| dbo:abstract
|
- Simon Min Sze (chinesisch 施敏, Pinyin Shī Mĭn; * 21. März 1936 in Nanking, China) ist ein taiwanesischer Elektroingenieur und Autor bzw. Co-Autor mehrerer bekannter Standardwerke im Bereich der Halbleitertechnik, Mikroelektronik und Halbleiterphysik. (de)
- Simon Min Sze, or Shi Min (Chinese: 施敏; pinyin: Shī Mǐn; born 1936), is a Chinese-American electrical engineer. He is best known for inventing the floating-gate MOSFET with Korean electrical engineer Dawon Kahng in 1967. (en)
- サイモン・ミン・ジィー（Simon Min Sze、施敏、1936年 -）は、中国系アメリカ人の電気工学者。1967年にDawon Kahngとともに浮遊ゲートMOSFETを発明したことで最も有名。 (ja)
- Simon Min Sze (Taiwan, 21 marzo 1936) è un ingegnere elettrico taiwanese. Dopo essersi laureato all'Università Nazionale di Taiwan nel 1957, ha ottenuto un master dall'Università di Washington nel 1960 e un dottorato alla Stanford University nel 1963. Ha lavorato per i Bell Labs fino al 1990, anno in cui è tornato a Taiwan ed è entrato nella facoltà dell'NCTU. Sze è noto per il suo lavoro nella fisica e tecnologia dei semiconduttori, incluso la sua scoperta con del floating-gate transistor, ora ampiamente utilizzato nei dispositivi di memoria non volatile a semiconduttore. Ha scritto e prodotto molti libri tra cui Fisica dei Dispositivi a Semiconduttore, uno dei testi più usati in questo campo. Sze ha ricevuto il nel 1991 per il suo lavoro nei dispositivi elettronici. (it)
- Ши Минь (кит. трад. 施敏, пиньинь Shī Mĭn, родился 21 мая 1936), известный в США как Саймон Ши (англ. Simon Sze) — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников (1969, русское издание — 1984), в русском издании которого его фамилия была ошибочно протранскрибирована как «Зи». Ши Минь родился в Нанкине и вырос на Тайване. Получив в 1957 году диплом бакалавра Национального университета Тайваня, Ши уехал в США и обучался физике в Вашингтонском университете (магистр, 1960) и Стэнфорде (доктор, 1963). Ши проработал почти тридцать лет на Bell Labs, а в 1990 году вернулся на Тайвань и возглавил кафедру Национального Университета Цзяо Тун (NCTU). Научные работы Ши 1960-х и 1970-х годов посвящены вопросам прикладной физики полупроводников — явлению лавинного пробоя, явлениям на границе раздела металл-полупроводник, микроволновым и оптоэлектронным устройствам. В 1967 году Ши Минь и Кан Дэвон предложили концепцию полевого транзистора с плавающим затвором — элементарной ячейки энергонезависимой памяти. Первая практическая реализация идей Ши и Кана, EPROM, была запатентована в 1971 году. В 1978 году последовали основанные на том же принципе EEPROM и флеш-память, в 1997 году — первые прецизионные микросхемы аналоговой памяти на плавающих затворах. В 1969 году Ши выпустил первое английское издание обзорной монографии «Физика полупроводниковых приборов» (англ. Physics of Semiconductor Devices), впоследствии неоднократно переиздававшейся на шести языках. По данным ISI Press, книга Ши — самая цитируемая работа в своей области. В 1986—1990 годах Ши возглавлял редколлегию IEEE Electron Device Letters. Ши — лауреат 1991 года «за фундаментальный, новаторский вклад [в прикладную науку] и как автору широко используемых учебников и справочников по электронным приборам». (ru)
- 施敏（英語：Simon Sze，1936年3月21日－），臺灣知名半導體學者，中央研究院院士，曾任職於美國貝爾實驗室與新竹國立交通大學電子工程系教授，現任國立陽明交通大學與國立臺灣科技大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他與發明並實作了第一個非揮發性記憶體（non-volatile semiconductor memory，NVSM）。電機電子工程師學會（IEEE）會士、尊榮會員。 (zh)
