dbo:abstract
|
- A carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) is a field-effect transistor that utilizes a single carbon nanotube or an array of carbon nanotubes as the channel material instead of bulk silicon in the traditional MOSFET structure. First demonstrated in 1998, there have been major developments in CNTFETs since. (en)
- Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor (englisch carbon nanotube field-effect transistor, CNTFET) ist ein Transistor, der in der Halbleiterstruktur Kohlenstoffnanoröhren (CNT) verwendet. Er findet vor allem Anwendung in der Gruppe der Feldeffekttransistoren (FET). Bei dieser wird eine einzelne Kohlenstoffnanoröhre oder ein Feld dieser als Kanal oder Gate verwendet, um das Problem der Skalierbarkeit von Silizium zu übergehen. Die CNTFETs sind kleiner als die derzeit (2020) in der Mikroelektronik üblichen Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren auf Basis von Silizium und gelten als eines der Bauelemente, die diese in den kommenden Jahren oder Jahrzehnten ersetzen könnten. Neben der Größe sind die höhere elektrische Leitfähigkeit der CNTs und die damit zusammenhängenden höheren erreichbaren Schalt- und Transitfrequenzen ein wesentlicher Vorteil dieser Technik. Große Probleme bereitet derzeit noch die gezielte Herstellung der einzelnen Transistoren. (de)
- Un CNFET (Carbon Nanotube Field Effect Transistor) est un dispositif électronique de commutation de type transistor à effet de champ, utilisant des nanotubes de carbone. Le nanotube de type semi-conducteur est utilisé en tant que canal, à travers lequel les électrons peuvent circuler d’une manière contrôlée, selon que l’on applique ou non, une différence de potentiel sur une troisième électrode. (fr)
|
dbo:thumbnail
| |
dbo:wikiPageID
| |
dbo:wikiPageLength
|
- 37001 (xsd:nonNegativeInteger)
|
dbo:wikiPageRevisionID
| |
dbo:wikiPageWikiLink
| |
dbp:alt
|
- Side view (en)
- Top view (en)
|
dbp:caption
|
- Side view (en)
- Top view (en)
- Gate all-around CNT Device (en)
- Sheathed CNT (en)
|
dbp:footer
|
- Top and side view of a silicon back-gated CNTFET. The CNTFET consists of carbon nanotubes deposited on a silicon oxide substrate pre-patterned with chromium/gold source and drain contacts. (en)
|
dbp:image
|
- CNT Sheathed.jpg (en)
- CNT-FET_diagram_side.jpg (en)
- CNT-FET_diagram_top.jpg (en)
- WraparoundCNTFET.jpg (en)
|
dbp:infocom
| |
dbp:topics
| |
dbp:width
|
- 175 (xsd:integer)
- 200 (xsd:integer)
|
dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
dcterms:subject
| |
rdf:type
| |
rdfs:comment
|
- A carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) is a field-effect transistor that utilizes a single carbon nanotube or an array of carbon nanotubes as the channel material instead of bulk silicon in the traditional MOSFET structure. First demonstrated in 1998, there have been major developments in CNTFETs since. (en)
- Un CNFET (Carbon Nanotube Field Effect Transistor) est un dispositif électronique de commutation de type transistor à effet de champ, utilisant des nanotubes de carbone. Le nanotube de type semi-conducteur est utilisé en tant que canal, à travers lequel les électrons peuvent circuler d’une manière contrôlée, selon que l’on applique ou non, une différence de potentiel sur une troisième électrode. (fr)
- Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor (englisch carbon nanotube field-effect transistor, CNTFET) ist ein Transistor, der in der Halbleiterstruktur Kohlenstoffnanoröhren (CNT) verwendet. Er findet vor allem Anwendung in der Gruppe der Feldeffekttransistoren (FET). Bei dieser wird eine einzelne Kohlenstoffnanoröhre oder ein Feld dieser als Kanal oder Gate verwendet, um das Problem der Skalierbarkeit von Silizium zu übergehen. (de)
|
rdfs:label
|
- Transistor d'efecte de camp de nanotub de carboni (ca)
- Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor (de)
- Carbon nanotube field-effect transistor (en)
- Carbon Nanotube Field Effect Transistor (fr)
|
owl:sameAs
| |
prov:wasDerivedFrom
| |
foaf:depiction
| |
foaf:isPrimaryTopicOf
| |
is dbo:wikiPageRedirects
of | |
is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
is foaf:primaryTopic
of | |