This HTML5 document contains 623 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
n18https://www.pbs.org/transistor/science/info/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
n6http://lv.dbpedia.org/resource/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
n36http://bs.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
n48http://d-nb.info/gnd/
dbpedia-slhttp://sl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
n61https://www.wecanfigurethisout.org/VL/
n64https://global.dbpedia.org/id/
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
n60https://www.radio-electronics.com/info/data/semicond/fet-field-effect-transistor/
dbpedia-ethttp://et.dbpedia.org/resource/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
n20https://ljmayes.pnyhost.com/comp/
n15http://dbpedia.org/resource/File:
dbpedia-bghttp://bg.dbpedia.org/resource/
dbpedia-rohttp://ro.dbpedia.org/resource/
n11http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-behttp://be.dbpedia.org/resource/
n13https://www.youtube.com/
dbpedia-svhttp://sv.dbpedia.org/resource/
dbpedia-skhttp://sk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-dahttp://da.dbpedia.org/resource/
n35https://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
n55http://dbpedia.org/resource/List_of_acronyms:
dbpedia-trhttp://tr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
dbpedia-pthttp://pt.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kkhttp://kk.dbpedia.org/resource/
n51http://lt.dbpedia.org/resource/
n66https://www.allaboutcircuits.com/vol_4/chpt_3/
n63http://hi.dbpedia.org/resource/
n12http://mn.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
dbpedia-nlhttp://nl.dbpedia.org/resource/
dbpedia-shhttp://sh.dbpedia.org/resource/
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
dbpedia-sqhttp://sq.dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
dbphttp://dbpedia.org/property/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-vihttp://vi.dbpedia.org/resource/
n62http://bn.dbpedia.org/resource/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbpedia-idhttp://id.dbpedia.org/resource/
dbpedia-srhttp://sr.dbpedia.org/resource/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-mkhttp://mk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-cshttp://cs.dbpedia.org/resource/
n59https://web.archive.org/web/20120717015116/http:/www.analog.com/library/analogDialogue/archives/35-05/latchup/
n45http://jv.dbpedia.org/resource/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
n41http://ta.dbpedia.org/resource/
dbpedia-fihttp://fi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-plhttp://pl.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Cairo_University
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Carbon_nanotube_field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Carver_Mead
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Amplifier_figures_of_merit
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Power_electronics
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Power_law
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Quantum_Hall_effect
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Electrical_element
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Electrochemical_RAM
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Electron_mobility
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Electronic_circuit
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Electronic_component
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Electronic_mixer
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Electronic_symbol
rdfs:seeAlso
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
n55:_F
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:List_of_computing_and_IT_abbreviations
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:NMOS_logic
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:MESFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Metal–nitride–oxide–semiconductor_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Metal–semiconductor_junction
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:1925_in_science
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:1930
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:1950s
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bell_Labs
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Belle_II_experiment
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bob_Widlar
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:All-pass_filter
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Julius_Edgar_Lilienfeld
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbp:knownFor
dbr:Field-effect_transistor
dbo:knownFor
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Reliability_(semiconductor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Resistive_opto-isolator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Charge_carrier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Current_conveyor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:DC-to-DC_converter
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:DC_bias
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:DNA_field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:VMOS
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Deblina_Sarkar
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Deep_learning
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Deep_learning_processor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Depletion_and_enhancement_modes
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Depletion_region
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Double_subscript_notation
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Douglas_Keszler
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:EMI_2001
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Index_of_electrical_engineering_articles
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Indium_gallium_arsenide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Information_Age
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Insulated-gate_bipolar_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Integrated_Electronics_Piezo-Electric
