An Entity of Type: Content105809192, from Named Graph: http://dbpedia.org, within Data Space: dbpedia.org

Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat. El procés convencional és una capa de silici com a substrat. Amb la tecnologia SOI s'aconsegueix reduir les capacitat paràsites. La capa aïllant està formada per diòxid de silici o safir depenent de les prestacions requerides, safir s'utilitza en aplicacions de ràdiofreqüència.

Property Value
dbo:abstract
  • Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat. El procés convencional és una capa de silici com a substrat. Amb la tecnologia SOI s'aconsegueix reduir les capacitat paràsites. La capa aïllant està formada per diòxid de silici o safir depenent de les prestacions requerides, safir s'utilitza en aplicacions de ràdiofreqüència. (ca)
  • Silizioa isolatzailearen gainean (ingelesez: Silicon on insulator edo SOI) mikroelektronikan erdieroaleak fabrikatzeko erabiltzen den teknologietako bat da. Geruzaz antolatutako silizio–isolatzaile–silizio substratuen erabileran datza, era horretan gailuaren murrizteko eta ondorioz, gailuaren funtzionamendua hobetzeko. SOI teknologian oinarritutako gailuetan, ohiko silizio substratudun gailuetan ez bezala, siliziozko juntura isolatzaile elektrikoaren gainean dago. Silizio dioxidoa eta zafiroa dira isolatzaile elektrikorik erabilienak. Zafiroa isolatzaile elektrikotzat duen gailu-teknologiari (ingelesez: Silicon on sapphire edo SOS) deritzo. Isolatzaile elektrikoaren materiala zirkuituaren erabileraren arabera aukeratzen da. Zafiroa errendimendu handiko (RF) eta erradiazioarekiko sentikorrak diren zirkuituetan erabiltzen da. Silizio dioxidoa, berriz, mikroelektronikako gailuetan gutxiagotzeko erabiltzen da. (eu)
  • Le silicium sur isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d'un empilement d'une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d'épaisseur) sur une couche d'isolant. Cet isolant peut être du saphir (Silicon-On-Sapphire), de l'air (Silicon-On-Nothing) ou du dioxyde de silicium (SiO2). Cette technologie est une alternative prometteuse au silicium brut dans la réalisation de transistors opérant à de hautes fréquences. En effet, malgré son coût de développement supérieur de 10 % par rapport aux technologies classiques sur substrat massif, le gain en performance est évalué entre 20 et 35 %. Les fréquences de coupure sont supérieures à 150 GHz pour la technologie 130 nm. Avec l'utilisation de substrats fortement résistifs, les pertes sont diminuées et les performances accrues notamment au niveau du bruit micro-onde. Ainsi, les performances fréquentielles des dispositifs fabriqués sur des technologies silicium sont à revoir à la hausse. Il est généralement admis que la technologie SOI permet de gagner une génération de puce. La technologie SOI compte plusieurs procédés industriels qui ont été développés pour réaliser un film de silicium sur une couche isolante. Le plus ancien est le SOS ou Silicon-On-Sapphire. Depuis les années 1980, d'autres techniques ont été mises au point et sont devenues des standards industriels. Les deux principaux procédés sont le et le [réf. nécessaire]. dont une technique dérivée est la technologie de la société Soitec. Ces dernières techniques de fabrication dominent actuellement le marché du SOI, notamment la technique Smart Cut qui représente environ 90 % de la production actuelle de SOI. (fr)
