. O α-SiC é a forma estável do carbeto de silício, apresentando célula unitária hexagonal ou romboédrica. Importante salientar que este material apresenta politipismo, fenômeno no qual fases termodinamicamente idênticas apresentam estruturas de empilhamento atômico diferentes [2-5]. São conhecidos aproximadamente 250 politipos de α-SiC, apresentando propriedades e características ligeiramente diferentes [1,5]. Desta maneira, o produto final (SiC beneficiado) é uma mistura de diversos politipos e uma combinação das propriedades e características de cada politipo. O carbeto de silício é utilizado como uma fonte de silício e carbono em ligas ferrosas com baixos níveis de impurezas quando comparado a outras fontes de silício e carbono. Além do mais o carbeto de silício proporciona um aumento da nucleação em ferro fundido e consequentemente melhora a qualidade final do produto e também proporciona uma redução de custo no processo. Sendo assim o carbeto de silício torna-se uma boa alternativa como fonte de silício e carbono no processo produtivo ligas ferrosas. (pt)
- Kiselkarbid, kemisk formel SiC, är en kemisk förening som tack vare sin hårdhet används som och tack vare sin eldfasthet som material i deglar och ugnar. Dopad kiselkarbid används även som halvledare inom elektronik för tillämpningar med höga spänningar, höga strömmar, höga frekvenser och höga temperaturer då den inte ger upphov till lika stora energiförluster (i form av värme) som kiselbaserad elektronik.Kiselkarbid används också inom juvelindustrin och kallas då moissanite. Ytterligare namn för kiselkarbid är carborundum eller karborundum. (sv)
- Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, в микроэлектронике (в силовых установках электроавтомобилей), для имитирующих алмаз вставок в ювелирные украшения. (ru)
- 碳化矽（英語：silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化矽在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。将碳化矽粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化矽颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中，在诸如发光二极管、早期的无线电探测器之类的电子器件制造中也有使用。如今碳化矽被广泛用于制造高温、高压半导体。使用Lely法能生长出大块的碳化矽单晶。人造莫桑石的宝石就是切割由Lely法制备的大块碳化矽单晶获得的。 (zh)
- Карбі́д кре́мнію, також карбору́нд — бінарна неорганічна сполука кремнію з вуглецем. (uk)
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- كَرْبِيدُ اَلسِّيلِيكُونِ (يعرف أيضاً باسم كربورندوم) هو مركب كيميائي من السيليكون والكربون، رمزه SiC، ويوجد في الشروط القياسية في شكل صلب بلوري غامق اللون. يصنف كربيد السيليكون ضمن المواد شبه الموصلة وكذلك من المواد السيراميكية القادرة على تحمل درجات حرارة مرتفعة. يتوفر هذا المركب في الطبيعة على شكل معدن المواسانيت. (ar)
- Karbid křemíku (SiC) je sloučenina uhlíku a křemíku. Velmi vzácně se vyskytuje i v přírodě jako minerál moissanit. Často se mylně uvádí, že se v této sloučenině vyskytuje čtyřnásobná vazba mezi atomy C a Si. Vazba je díky prostorové struktuře pevné látky tvořené tetraedry jednoduchá – samostatná molekula SiC neexistuje. (cs)
- Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff. Die chemische Formel ist SiC. Als Mineral kommt es natürlich als Moissanit vor, ist aber sehr selten und verunreinigt. Die technisch verwendeten Mengen werden darum im Allgemeinen synthetisch hergestellt. Die technische Herstellung von Siliziumcarbid erfolgte 1893 im Acheson-Verfahren, noch bevor natürliches Siliziumcarbid 1904 durch Henri Moissan im Canyon Diablo Meteorit gefunden wurde. (de)