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:JFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Mott_insulator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Opto-isolator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Potential_applications_of_graphene
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:November_1959
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Timeline_of_electrical_and_electronic_engineering
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:10_nm_process
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:1176_Peak_Limiter
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:14_nm_process
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Computer
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:CoolSPICE
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Chemical_field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Chemical_sensor_array
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Gate_capacitance
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Gate_dielectric
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Low-dropout_regulator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Low-noise_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:FREDFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Nanofluidic_circuitry
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Non-volatile_random-access_memory
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Sample_and_hold
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:P–n_junction
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:QFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Electrometer
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Gallium_nitride
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Molybdenum_disulfide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Control_store
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Organic_electrochemical_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Organic_field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Oskar_Heil
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Armstrong_oscillator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bernard_J._Lechner
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Lutetium_phthalocyanine
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:MOSFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:MOSFET_applications
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bob_Cavin
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Common_base
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Common_collector
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Common_drain
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Common_emitter
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Common_gate
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Common_source
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Computer_program
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Computing
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Embedded_system
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Emitter-coupled_logic
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Fe_FET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Front_end_of_line
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Fullerene_whiskers
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Fully_differential_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Hafnium_compounds
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Depletion_mode_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Ibanez_Tube_Screamer
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Gate_(FET)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Gate_electrode
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Penning_trap
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Source
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Synthetic_diamond
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Thin-film_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Transition_metal_dichalcogenide_monolayers
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Thermodynamics_of_nanostructures
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:1959
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:A-RAM
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Active_antenna
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Timeline_of_computing_1950–1979
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Titanium_trisulfide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:William_Shockley
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:knownFor
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Drain-induced_barrier_lowering
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Gallium_manganese_arsenide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Ion_implantation-induced_nanoparticle_formation
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:January_1930
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Jeremy_Burroughes
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Junctionless_nanowire_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:List_of_Arab_Americans
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Local_oxidation_nanolithography
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Surface_photovoltage
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:7400-series_integrated_circuits
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:2N7000
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:3_nm_process
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Akintunde_Akinwande
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:EPROM
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Fairchild_Semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:product
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Field-Effect_Transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Field-effect_transistors
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Field_effect_(semiconductor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Ballistic_conduction