  • Silicio sobre aislante (SOI, silicon on insulator) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de silicio monocristalino, por un sándwich de capas de semiconductor, aislante y semiconductor. Esta técnica reduce las capacidades parásitas de los circuitos fabricados, reduce el riesgo de enclavamiento en los circuitos lógicos CMOS, y mejora la escalabilidad de los circuitos integrados. El aislante empleado suele ser típicamente dióxido de silicio o, en aplicaciones en las que se busca resistencia frente a la radiación, zafiro. Las láminas de semiconductor suelen ser de silicio, aunque se buscan nuevas alternativas para mejorar las prestaciones de los dispositivos introduciendo nuevos materiales semiconductores como silicio tenso y aleaciones de silicio/germanio. Dependiendo del espesor de la lámina de silicio sobre el aislante se distinguen dos tipos de tecnología SOI. Si la lámina de silicio tiene una ausencia total de portadores móviles (electrones o huecos) se habla de FD-SOI (SOI totalmente descargado); si cuenta con una presencia parcial de portadores móviles será PD-SOI (SOI parcialmente descargada). La tecnología FD-SOI es muy prometedora para la miniaturización de los dispositivos electrónicos, mientras que la PD-SOI muestra sus ventajas en la fabricación de transistores que deban operar a altas frecuencias (como en microprocesadores) así como en la fabricación de memorias de un solo transistor (1T-DRAM). El uso de SOI tiene la ventaja de no requerir apenas cambios en el proceso de fabricación de los circuitos integrados más allá de utilizar obleas SOI distintas de las tradicionales. Su principal inconveniente es el coste: las obleas SOI son significativamente más caras que las ordinarias. (es)
  • SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。 従来の集積回路上のMOSFETは、素子間分離をPN接合の逆バイアスによって形成するが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、信号の遅延やサブストレートへのリーク電流が発生していた。この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIである。また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン(バルクウエハ)と呼ばれる場合がある。 浮遊容量はCMOSのMOSFETに対して、スイッチング時の遅延/電流を増加させる要因であるため、浮遊容量の低減は高速度化/低消費電力化の両方の面で有利になる。 また2次元的な素子間分離にもpn接合の逆方向バイアスによるものではなく、素子下の絶縁膜と結合させた絶縁材を形成することで、完全に分離されたMOSFETを構成できるようにしている。この場合、寄生ダイオードによって意図せず生成されるバイポーラトランジスタを抑制することができ、素子間の浮遊容量/リーク電流を低減することができる。また素子間分離のためのウェルも小さくできるため、PMOS-NMOS間の距離を小さくでき、配置密度を高めることができる。 SOIウエハの製造法は、SIMOX(Separation by IMplantation of OXygen)方式と張り合わせ方式の2種類がある。SIMOX方式はIBMが中心となって開発した技術で、酸素分子をイオン注入によりシリコン結晶表面から埋め込み、それを高熱で酸化させることでシリコン結晶中に酸化シリコンの絶縁膜を形成する。現在ではSIMOX方式よりさらに表面特性の優れたSmartCut方式が主流になっている。これは、バルクウエハの表面に酸化膜を形成したのちもう一枚の加工されていないバルクウエハと表面同士で貼り合わせ、先のウエハを剥離して作成するものである。剥離厚は酸化膜より深部に事前に注入された水素イオンの表面からの距離によって制御され、剥離面は化学機械研磨(CMP)により表面仕上げされる。SOIウエハの製造コストは、バルクシリコンのウエハに比べ工程が増えるためその分高価になる。 (ja)
  • La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro. Questa tecnica riduce le , riduce il rischio di nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati. (it)
  • W skrócie SOI (z ang. krzem na izolatorze) - czyli podłoże półprzewodnikowe które jest zbudowane z warstwy krzemu na warstwie dielektryka. Podłoża tego typu charakteryzują się między innymi: * niższą pojemnością pasożytniczą; * odporność na tzw. latch-up dzięki całkowitej izolacji struktur typu p i n. Lath-up to rodzaj zwarcia występujący w układach scalonych kiedy między kontaktami tranzystora pojawia się obszar o obniżonej rezystancji. * wysoka wydajność * zmniejszona zależność działania od temperatury (brak domieszkowania) * lepszy wydajność dzięki większemu upakowaniu (lepsze wykorzystanie podłoża) * możliwość znacznego podwyższenia częstotliwości pracy układu elektronicznego * mniejsza podatność