- Доктор Симон Мін Зі (англ. Simon Min Sze; кит. 施敏; нар. 1932) — представник інженерної радіотехнічної науки США. Після закінчення Тайванського національного університету в 1957, він отримав ступінь магістра в Вашингтонському університеті в 1960 а потім доктарантуру в Стендфордському університеті в 1963. Він працював у Bell Labs до 1990, після чого він повернувся до Тайваню і приєднався до факультету NCTU. Він відомий своїми роботами в фізиці напівпровідників та в прикладних технологіях, включаючи винахід разом з транзистора з плавним затвором, сьогодні широко використовуваний у комірках пам'яті. Він написав і видав багато книг, включаючи Physics of Semiconductor Devices, одна із найбільш цитованих монографій у галузі напівпровідникових приладів. Зі отримав нагороду the в 1991 за свій вклад у напівпровідникове приладобудування (uk)
|
| rdfs:comment
|
- Simon Min Sze (chinesisch 施敏, Pinyin Shī Mĭn; * 21. März 1936 in Nanking, China) ist ein taiwanesischer Elektroingenieur und Autor bzw. Co-Autor mehrerer bekannter Standardwerke im Bereich der Halbleitertechnik, Mikroelektronik und Halbleiterphysik. (de)
- Simon Min Sze, or Shi Min (Chinese: 施敏; pinyin: Shī Mǐn; born 1936), is a Chinese-American electrical engineer. He is best known for inventing the floating-gate MOSFET with Korean electrical engineer Dawon Kahng in 1967. (en)
- サイモン・ミン・ジィー（Simon Min Sze、施敏、1936年 -）は、中国系アメリカ人の電気工学者。1967年にDawon Kahngとともに浮遊ゲートMOSFETを発明したことで最も有名。 (ja)
- Simon Min Sze (Taiwan, 21 marzo 1936) è un ingegnere elettrico taiwanese. Dopo essersi laureato all'Università Nazionale di Taiwan nel 1957, ha ottenuto un master dall'Università di Washington nel 1960 e un dottorato alla Stanford University nel 1963. Ha lavorato per i Bell Labs fino al 1990, anno in cui è tornato a Taiwan ed è entrato nella facoltà dell'NCTU. Sze è noto per il suo lavoro nella fisica e tecnologia dei semiconduttori, incluso la sua scoperta con del floating-gate transistor, ora ampiamente utilizzato nei dispositivi di memoria non volatile a semiconduttore. Ha scritto e prodotto molti libri tra cui Fisica dei Dispositivi a Semiconduttore, uno dei testi più usati in questo campo. Sze ha ricevuto il nel 1991 per il suo lavoro nei dispositivi elettronici. (it)
- 施敏（英語：Simon Sze，1936年3月21日－），臺灣知名半導體學者，中央研究院院士，曾任職於美國貝爾實驗室與新竹國立交通大學電子工程系教授，現任國立陽明交通大學與國立臺灣科技大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他與發明並實作了第一個非揮發性記憶體（non-volatile semiconductor memory，NVSM）。電機電子工程師學會（IEEE）會士、尊榮會員。 (zh)
- Ши Минь (кит. трад. 施敏, пиньинь Shī Mĭn, родился 21 мая 1936), известный в США как Саймон Ши (англ. Simon Sze) — китайский физик, изобретатель энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающими затвороми (1967), автор классического учебника по физике полупроводников (1969, русское издание — 1984), в русском издании которого его фамилия была ошибочно протранскрибирована как «Зи». (ru)
- Доктор Симон Мін Зі (англ. Simon Min Sze; кит. 施敏; нар. 1932) — представник інженерної радіотехнічної науки США. Після закінчення Тайванського національного університету в 1957, він отримав ступінь магістра в Вашингтонському університеті в 1960 а потім доктарантуру в Стендфордському університеті в 1963. Він працював у Bell Labs до 1990, після чого він повернувся до Тайваню і приєднався до факультету NCTU. Він відомий своїми роботами в фізиці напівпровідників та в прикладних технологіях, включаючи винахід разом з транзистора з плавним затвором, сьогодні широко використовуваний у комірках пам'яті. Він написав і видав багато книг, включаючи Physics of Semiconductor Devices, одна із найбільш цитованих монографій у галузі напівпровідникових приладів. Зі отримав нагороду the в 1991 за свій вкл (uk)
|