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Ballistic_deflection_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Band_gap
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bandgap_voltage_reference
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Carbon_nanotube
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Flicker_noise
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:FlowFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Germanene
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Graphene
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:History_of_science_and_technology_in_Japan
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:History_of_the_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Drain_(FET)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Drain_(transistor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Kiana_Aran
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:List_of_Japanese_inventions_and_discoveries
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:List_of_Purdue_University_alumni
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Gate_(transistor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Logic_gate
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Marija_Drndic
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Hafnium_disulfide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Invention_of_the_integrated_circuit
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Tantalum(V)_ethoxide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Hybrid-pi_model
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Jim_Kelley_Amplifiers
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Fet_(disambiguation)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageDisambiguates
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Silicene
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Organic_electronics
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Soboleva_modified_hyperbolic_tangent
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Audio_&_Design_(Recording)_Ltd
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:AI_accelerator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:John_Bardeen
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:knownFor
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Late_modern_period
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bilayer_graphene
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bio-FET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Biointerface
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bipolar_junction_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:High-electron-mobility_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Threshold_voltage
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:XOR_gate
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Reference_designator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Donald_L._Klein
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:August_1911
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:BCDMOS
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Boron_nitride_nanotube
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:CMOS
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Polyfluorene
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Field-effect_tetrode
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Field-effect_transistor
rdf:type
owl:Thing yago:Material114580897 yago:Conductor114821043 yago:Matter100020827 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Substance100019613 yago:WikicatSemiconductors yago:Relation100031921 yago:Part113809207 yago:Abstraction100002137 yago:Semiconductor114821248
rdfs:label
ترانزستور الأثر الحقلي Fälteffekttransistor Transistor de efecto campo Transistor à effet de champ Feldeffekttransistor Field-effect transistor Transistor de efeito de campo Transistor d'efecte camp 電界効果トランジスタ Veldeffecttransistor 场效应管 Transistor efek–medan 장효과 트랜지스터 Полевой транзистор Unipolární tranzistor Польовий транзистор Tranzystor polowy Transistor a effetto di campo
rdfs:comment
Unipolární tranzistor je polovodičový prvek, používaný pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických funkcí. Označení unipolární vyjadřuje, že přenos náboje je v tomto tranzistoru uskutečňován pouze majoritními (většinovými) nosiči náboje (na rozdíl od bipolárního tranzistoru). Menšinové nosiče náboje jsou pro funkci součástky nežádoucí – jsou parazitního charakteru. Skládá se z polovodičů typu N a P, přičemž výrazně převládá jeden z nich. Transistor efek–medan (FET) adalah salah satu jenis transistor yang menggunakan medan listrik untuk mengendalikan suatu kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan semikonduktor. FET kadang-kadang disebut sebagai transistor ekakutub untuk membedakan operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya dengan operasi dua pembawa muatan pada transistor dwikutub (BJT). 场效应管(英語:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为「单极性晶体管」,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。 Польови́й транзи́стор, FET (англ. Field-effect transistor) — напівпровідниковий однополярний пристрій, переважно із трьома виводами, в якому сила струму, що протікає між двома електродами ( і ) регулюється напругою, прикладеною до третього електрода (затвора). The field-effect transistor (FET) is a type of transistor that uses an electric field to control the flow of current in a semiconductor. FETs (JFETs or MOSFETs) are devices with three terminals: source, gate, and drain. FETs control the flow of current by the application of a voltage to the gate, which in turn alters the conductivity between the drain and source. Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором. المقحل الحقلي أو ترانزستور الأثر الحقل (بالإنجليزية: Field-effect transistor)‏ اختصاراً FET، هو نبيطة (مقحل) أحادي الاتجاه يتكون من 3 عناصر رئيسية المنبع، البوابة، المصب وينتقل التيار بين المنبع والمصب (أو بين المصب والمنبع لإنه أحادي القطب) عبر قناة ذات موصلية تتغير حسب جهد البوابة الكهربائي . ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة، فإذا كانت القناة سالبة فإن (الإلكترونات هي حاملات الشحنة الأكثرية) و(الفجوات الإلكترونية هي حاملات الشحنة الأقلية) فتكون النبيطة شبه موصل سالب أما إذا كان تطعيم القناة موجبا فتصبح النبيطة شبه موصل موجب 장효과 트랜지스터 또는 전계효과 트랜지스터(field effect transistor, 약자 FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전기장에 의하여 전자 또는 양공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이다. 트랜지스터의 분류 상 바이폴라 트랜지스터와 대비되어 단극 트랜지스터(unipolar transistor)로 분류된다. 장효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되므로, 공지층에 의한 유사 교류 축전기만을 가지는 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스(gm)가 낮다는 문제가 있지만 게이트 전류가 거의 0인 장점이 있고 구조가 긴요해서 접합형 트랜지스터보다 고밀도 집적에 적절하므로 현대의 집적 회로에 주류가 되고 있으며, 논리 회로 소자의 집적 회로 외에 /전자 볼륨에도 응용된다. 극초단파이상에서는 규소보다 캐리어의 이동도가 빠른 갈륨 비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 FET가 사용되고 있다. Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Fälteffekttransistor, FET, är en speciell typ av transistor. I en fälteffekttransistor styr man mängden elektrisk ström som passerar mellan elektroderna drain och source genom att lägga en elektrisk spänning på den isolerade styret, så kallad styrspänning, och därigenom skapa ett elektriskt fält. Det elektriska fältet styr i sin tur bredden på den kanal i vilken elektronerna (eller hålen) kommer att färdas. El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor. Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares. Een veldeffecttransistor, meestal aangeduid als FET (field-effect transistor), is een unipolaire transistor met gewoonlijk drie aansluitingen: de source (S), de drain (D) en de gate (G). Bij een MOSFET is er nog een vierde aansluiting, het substraat (B van bulk), die meestal niet naar buiten uitgevoerd is, maar intern verbonden met de source. Speciale typen zoals de "dual gate"-MOSFET met twee gates, hebben extra aansluitingen. Veldeffecttransistoren komen onder meer voor in de volgende uitvoeringen: De twee meest gebruikte varianten van de FET zijn: de en de MOS-FET. Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Defektelektronen. Sie werden bei tiefen Frequenzen – im Gegensatz zu den Bipolartransistoren – weitestgehend leistungs- bzw. verlustlos geschaltet. Die am weitesten verbreitete Art des Feldeffekttransistors ist der MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor). Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny (ang. Field Effect Transistor, FET) – tranzystor, w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego. Pierwszy raz opatentowany w 1926 roku przez Juliusa Edgara Lilienfelda. In elettronica il transistor a effetto di campo, abbreviato FET, dall'inglese field-effect transistor, è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale e diffuso, in maniera minore, nell'elettronica analogica. 電界効果トランジスタ(でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET)は、半導体の内部に生じる電界によって電流を制御する方式のトランジスタである。 微細かつ平面的なものを大量に製造する技術が確立されており、集積回路に搭載されている半導体素子としては最も一般的である。一般的なスマートフォンやパーソナルコンピュータに搭載されているCPUには、1億個以上のFETが組み込まれている。 この記事では主にSiなどの無機半導体によるものについて述べる。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。 El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor de unión bipolar, de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal N y los de canal P, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.
rdfs:seeAlso
dbr:Charge_carrier dbr:Minority_carriers
foaf:depiction
n11:FET_Symbols.svg n11:Threshold_formation_nowatermark.gif n11:FET_cross_section.png n11:Lateral_mosfet.svg n11:FET_comparison.png n11:JFET_n-channel_en.svg n11:Atalla1963.png n11:Dawon_Kahng.jpg n11:Julius_Edgar_Lilienfeld_(1881-1963).jpg
dcterms:subject
dbc:Egyptian_inventions dbc:Field-effect_transistors dbc:Austrian_inventions dbc:South_Korean_inventions dbc:Arab_inventions dbc:Japanese_inventions dbc:Transistor_types dbc:Hungarian_inventions
dbo:wikiPageID
41228216
dbo:wikiPageRevisionID
1123407792
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:DNAFET dbr:Static_induction_transistor dbr:Simon_Sze dbr:Electron dbr:BioFET dbr:Surface_science dbr:Schottky_barrier dbr:Igor_Tamm dbr:Walter_Houser_Brattain dbr:Communications_technology dbr:Fairchild_Semiconductor dbr:Tunnel_field-effect_transistor dbr:Band-gap_engineering dbr:P–n_junction dbr:Dawon_Kahng dbr:Semiconductor_fabrication dbr:Organic_semiconductor dbr:Wafer_(electronics) dbr:Derating n15:FET_cross_section.png dbr:Metal–nitride–oxide–semiconductor_transistor n15:FET_Symbols.svg dbr:Mixing_board dbr:Graphene_nanoribbons dbr:Inductor dbr:High_impedance dbr:Integrated_circuit dbr:Integrated_circuit_layout dbr:Adsorption dbr:Quantum_well dbr:Smartphones dbr:AlGaAs dbr:Monocrystalline_silicon dbr:Walter_Brattain dbr:CMOS dbr:Carl_Frosch dbr:Topological_insulator dbr:Junctionless_nanowire_transistor dbr:Philo_Farnsworth dbr:Chemical_field-effect_transistor dbr:DNA_field-effect_transistor dbr:Graphene dbr:Power_MOSFET dbr:MESFET dbr:Electrical_insulation dbr:PH_electrode dbr:MOSFET dbr:Digital_electronics dbr:YouTube dbr:Depletion_region dbr:Substrate_(electronics) dbr:Low-noise_amplifier dbr:III-V_semiconductor dbr:Germanium dbr:Surface_states dbr:FET_amplifier dbc:Egyptian_inventions n15:Lateral_mosfet.svg dbr:Charge_carriers dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Electrical_resistivity_and_conductivity dbr:Sensor dbr:Electrotechnical_Laboratory dbr:Dual-gate_MOSFET dbr:John_Bardeen dbr:Thin-film_transistor dbr:Julius_Edgar_Lilienfeld dbr:Multiplexing dbr:Hitachi dbr:Germanium_monoxide dbr:Multigate_device dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Amorphous_silicon dbr:GAAFET dbr:Large_scale_integration dbr:Floating-gate_MOSFET dbr:Shockley_Semiconductor_Laboratory dbc:Field-effect_transistors dbr:Silicon dbr:FinFET dbr:Metal–oxide–semiconductor_field-effect_transistor dbr:Electron_hole dbr:HEMT dbr:Electric_current dbr:Vertical-Transport_Field-Effect_Transistor dbc:Austrian_inventions dbr:Thermal_oxidation dbr:Cascode n15:JFET_n-channel_en.svg dbr:Semiconductor_device dbr:Semiconductor_industry dbr:Ferroelectric dbr:Copper dbr:Semiconductor dbr:Mohamed_Atalla dbr:US_Patent_and_Trademark_Office dbr:MOSFET_scaling dbr:Organic_field-effect_transistor n15:Threshold_formation_nowatermark.gif dbr:JFET dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Quantum_field_effect_transistor dbr:FlowFET