na promieniowanie w przeciwieństwie do układów opartych np. o konstrukcję CMOS * obniżenie poboru mocy przy jednoczesnym zachowaniu obecnego procesu technologicznego * fabryki chcące skorzystać z SOI nie muszą dokonywać znaczącej wymiany wykorzystywanych narzędzi wytwarzania własnej mikroelektroniki. Wadą SOI są koszty zwiększone nawet do około 20% w związku ze zwiększonymi wymogami dotyczącymi substratów. Technologia została opatentowana przez International Business Machine (IBM) oraz . Zwykle podłoża tego typu to podłoża krzemowe z warstwą izolacyjnego tlenku krzemu(IV) i krzemu na wierzchu. Jedną z metod wytwarzania tego typu podłoży jest implantacja monokrystalicznych podłoży krzemowych tlenem tylko na określonej głębokości. Kolejnym etapem jest wygrzewanie, w wyniku którego warstwa o zwiększonej zawartości tlenu przekształca się w warstwę tlenku krzemu. W ten sposób wierzchnia warstwa krzemu zostaje odizolowana od podłoża. Ta metoda jest wykorzystywana między innymi przez AMD do budowy układów o wymiarze charakterystycznym tranzystora 180 nm, 130 nm, 90 nm, 65 nm oraz 45 nm. Wśród innych metod wytwarzania podłoży SOI można także wymienić metodę gdzie powierzchnia krzemu jest utleniana. Następnie podłoże implantuje się wodorem i bonduje do drugiego podłoża. W odpowiednich warunkach zaimplantowany wodór tworzy w krzemie pęcherze gazu powodując jego kontrolowane pękania (tzw. smart cut). SOI nie jest nowością. To ulepszona metoda SOS (Silicon on Sapphire)Rozwinięciem Silicon on Insulator jest , czyli Strained SOI - technologia wykorzystująca warstwy rozciąganego krzemu (do ok. 1%). Obecnie wykorzystywana przez wiodących producentów procesorów stosowanych w komputerach osobistych. (pl)
  • Silicon-on-insulator en vaak afgekort tot SOI is binnen de halfgeleider fabricage de methode waarmee de silicium schakeling gemaakt wordt in de toplaag van een drie-lagen plak (silicium-isolator-silicium). Het doel om voor de SOI-technologie te kiezen is onder andere om de parasitaire capaciteit binnen het device te verkleinen, ten opzichte van het device gemaakt in bulk-silicium. De SOI schakelingen verschillen van de Bulksilicium schakelingen in het feit dat dan de silicium-junctie zich boven een electrische isolator bevindt, meestal: siliciumdioxide of saffier, en niet boven de silicium-bulk. De keuze van het type isolator, siliciumdioxide of saffier, hangt voornamelijk af van de beoogde toepassing. Saffier wordt gebruikt voor high-performance radiofrekwente toepassingen en voor stralingsgevoelige toepassingen, terwijl siliciumdioxide voor vele andere micro-elektronica schakelingen gebruikt wordt. Bij gebruik van saffier als isolator wordt de technologie (SOS) genoemd. (nl)
  • Silicon on insulator, SOI är en tillverkningsmetod för halvledare. Resultatet är ett chip i flera lager med omväxlande halvledande kisel och isolerande material. Detta används för att minska parasiterande kapacitans. Det isolerande materialet är oftast kiseldioxid eller safir. Denna elektronikrelaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
  • Кре́мній на ізоля́торі (КНІ) (англ. Silicon on insulator, SOI) - технологія виготовлення напівпровідникових приладів, заснована на використанні тришарової підкладки зі структурою кремній-діелектрик-кремній замість звичайно застосовуваних монолітних кремнієвих пластин. Дана технологія дозволяє домогтися істотного підвищення швидкодії мікроелектронних схем при одночасному зниженні споживаної потужності і габаритних розмірів. Так, наприклад, максимальна частота перемикання транзисторів, виконаних по технологічному процесу 130 нм, може досягати 200 ГГц. У перспективі, при переході до технологічних процесів з меншим розміром активних елементів (вже існуючого 22 нм, або тільки розроблюваного зараз 10 нм), можливо ще більше підвищення цього показника. Крім власне найменування технології, термін «кремній на ізоляторі» також часто вживається як назва поверхневого шару кремнію в КНІ-структурі. (uk)