- SiC, comhdhúil a tháirgtear trí mheascán de charbón is sileacan a leá. Tugtar carbaram uirthi freisin. Bíonn foirmeacha éagsúla criostalta aici, a bhfuil leáphointe ard acu uile, gach ceann acu an-chrua. Baintear feidhm aisti mar scríobach. (ga)
- 炭化ケイ素（たんかケイそ、英: silicon carbide、化学式: SiC）は、炭素（C）とケイ素（Si）の1:1 の化合物で、天然では、隕石中にわずかに存在が確認される。鉱物学上「モアッサン石」(英: Moissanite)と呼ばれ、また、19世紀末に工業化した会社の商品名から「カーボランダム」と呼ばれることもある。 ダイヤモンドとシリコンの中間的な性質を持ち、硬度、耐熱性、化学的安定性に優れることから、研磨材、耐火物、発熱体などに使われ、また半導体でもあることから電子素子の素材にもなる。結晶の光沢を持つ、黒色あるいは緑色の粉粒体として、市場に出る。 (ja)
- 탄화 규소 (SiC)는 카보런덤(/ˌkɑːrbəˈrʌndəm/)이라고도 하며, 규소와 탄소를 함유하고 있는 반도체이다. 탄화규소는 자연에서 극히 희귀한 광물 모이사나이트로 생성된다. 합성 SiC 분말은 연마재로 사용할 목적으로 1893년부터 대량 생산되었다. 탄화규소 입자는 소결을 거쳐 함께 결합되어 매우 단단한 세라믹을 형성하며, 자동차 브레이크, 자동차 클러치, 방탄복, 와 같은 높은 내구성을 요구하는 응용 분야에 널리 사용되고 있다. 실리콘 카바이드의 큰 단결정은 으로 팽창할 수 있으며, 합성 모이사나이트로 알려진 보석으로 절단될 수 있다. 발광 다이오드 (LED) 및 초기 라디오의 와 같은 탄화규소의 전자 응용은 1907년경에 처음으로 시연되었다. 실리콘 카바이드는 고온이나 고전압 또는 둘 다에서 작동하는 반도체 전자 장치에 사용된다. (ko)
- Siliciumcarbide (SiC), ook bekend als carborundum, is een zeer hard materiaal. De verbinding is ontdekt in 1891 door de Amerikaanse chemicus die er op 28 februari 1893 een patent op verkreeg. (nl)
- Il carburo di silicio, chiamato talvolta impropriamente col nome commerciale carborundum, è un materiale ceramico composto da silicio e carbonio legati insieme, di formula SiC. Viene ottenuto per sintesi, ma esiste anche in natura sotto forma del rarissimo minerale moissanite. Ha una durezza molto elevata, intermedia tra il corindone e il diamante. È quindi classificato tra i materiali superduri. (it)
- Kiselkarbid, kemisk formel SiC, är en kemisk förening som tack vare sin hårdhet används som och tack vare sin eldfasthet som material i deglar och ugnar. Dopad kiselkarbid används även som halvledare inom elektronik för tillämpningar med höga spänningar, höga strömmar, höga frekvenser och höga temperaturer då den inte ger upphov till lika stora energiförluster (i form av värme) som kiselbaserad elektronik.Kiselkarbid används också inom juvelindustrin och kallas då moissanite. Ytterligare namn för kiselkarbid är carborundum eller karborundum. (sv)
- Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, в микроэлектронике (в силовых установках электроавтомобилей), для имитирующих алмаз вставок в ювелирные украшения. (ru)
- 碳化矽（英語：silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化矽在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化矽粉末被大量用作磨料。将碳化矽粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化矽颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中，在诸如发光二极管、早期的无线电探测器之类的电子器件制造中也有使用。如今碳化矽被广泛用于制造高温、高压半导体。使用Lely法能生长出大块的碳化矽单晶。人造莫桑石的宝石就是切割由Lely法制备的大块碳化矽单晶获得的。 (zh)
- Карбі́д кре́мнію, також карбору́нд — бінарна неорганічна сполука кремнію з вуглецем. (uk)
- El carbur de silici (SiC) és un material ceràmic de carbur covalent d'estequiometria 1:1 i que té una estructura semblant a la diamant. És gairebé tan dur com el diamant. Per la seva duresa, es fa servir com a abrasiu artificial, conegut amb per la marca comercial de carborúndum, així com a element calefactor en resistències, en reactors, i, com a reforç, en materials compostos. És relativament inert a l'oxidació, ja que en presència d'oxigen forma una capa protectora de SiO2. (ca)