dbr:Chih-Tang_Sah n15:Julius_Edgar_Lilienfeld_(1881-1963).jpg dbr:Electric_motor dbr:Carbon_nanotube_field-effect_transistor dbr:Transistor dbr:Electrostatic_discharge dbr:Transmission_gate dbr:Junction_transistor dbr:Junction_field-effect_transistor dbr:Biosensor dbr:Jean_Hoerni dbr:Electric_field dbr:VHF dbr:Fe_FET dbr:Biasing_(electronics) dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Threshold_voltage dbr:Frank_Wanlass dbc:Arab_inventions dbr:NOMFET dbr:Field_effect_(semiconductor) dbr:Jun-ichi_Nishizawa dbc:South_Korean_inventions n15:FET_comparison.png dbr:Relay dbr:Hole_(semiconductor) dbr:Relaxation_(physics) dbr:Brushless_DC_electric_motor dbc:Japanese_inventions dbr:Silicon_dioxide dbc:Transistor_types dbr:Current_source dbr:J._Torkel_Wallmark dbr:Double-gate dbr:Oskar_Heil dbr:Ian_Munro_Ross dbr:Dangling_bond dbr:Insulated-gate_bipolar_transistor dbr:William_Shockley dbr:Mass-production dbr:Heinrich_Welker dbr:ISFET dbr:Non-volatile_memory dbr:Passivation_(chemistry) dbr:Body_diode dbr:Point-contact_transistor dbr:Polycrystalline_silicon dbr:Common-drain dbr:Charge_carrier dbc:Hungarian_inventions dbr:Floating_gate_MOSFET dbr:Lillian_Hoddeson dbr:FeFET dbr:Bell_Labs dbr:Digital_data dbr:Ohmic_contact dbr:Gain–bandwidth_product
dbo:wikiPageExternalLink
n13:watch%3Fv=SjeK1nkiFvI%7Cvia= n18:transmodern.html n20:vcr.html n35:AN211A.pdf n59: n60:junction-jfet-basics-tutorial.php n61:MOS_kit.htm n66:7.html
owl:sameAs
dbpedia-et:Väljatransistor n6:Lauktranzistors n12:Оронгийн_транзистор dbpedia-sr:Транзистор_са_ефектом_поља dbpedia-it:Transistor_a_effetto_di_campo dbpedia-sq:Transistori_me_efekt_të_fushës dbpedia-sv:Fälteffekttransistor dbpedia-fi:Kanavatransistori dbpedia-ko:장효과_트랜지스터 dbpedia-ru:Полевой_транзистор dbpedia-uk:Польовий_транзистор dbpedia-de:Feldeffekttransistor dbpedia-es:Transistor_de_efecto_campo dbpedia-sh:Tranzistor_sa_efektom_polja dbpedia-kk:Өрісті_транзистор wikidata:Q176097 dbpedia-ja:電界効果トランジスタ n36:Unipolarni_tranzistori dbpedia-bg:Полеви_транзистор dbpedia-nl:Veldeffecttransistor dbpedia-sk:Tranzistor_riadený_poľom dbpedia-da:Felteffekttransistor n41:மின்புல_விளைவுத்_திரிதடையம் dbpedia-ar:ترانزستور_الأثر_الحقلي dbpedia-cs:Unipolární_tranzistor dbpedia-pl:Tranzystor_polowy n45:Transistor_efek–medan dbpedia-tr:Alan_etkili_transistör dbpedia-vi:Transistor_hiệu_ứng_trường n48:4131472-4 dbpedia-fr:Transistor_à_effet_de_champ dbpedia-fa:ترانزیستور_اثر_میدان n51:Lauko_tranzistorius dbpedia-id:Transistor_efek–medan dbpedia-pt:Transistor_de_efeito_de_campo dbpedia-be:Палявы_транзістар dbpedia-mk:Транзистор_со_ефект_на_поле n62:ফিল্ড-ইফেক্ট_ট্রানজিস্টর n63:क्षेत्र_प्रभाव_ट्रांजिस्टर n64:iGdv dbpedia-sl:Tranzistor_na_poljski_pojav dbpedia-ro:Tranzistor_unipolar freebase:m.030k3 dbpedia-ca:Transistor_d'efecte_camp dbpedia-zh:场效应管
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Unreferenced_section dbt:Redirect dbt:Main dbt:Reflist dbt:Anchor dbt:Commons_category dbt:Transistor_amplifiers dbt:Short_description dbt:Electronic_component dbt:Authority_control dbt:Further dbt:Multiple_image dbt:See_also dbt:Cite_web dbt:Clarify dbt:Legend
dbo:thumbnail
n11:FET_cross_section.png?width=300
dbp:align
right
dbp:footer
Mohamed Atalla and Dawon Kahng invented the MOSFET in 1959.
dbp:image
Atalla1963.png Dawon Kahng.jpg
dbp:width
144 139
dbo:abstract
Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором. Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny (ang. Field Effect Transistor, FET) – tranzystor, w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego. Pierwszy raz opatentowany w 1926 roku przez Juliusa Edgara Lilienfelda. Transistor efek–medan (FET) adalah salah satu jenis transistor yang menggunakan medan listrik untuk mengendalikan suatu kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan semikonduktor. FET kadang-kadang disebut sebagai transistor ekakutub untuk membedakan operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya dengan operasi dua pembawa muatan pada transistor dwikutub (BJT). El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor de unión bipolar, de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal N y los de canal P, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo. Unipolární tranzistor je polovodičový prvek, používaný pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických funkcí. Označení unipolární vyjadřuje, že přenos náboje je v tomto tranzistoru uskutečňován pouze majoritními (většinovými) nosiči náboje (na rozdíl od bipolárního tranzistoru). Menšinové nosiče náboje jsou pro funkci součástky nežádoucí – jsou parazitního charakteru. Skládá se z polovodičů typu N a P, přičemž výrazně převládá jeden z nich. Pro velký vstupní odpor se těmto tranzistorům také říká tranzistory řízené elektrickým polem (FET, Field-Effect Transistors). Velký vstupní odpor je velkou výhodou unipolárních tranzistorů oproti bipolárním tranzistorům, jejichž malý vstupní odpor se nepříznivě projevuje při zesilování signálů ze zdrojů s velkým vnitřním odporem. Vstupním obvodem unipolárního tranzistoru tak neteče proud a je, podobně jako elektronka, řízen napětím. Řídící elektrodou teče buď jen malý proud ekvivalentní proudu diody v závěrném směru nebo jí neteče prakticky žádný proud. Další výhodou tohoto tranzistoru je, že v I. kvadrantu je jeho VA charakteristika téměř lineární, proto jej často používáme v analogovém režimu (nejčastěji jako zesilovač), kde způsobuje velmi malé nelineární zkreslení. Mělká konstrukční struktura umožňuje využívat unipolární tranzistor v obvodech s vysokou hustotou integrace. Velmi malý vstupní příkon umožňuje navrhnout i předchozí stupně na malý výkon a umístit je na malé ploše. Mělká struktura také umožňuje dobrý odvod ztrátového výkonu tranzistoru z čipu. Z principu funkce bipolárního tranzistoru totiž vzniká Jouleovo teplo, které není schopný miniaturní čip bipolárního tranzistoru odvést. Nevýhodou (danou právě vysokou vstupní impedancí) je možnost snadného poškození unipolárních tranzistorů statickým nábojem, zvláště při manipulaci před zapojením do obvodů. Aby se předešlo nebezpečí proražení řídící elektrody, provádí se ochrana hradla ochrannými diodami, které mohou být integrovány přímo na čipu nebo připojeny z vnějšku. Nebezpečný je zejména přeskok náboje rychlým výbojem, který ani ochranná Zenerova dioda nestačí svést. Unipolární obvody, včetně mikroprocesorových MOS obvodů je třeba transportovat v antistatických pouzdrech. El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor. Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com a resistències controlades per voltatge. La majoria dels FET estan fets usant les habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels TFTs (thin-film transistors, o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es sobre un substrat (usualment vidre, ja que la principal aplicació dels TFTs és les pantalles de cristall líquid o LCDs). 장효과 트랜지스터 또는 전계효과 트랜지스터(field effect transistor, 약자 FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전기장에 의하여 전자 또는 양공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이다. 트랜지스터의 분류 상 바이폴라 트랜지스터와 대비되어 단극 트랜지스터(unipolar transistor)로 분류된다. 장효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되므로, 공지층에 의한 유사 교류 축전기만을 가지는 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스(gm)가 낮다는 문제가 있지만 게이트 전류가 거의 0인 장점이 있고 구조가 긴요해서 접합형 트랜지스터보다 고밀도 집적에 적절하므로 현대의 집적 회로에 주류가 되고 있으며, 논리 회로 소자의 집적 회로 외에 /전자 볼륨에도 응용된다. 극초단파이상에서는 규소보다 캐리어의 이동도가 빠른 갈륨 비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 FET가 사용되고 있다. Польови́й транзи́стор, FET (англ. Field-effect transistor) — напівпровідниковий однополярний пристрій, переважно із трьома виводами, в якому сила струму, що протікає між двома електродами ( і ) регулюється напругою, прикладеною до третього електрода (затвора). Een veldeffecttransistor, meestal aangeduid als FET (field-effect transistor), is een unipolaire transistor met gewoonlijk drie aansluitingen: de source (S), de drain (D) en de gate (G). Bij een MOSFET is er nog een vierde aansluiting, het substraat (B van bulk), die meestal niet naar buiten uitgevoerd is, maar intern verbonden met de source. Speciale typen zoals de "dual gate"-MOSFET met twee gates, hebben extra aansluitingen. Een veldeffecttransistor bestaat uit een geleidingskanaal tussen de aansluitingen source (S) en drain (D), waarvan de geleiding beïnvloed kan worden door het elektrische veld van de spanning op de gate (G). De transistor heet unipolair omdat slechts één soort ladingsdrager (gaten of elektronen) deelneemt aan de stroom tussen source en drain. De spanning op de gate zorgt voor het breder worden of verdwijnen van het geleidingskanaal tussen source en drain waarmee de stroom van source naar drain te sturen is. In tegenstelling tot een 'gewone' bipolaire transistor loopt bij een FET geen stroom van betekenis door de gate zoals door de basis van een transistor. Het principe van de veldeffecttransistor was al in de jaren 20 van de 20e eeuw bekend, maar pas nadat de halfgeleidertechnologie voldoende ontwikkeld was, konden FETs seriematig gefabriceerd worden. Veldeffecttransistoren komen onder meer voor in de volgende uitvoeringen: * sperlaag-veldeffecttransistor (J-FET: Junction FET) * metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor (MOSFET: metal-oxide-semiconductor FET) * Schottky-veldeffecttransistor (MESFET) * High Electron Mobility transistor * Ion-Sensitive veldeffecttransistor (ISFET) * organische veldeffecttransistor Van alle uitvoeringen kan het geleidingskanaal bestaan uit n-gedoteerd (n-channel type) of uit p-gedoteerd (p-channel type) halfgeleidermateriaal. De twee meest gebruikte varianten van de FET zijn: de en de MOS-FET. J-FETBij het n-channel-type bevindt het geleidingskanaal zich als een n-gedoteerde zone in het p-gedoteerde materiaal van de gate. Het geleidingskanaal is dus van de gate gescheiden door een pn-overgang (junction). De pn-overgang tussen gate en kanaal is in normaal bedrijf in sperrichting geschakeld, zodat de stroom door de gate in de grootte-orde van de lekstroom van een gesperde diode is. In het p-channel-type is op de gebruikelijke wijze alles tegengesteld uitgevoerd.MOS-FETBij het n-channel-type bevindt het geleidingskanaal zich aan de oppervlakte van het p-gedoteerde substraat, vlak onder de SiO2-isolatielaag, en wordt gevormd onder invloed van de spanning op de gate tussen de als n-gedoteerde zones uitgevoerde source en drain. De gate is als elektrode op deze isolatielaag aangebracht en is dus van het geleidingskanaal geïsoleerd. De enige stroom die van/naar de gate loopt, wordt veroorzaakt door het capacitieve effect van de gate, en is in de praktijk nagenoeg te verwaarlozen. Het substraat is van het kanaal gescheiden door een pn-overgang en is daarom voor zien van een aansluiting (B: bulk) die meestal intern met de source verbonden is. Sommige FETs kennen in het gebruik geen verschil tussen de source en de drain, maar door geavanceerde constructietechnieken, bijvoorbeeld het variëren van de dikte van de p- of n-laag, is het mogelijk om een FET specifiek gevoelig te maken voor het potentiaalverschil tussen gate en source, terwijl de invloed van de spanning tussen gate en drain te verwaarlozen is. Een nadeel van de FET is de gevoeligheid voor elektrostatische lading. Doordat de gate hoogohmig is, kan een eventuele statische lading niet wegvloeien en zo een hoge spanning opbouwen op de gate. Deze hoge spanning kan de FET onherstelbaar beschadigen (ESD). In tegenstelling tot een 'gewone' bipolaire transistor, die een 'diode-effect' vertoont, waarbij de stroom slechts in één richting kan lopen en daarbij een spanningsval van meestal 0,7 volt heeft, gedraagt een FET zich als een met twee gebieden. Bij een negatieve kniespanning of lager op de gate is de FET volledig geïsoleerd. Neemt de spanning af, dan zit de FET in het actieve werkgebied. In dit werkgebied heeft de FET twee karakteristieken. Bij een lage source-drainspanning is sprake van een redelijk lineaire weerstand doordat er geen n-p- of p-n-overgang aanwezig is, maar slechts een enkele p- of n-laag. Dus de drainstroom is rechtevenredig met de drain-sourcespanning. In dit gebied worden signaal-FETs gebruikt als instelbare weerstand voor bijvoorbeeld toonregeling of volumeregeling. Maar ook vermogens-FETs als schakelaar met een doorlaatweerstand van slechts 0,02 ohm in bijvoorbeeld omvormers. Bij een hogere omslag source-drainspanning komt de FET in verzadiging en gedraagt