  • SOI全名為Silicon On Insulator,是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思,原理就是在矽電晶體之間,加入絕緣體物質,可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈,並減少電流成為省電的IC,在製程上還可以省略部分光罩以節省成本,因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外,在SOI晶圓(SOI wafer)本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現,因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整,達到射頻元件(Radio frequency component、RF component)特性的提升。原本應通過交換器的電子,有些會鑽入矽中造成浪費;SOI可防止電子流失,與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托罗拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%,並減低耗電30%。除此之外,還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點,可以說是很多超頻玩家所感興趣的,那就是它的工作溫度可高達300°C,減少過熱的問題。 SOI一開始是由美商IBM公司的晶片部門投入開發,最早用於Macintosh電腦(MAC)的PowerPC G4處理器,除了IBM外,還有Motorola、德州儀器(TI)、NEC等公司投入SOI技術的開發工作,但是Intel公司拒絕在其處理器產品中使用SOI技術,因為其認為SOI技術容易影響晶圓品質與減低電晶體交換速度,並且SOI上接合點也會減少,也就是一般製程中「」的缺點所煩惱。 SOI行业联盟是負責推廣SOI技術,成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司,例如AMD和NVIDIA,而Intel並未加入該組織。 (zh)
  • Кремний на изоляторе (КНИ, англ. Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов (Ft), выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц. В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов (уже существующему 22 нм, или только разрабатываемому сейчас[когда?] 10 нм), возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме собственно наименования технологии, термин «кремний на изоляторе» также часто употребляется в качестве названия поверхностного слоя кремния в КНИ-структуре. (ru)
  • Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat. El procés convencional és una capa de silici com a substrat. Amb la tecnologia SOI s'aconsegueix reduir les capacitat paràsites. La capa aïllant està formada per diòxid de silici o safir depenent de les prestacions requerides, safir s'utilitza en aplicacions de ràdiofreqüència. (ca)
  • Silizioa isolatzailearen gainean (ingelesez: Silicon on insulator edo SOI) mikroelektronikan erdieroaleak fabrikatzeko erabiltzen den teknologietako bat da. Geruzaz antolatutako silizio–isolatzaile–silizio substratuen erabileran datza, era horretan gailuaren murrizteko eta ondorioz, gailuaren funtzionamendua hobetzeko. SOI teknologian oinarritutako gailuetan, ohiko silizio substratudun gailuetan ez bezala, siliziozko juntura isolatzaile elektrikoaren gainean dago. Silizio dioxidoa eta zafiroa dira isolatzaile elektrikorik erabilienak. Zafiroa isolatzaile elektrikotzat duen gailu-teknologiari (ingelesez: Silicon on sapphire edo SOS) deritzo. Isolatzaile elektrikoaren materiala zirkuituaren erabileraren arabera aukeratzen da. Zafiroa errendimendu handiko (RF) eta erradiazioarekiko sentikorrak diren zirkuituetan erabiltzen da. Silizio dioxidoa, berriz, mikroelektronikako gailuetan gutxiagotzeko erabiltzen da. (eu)