- El carburo de silicio, también llamado carborundo, carborundio o carburindón (sic) es un carburo covalente de estequiometría 1:1 y que tiene una estructura de diamante, a pesar del diferente tamaño del C y Si, que podría impedir la misma. Debido en parte a su estructura, es casi tan duro como el diamante, alcanzando durezas en la escala de Mohs de 9 a 9,5, por lo que además se usa como material abrasivo. También es conocido como carburindón o «carborindón», palabra formada por carbo- y corindón, mineral famoso por su dureza. (es)
- 'Silikon karbida' ('SiC'), dikenal juga sebagai carborundum, adalah senyawa silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC. Ia terjadi di alam sebagai mineral yang sangat langka moissanite. Serbuk silikon karbida sintetis telah diproduksi massal sejak 1893 untuk digunakan sebagai . Butiran silikon karbida dapat disatukan dengan cara membentuk keramik yang sangat keras yang banyak digunakan pada aplikasi yang memerlukan daya tahan tinggi, seperti rem mobil, kopling mobil dan untuk rompi anti peluru. Aplikasi elektronik silikon karbida seperti untuk Light-Emitting Diode, (LED) dan dalam radio-radio awal yang pertama kali didemonstrasikan pada sekitar tahun 1907. SiC digunakan sebagai semikonduktor dalam modul elektronik yang beroperasi pada suhu tinggi dan/atau tegangan tinggi. Kristal tunggal (in)
- Silicon carbide (SiC), also known as carborundum (/ˌkɑːrbəˈrʌndəm/), is a hard chemical compound containing silicon and carbon. A semiconductor, it occurs in nature as the extremely rare mineral moissanite, but has been mass-produced as a powder and crystal since 1893 for use as an abrasive. Grains of silicon carbide can be bonded together by sintering to form very hard ceramics that are widely used in applications requiring high endurance, such as car brakes, car clutches and ceramic plates in bulletproof vests. Large single crystals of silicon carbide can be grown by the Lely method and they can be cut into gems known as synthetic moissanite. (en)
- Le carbure de silicium est un composé chimique de formule SiC. C'est une céramique ultraréfractaire ultradure semiconductrice synthétique, qu'on peut trouver dans la nature sous la forme d'un minéral très rare, la moissanite. Le carbure de silicium présente plus de 250 polymorphes, dont les principaux sont l'α-SiC (ou polytype 6H, hexagonal), le β-SiC (ou polytype 3C, de type sphalérite), et le carbure de silicium 4H. (fr)
- Węglik krzemu (karborund) – materiał ceramiczny z grupy węglików o ogólnym wzorze SiC. Występuje w naturze jako niezwykle rzadki minerał moissanit. Istnieją jego dwie odmiany krystaliczne α i β. Węglik krzemu znalazł się w obszarze zainteresowań nauki pod koniec XIX w., w związku z poszukiwaniami nowych, niedrogich materiałów ściernych. Pierwsza metoda, opatentowana przez jej wynalazcę, E. G. Achesona, polegała na reakcji krzemionki i węgla w piecu elektrycznym. Do dzisiaj jest stosowana ona w nieznacznie tylko zmodyfikowanej formie. Węglik krzemu można też otrzymywać w wyniku pirolizy . (pl)
- O Carbeto de silício (SiC, também chamado carborundum) é um composto químico de silício e carbono. É mais familiar como um composto sintético largamente usado como abrasivo, mas ocorre também na natureza na forma do mineral muito raro chamado moissanite. Grãos de carbeto de silício podem ser agregados por sinterização, formando uma cerâmica muito dura. O carbeto de silício (SiC) é um componente inorgânico formado a partir da ligação entre um átomo de silício e um átomo de carbono (12% de caráter iônico) [1] com coordenação tetraédrica e massa específica de 3,20 g/cm3. (pt)
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