de FET zich als een vrijwel ideale stroombron, beter dan een transistor. Hoe verder de gatespanning stijgt c.q. minder negatief wordt, hoe kleiner de weerstand en hoe hoger de stroombronstroomsterkte in hun respectievelijke gebieden. Bij een gatespanning van circa 10V boven de sourcespanning (dit alles bij een n-channel type) is de minimale weerstand resp. hoogste waarde van de sterkte van de stroombron bereikt. De gevoeligheid van de gatespanning op de drainstroom wordt transconductantie genoemd en wordt in milli- of microsiemens uitgedrukt. In dit werkgebied worden FETs in signaalversterkerschakelingen gebruikt. Er is extra aandacht nodig om FETs als signaalversterker te gebruiken, omdat ze zich slechts met compensatieschakelingen voldoende lineair gedragen. Al deze FETs hebben karakteristieke eigenschappen. In een schakeling kunnen ze niet zonder meer verwisseld worden. Zo zijn J-FETs zowel gevoelig voor de gate-drainspanning als de gate-sourcespanning. MOSFETs van het "enhancement-" of verrijkingstype isoleren of sperren als de gatespanning gelijk is aan de sourcespanning; pas met een positieve gatespanning komen deze in geleiding. Verder bestaat nog de een FET op basis van galliumarsenide in plaats van silicium. المقحل الحقلي أو ترانزستور الأثر الحقل (بالإنجليزية: Field-effect transistor)‏ اختصاراً FET، هو نبيطة (مقحل) أحادي الاتجاه يتكون من 3 عناصر رئيسية المنبع، البوابة، المصب وينتقل التيار بين المنبع والمصب (أو بين المصب والمنبع لإنه أحادي القطب) عبر قناة ذات موصلية تتغير حسب جهد البوابة الكهربائي . ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة، فإذا كانت القناة سالبة فإن (الإلكترونات هي حاملات الشحنة الأكثرية) و(الفجوات الإلكترونية هي حاملات الشحنة الأقلية) فتكون النبيطة شبه موصل سالب أما إذا كان تطعيم القناة موجبا فتصبح النبيطة شبه موصل موجب Fälteffekttransistor, FET, är en speciell typ av transistor. I en fälteffekttransistor styr man mängden elektrisk ström som passerar mellan elektroderna drain och source genom att lägga en elektrisk spänning på den isolerade styret, så kallad styrspänning, och därigenom skapa ett elektriskt fält. Det elektriska fältet styr i sin tur bredden på den kanal i vilken elektronerna (eller hålen) kommer att färdas. FET finns av flera typer. Vanligast är MOSFET av kisel (Si). Vid högre frekvenser och effekter används MESFET (metal-semiconductor FET). En annan FET är JFET (junction FET). FET har hög ingångsimpedans, speciellt i JFET. 電界効果トランジスタ(でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET)は、半導体の内部に生じる電界によって電流を制御する方式のトランジスタである。 微細かつ平面的なものを大量に製造する技術が確立されており、集積回路に搭載されている半導体素子としては最も一般的である。一般的なスマートフォンやパーソナルコンピュータに搭載されているCPUには、1億個以上のFETが組み込まれている。 この記事では主にSiなどの無機半導体によるものについて述べる。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。 Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Defektelektronen. Sie werden bei tiefen Frequenzen – im Gegensatz zu den Bipolartransistoren – weitestgehend leistungs- bzw. verlustlos geschaltet. Die am weitesten verbreitete Art des Feldeffekttransistors ist der MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor). Entdeckt wurde das Prinzip des Feldeffekttransistors im Jahr 1925 von Julius Lilienfeld. Damals war es aber noch nicht möglich, einen solchen FET auch tatsächlich herzustellen. Halbleitermaterial der notwendigen Reinheit als Ausgangsmaterial kommt in der Natur nicht vor und Methoden zur Erzeugung hochreinen Halbleitermaterials waren noch nicht bekannt. Insofern waren auch die speziellen Eigenschaften von Halbleitern noch nicht ausreichend erforscht. Erst mit der Herstellung hochreiner Halbleiterkristalle (Germanium) Anfang der 1950er-Jahre wurde dieses Problem gelöst. Aber erst durch die Silizium-Halbleitertechnologie (u. a. thermische Oxidation von Silizium) in den 1960er-Jahren konnten erste Labormuster des FET hergestellt werden. FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transistor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares. 场效应管(英語:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为「单极性晶体管」,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。 The field-effect transistor (FET) is a type of transistor that uses an electric field to control the flow of current in a semiconductor. FETs (JFETs or MOSFETs) are devices with three terminals: source, gate, and drain. FETs control the flow of current by the application of a voltage to the gate, which in turn alters the conductivity between the drain and source. FETs are also known as unipolar transistors since they involve single-carrier-type operation. That is, FETs use either electrons (n-channel) or holes (p-channel) as charge carriers in their operation, but not both. Many different types of field effect transistors exist. Field effect transistors generally display very high input impedance at low frequencies. The most widely used field-effect transistor is the MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor). Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. In elettronica il transistor a effetto di campo, abbreviato FET, dall'inglese field-effect transistor, è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale e diffuso, in maniera minore, nell'elettronica analogica. Si tratta di un substrato di materiale semiconduttore drogato, solitamente in silicio, al quale sono applicati quattro terminali: il gate, il source, il drain ed il bulk; quest'ultimo, se presente, è generalmente connesso al source e se non presente è connesso al terminale esterno del gate. Il principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo si fonda sulla possibilità di controllare la conduttività elettrica del dispositivo, e quindi la corrente elettrica che lo attraversa, mediante la formazione di un campo elettrico al suo interno. Il processo di conduzione coinvolge solo i portatori di carica maggioritari, pertanto questo tipo di transistore è detto unipolare. La diversificazione dei metodi e dei materiali usati nella realizzazione del dispositivo ha portato alla distinzione di tre principali famiglie di FET: JFET, MESFET e MOSFET. Il JFET, abbreviazione di Junction FET, è dotato di una giunzione p-n come elettrodo rettificante; il MESFET, abbreviazione di Metal Semiconductor FET, una giunzione Schottky raddrizzante metallo-semiconduttore ed il MOSFET, abbreviazione di Metal Oxide Semiconductor FET, genera il campo elettrico grazie ad una struttura metallica esterna, separata dalla giunzione da uno strato di dielettrico. Il transistor a effetto di campo è stato inventato da Julius Edgar Lilienfeld nel 1925, ma i primi dispositivi costruiti, i JFET, risalgono 1952, quando fu tecnologicamente possibile realizzarli. Il Fet più diffuso è il MOSFET, realizzato da e Martin Atalla nel 1959 presso i Bell Laboratories. Insieme al transistor a giunzione bipolare, il FET è il transistor più diffuso in elettronica: a differenza del BJT esso presenta il vantaggio di avere il terminale gate di controllo isolato, nel quale non passa alcuna corrente