  • Le silicium sur isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d'un empilement d'une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d'épaisseur) sur une couche d'isolant. Cet isolant peut être du saphir (Silicon-On-Sapphire), de l'air (Silicon-On-Nothing) ou du dioxyde de silicium (SiO2). Cette technologie est une alternative prometteuse au silicium brut dans la réalisation de transistors opérant à de hautes fréquences. En effet, malgré son coût de développement supérieur de 10 % par rapport aux technologies classiques sur substrat massif, le gain en performance est évalué entre 20 et 35 %. Les fréquences de coupure sont supérieures à 150 GHz pour la technologie 130 nm. Avec l'utilisation de substrats fortement résistifs, les pertes sont diminuées et les performances accrues notamment au niveau du bruit micro-onde. Ainsi, les performances fréquentielles des dispositifs fabriqués sur des technologies silicium sont à revoir à la hausse. Il est généralement admis que la technologie SOI permet de gagner une génération de puce. La technologie SOI compte plusieurs procédés industriels qui ont été développés pour réaliser un film de silicium sur une couche isolante. Le plus ancien est le SOS ou Silicon-On-Sapphire. Depuis les années 1980, d'autres techniques ont été mises au point et sont devenues des standards industriels. Les deux principaux procédés sont le et le [réf. nécessaire]. dont une technique dérivée est la technologie de la société Soitec. Ces dernières techniques de fabrication dominent actuellement le marché du SOI, notamment la technique Smart Cut qui représente environ 90 % de la production actuelle de SOI. (fr)
  • Silicio sobre aislante (SOI, silicon on insulator) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de silicio monocristalino, por un sándwich de capas de semiconductor, aislante y semiconductor. Esta técnica reduce las capacidades parásitas de los circuitos fabricados, reduce el riesgo de enclavamiento en los circuitos lógicos CMOS, y mejora la escalabilidad de los circuitos integrados. El aislante empleado suele ser típicamente dióxido de silicio o, en aplicaciones en las que se busca resistencia frente a la radiación, zafiro. Las láminas de semiconductor suelen ser de silicio, aunque se buscan nuevas alternativas para mejorar las prestaciones de los dispositivos introduciendo nuevos materiales semiconductores como silicio tenso y aleaciones de silicio/germanio. Dependiendo del espesor de la lámina de silicio sobre el aislante se distinguen dos tipos de tecnología SOI. Si la lámina de silicio tiene una ausencia total de portadores móviles (electrones o huecos) se habla de FD-SOI (SOI totalmente descargado); si cuenta con una presencia parcial de portadores móviles será PD-SOI (SOI parcialmente descargada). La tecnología FD-SOI es muy prometedora para la miniaturización de los dispositivos electrónicos, mientras que la PD-SOI muestra sus ventajas en la fabricación de transistores que deban operar a altas frecuencias (como en microprocesadores) así como en la fabricación de memorias de un solo transistor (1T-DRAM). El uso de SOI tiene la ventaja de no requerir apenas cambios en el proceso de fabricación de los circuitos integrados más allá de utilizar obleas SOI distintas de las tradicionales. Su principal inconveniente es el coste: las obleas SOI son significativamente más caras que las ordinarias. (es)
  • SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。 従来の集積回路上のMOSFETは、素子間分離をPN接合の逆バイアスによって形成するが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、信号の遅延やサブストレートへのリーク電流が発生していた。この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIである。また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン(バルクウエハ)と呼ばれる場合がある。 浮遊容量はCMOSのMOSFETに対して、スイッチング時の遅延/電流を増加させる要因であるため、浮遊容量の低減は高速度化/低消費電力化の両方の面で有利になる。 また2次元的な素子間分離にもpn接合の逆方向バイアスによるものではなく、素子下の絶縁膜と結合させた絶縁材を形成することで、完全に分離されたMOSFETを構成できるようにしている。この場合、寄生ダイオードによって意図せず生成されるバイポーラトランジスタを抑制することができ、素子間の浮遊容量/リーク電流を低減することができる。また素子間分離のためのウェルも小さくできるため、PMOS-NMOS間の距離を小さくでき、配置密度を高めることができる。 SOIウエハの製造法は、SIMOX(Separation by IMplantation of OXygen)方式と張り合わせ方式の2種類がある。SIMOX方式はIBMが中心となって開発した技術で、酸素分子をイオン注入によりシリコン結晶表面から埋め込み、それを高熱で酸化させることでシリコン結晶中に酸化シリコンの絶縁膜を形成する。現在ではSIMOX方式よりさらに表面特性の優れたSmartCut方式が主流になっている。これは、バルクウエハの表面に酸化膜を形成したのちもう一枚の加工されていないバルクウエハと表面同士で貼り合わせ、先のウエハを剥離して作成するものである。剥離厚は酸化膜より深部に事前に注入された水素イオンの表面からの距離によって制御され、剥離面は化学機械研磨(CMP)により表面仕上げされる。SOIウエハの製造コストは、バルクシリコンのウエハに比べ工程が増えるためその分高価になる。 (ja)
  • La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro. Questa tecnica riduce le , riduce il rischio di nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati. (it)
  • W skrócie SOI (z ang. krzem na izolatorze) - czyli podłoże półprzewodnikowe które jest zbudowane z warstwy krzemu na warstwie dielektryka. Podłoża tego typu charakteryzują się między innymi: * niższą pojemnością pasożytniczą; * odporność na tzw. latch-up dzięki całkowitej izolacji struktur typu p i n. Lath-up to rodzaj zwarcia występujący w układach scalonych kiedy między kontaktami tranzystora pojawia się obszar o obniżonej rezystancji. * wysoka wydajność * zmniejszona zależność działania od temperatury (brak domieszkowania) * lepszy wydajność dzięki większemu upakowaniu (lepsze wykorzystanie podłoża) * możliwość znacznego podwyższenia częstotliwości pracy układu elektronicznego * mniejsza podatność na promieniowanie w przeciwieństwie do układów opartych np. o konstrukcję CMOS * obniżenie poboru mocy przy jednoczesnym zachowaniu obecnego procesu technologicznego * fabryki chcące skorzystać z SOI nie muszą dokonywać znaczącej wymiany wykorzystywanych narzędzi wytwarzania własnej mikroelektroniki. Wadą SOI są koszty zwiększone nawet do około 20% w związku ze zwiększonymi wymogami dotyczącymi substratów. Technologia została opatentowana przez International Business Machine (IBM) oraz . Zwykle podłoża tego typu to podłoża krzemowe z warstwą izolacyjnego tlenku krzemu(IV) i krzemu na wierzchu. Jedną z metod wytwarzania tego typu podłoży jest implantacja monokrystalicznych podłoży krzemowych tlenem tylko na określonej głębokości. Kolejnym etapem jest wygrzewanie, w wyniku którego warstwa o zwiększonej zawartości tlenu przekształca się w warstwę tlenku krzemu. W ten sposób wierzchnia warstwa krzemu zostaje odizolowana od podłoża. Ta metoda jest wykorzystywana między innymi przez AMD do budowy układów o wymiarze charakterystycznym tranzystora 180 nm, 130 nm, 90 nm, 65 nm oraz 45 nm. Wśród innych metod wytwarzania podłoży SOI można także wymienić metodę gdzie powierzchnia krzemu jest utleniana. Następnie podłoże implantuje się wodorem i bonduje do drugiego podłoża. W odpowiednich warunkach zaimplantowany wodór tworzy w krzemie pęcherze gazu powodując jego kontrolowane pękania (tzw. smart cut). SOI nie jest nowością. To ulepszona metoda SOS (Silicon on Sapphire)Rozwinięciem Silicon on Insulator jest , czyli Strained SOI - technologia wykorzystująca warstwy rozciąganego krzemu (do ok. 1%). Obecnie wykorzystywana przez wiodących producentów procesorów stosowanych w komputerach osobistych. (pl)