gold:hypernym
dbr:Transistor
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Field-effect_transistor?oldid=1123407792&ns=0
dbo:wikiPageLength
49726
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Fin_field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Thuc-Quyen_Nguyen
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:FET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:FET_(transistor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:IC_power-supply_pin
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:IQE
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Ian_Munro_Ross
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Indium_antimonide
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Microwave
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Middle_Eastern_Americans
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Operational_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Cascode
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Channel_(semiconductor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Body_(transistor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:MIS_capacitor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Royer_oscillator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Silicon_on_insulator
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Static_induction_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Saturation_velocity
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Semiconductor_device
rdfs:seeAlso
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Silicon
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Single-electron_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Unipolar_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Voltage-controlled_resistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Small-signal_model
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Trancitor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Urbach_energy
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Extended_metal_atom_chains
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Extrinsic_semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:FET_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:ISFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Lydia_Sohn
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Transistor_array
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:True_RMS_converter
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Transistor_channel
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Flash_ADC
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:NASA_Electric_Aircraft_Testbed
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:NOMFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Nanosensor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Natalia_Shustova
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:ToFeT
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Molecular_scale_electronics
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Multigate_device
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Multistage_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Piezotronics
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Philco_computers
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Transimpedance_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:TO-92
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Voltmeter
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:SGPIO
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Subthreshold_slope
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Synaptic_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Velocity_overshoot
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Unipolar_transistors
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Tactile_sensor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Two-dimensional_semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Thyristor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Supratik_Guha
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Switching_control_techniques
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Source_(FET)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Source_(transistor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:P-channel
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Channel_(transistor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Channel_(transistors)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Fast-recovery_epitaxial_diode_field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Fast-reverse_epitaxial_diode_field-effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Field_Effect_Transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Field_effect_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Field_effect_transistors
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:N-channel
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Bulk_(transistor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Depletion-mode_transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Depletion_Mode_Transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
dbr:Substrate_(transistor)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Field-effect_transistor
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Field-effect_transistor
Subject Item
wikipedia-en:Field-effect_transistor
foaf:primaryTopic
dbr:Field-effect_transistor