  • Silicon-on-insulator en vaak afgekort tot SOI is binnen de halfgeleider fabricage de methode waarmee de silicium schakeling gemaakt wordt in de toplaag van een drie-lagen plak (silicium-isolator-silicium). Het doel om voor de SOI-technologie te kiezen is onder andere om de parasitaire capaciteit binnen het device te verkleinen, ten opzichte van het device gemaakt in bulk-silicium. De SOI schakelingen verschillen van de Bulksilicium schakelingen in het feit dat dan de silicium-junctie zich boven een electrische isolator bevindt, meestal: siliciumdioxide of saffier, en niet boven de silicium-bulk. De keuze van het type isolator, siliciumdioxide of saffier, hangt voornamelijk af van de beoogde toepassing. Saffier wordt gebruikt voor high-performance radiofrekwente toepassingen en voor stralingsgevoelige toepassingen, terwijl siliciumdioxide voor vele andere micro-elektronica schakelingen gebruikt wordt. Bij gebruik van saffier als isolator wordt de technologie (SOS) genoemd. (nl)
  • Silicon on insulator, SOI är en tillverkningsmetod för halvledare. Resultatet är ett chip i flera lager med omväxlande halvledande kisel och isolerande material. Detta används för att minska parasiterande kapacitans. Det isolerande materialet är oftast kiseldioxid eller safir. Denna elektronikrelaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
  • Кре́мній на ізоля́торі (КНІ) (англ. Silicon on insulator, SOI) - технологія виготовлення напівпровідникових приладів, заснована на використанні тришарової підкладки зі структурою кремній-діелектрик-кремній замість звичайно застосовуваних монолітних кремнієвих пластин. Дана технологія дозволяє домогтися істотного підвищення швидкодії мікроелектронних схем при одночасному зниженні споживаної потужності і габаритних розмірів. Так, наприклад, максимальна частота перемикання транзисторів, виконаних по технологічному процесу 130 нм, може досягати 200 ГГц. У перспективі, при переході до технологічних процесів з меншим розміром активних елементів (вже існуючого 22 нм, або тільки розроблюваного зараз 10 нм), можливо ще більше підвищення цього показника. Крім власне найменування технології, термін «кремній на ізоляторі» також часто вживається як назва поверхневого шару кремнію в КНІ-структурі. (uk)
  • SOI全名為Silicon On Insulator,是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思,原理就是在矽電晶體之間,加入絕緣體物質,可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈,並減少電流成為省電的IC,在製程上還可以省略部分光罩以節省成本,因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外,在SOI晶圓(SOI wafer)本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現,因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整,達到射頻元件(Radio frequency component、RF component)特性的提升。原本應通過交換器的電子,有些會鑽入矽中造成浪費;SOI可防止電子流失,與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托罗拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%,並減低耗電30%。除此之外,還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點,可以說是很多超頻玩家所感興趣的,那就是它的工作溫度可高達300°C,減少過熱的問題。 SOI一開始是由美商IBM公司的晶片部門投入開發,最早用於Macintosh電腦(MAC)的PowerPC G4處理器,除了IBM外,還有Motorola、德州儀器(TI)、NEC等公司投入SOI技術的開發工作,但是Intel公司拒絕在其處理器產品中使用SOI技術,因為其認為SOI技術容易影響晶圓品質與減低電晶體交換速度,並且SOI上接合點也會減少,也就是一般製程中「」的缺點所煩惱。 SOI行业联盟是負責推廣SOI技術,成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司,例如AMD和NVIDIA,而Intel並未加入該組織。 (zh)
  • Кремний на изоляторе (КНИ, англ. Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов (Ft), выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц. В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов (уже существующему 22 нм, или только разрабатываемому сейчас[когда?] 10 нм), возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме собственно наименования технологии, термин «кремний на изоляторе» также часто употребляется в качестве названия поверхностного слоя кремния в КНИ-структуре. (ru)
dbo:thumbnail
dbo:wikiPageExternalLink
dbo:wikiPageID
  • 747290 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength
  • 25489 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 1021920254 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink
dbp:wikiPageUsesTemplate
dct:subject
rdf:type
rdfs:comment
  • Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat. El procés convencional és una capa de silici com a substrat. Amb la tecnologia SOI s'aconsegueix reduir les capacitat paràsites. La capa aïllant està formada per diòxid de silici o safir depenent de les prestacions requerides, safir s'utilitza en aplicacions de ràdiofreqüència. (ca)
  • La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro. Questa tecnica riduce le , riduce il rischio di nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati. (it)
  • Silicon on insulator, SOI är en tillverkningsmetod för halvledare. Resultatet är ett chip i flera lager med omväxlande halvledande kisel och isolerande material. Detta används för att minska parasiterande kapacitans. Det isolerande materialet är oftast kiseldioxid eller safir. Denna elektronikrelaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
  • Silicio sobre aislante (SOI, silicon on insulator) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de silicio monocristalino, por un sándwich de capas de semiconductor, aislante y semiconductor. Las láminas de semiconductor suelen ser de silicio, aunque se buscan nuevas alternativas para mejorar las prestaciones de los dispositivos introduciendo nuevos materiales semiconductores como silicio tenso y aleaciones de silicio/germanio. (es)
  • Silizioa isolatzailearen gainean (ingelesez: Silicon on insulator edo SOI) mikroelektronikan erdieroaleak fabrikatzeko erabiltzen den teknologietako bat da. Geruzaz antolatutako silizio–isolatzaile–silizio substratuen erabileran datza, era horretan gailuaren murrizteko eta ondorioz, gailuaren funtzionamendua hobetzeko. Isolatzaile elektrikoaren materiala zirkuituaren erabileraren arabera aukeratzen da. Zafiroa errendimendu handiko (RF) eta erradiazioarekiko sentikorrak diren zirkuituetan erabiltzen da. Silizio dioxidoa, berriz, mikroelektronikako gailuetan gutxiagotzeko erabiltzen da. (eu)
  • Le silicium sur isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d'un empilement d'une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d'épaisseur) sur une couche d'isolant. Cet isolant peut être du saphir (Silicon-On-Sapphire), de l'air (Silicon-On-Nothing) ou du dioxyde de silicium (SiO2). (fr)
  • SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。 従来の集積回路上のMOSFETは、素子間分離をPN接合の逆バイアスによって形成するが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、信号の遅延やサブストレートへのリーク電流が発生していた。この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIである。また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン(バルクウエハ)と呼ばれる場合がある。 浮遊容量はCMOSのMOSFETに対して、スイッチング時の遅延/電流を増加させる要因であるため、浮遊容量の低減は高速度化/低消費電力化の両方の面で有利になる。 また2次元的な素子間分離にもpn接合の逆方向バイアスによるものではなく、素子下の絶縁膜と結合させた絶縁材を形成することで、完全に分離されたMOSFETを構成できるようにしている。この場合、寄生ダイオードによって意図せず生成されるバイポーラトランジスタを抑制することができ、素子間の浮遊容量/リーク電流を低減することができる。また素子間分離のためのウェルも小さくできるため、PMOS-NMOS間の距離を小さくでき、配置密度を高めることができる。 (ja)
  • W skrócie SOI (z ang. krzem na izolatorze) - czyli podłoże półprzewodnikowe które jest zbudowane z warstwy krzemu na warstwie dielektryka. Podłoża tego typu charakteryzują się między innymi: * niższą pojemnością pasożytniczą; * odporność na tzw. latch-up dzięki całkowitej izolacji struktur typu p i n. Lath-up to rodzaj zwarcia występujący w układach scalonych kiedy między kontaktami tranzystora pojawia się obszar o obniżonej rezystancji. * wysoka wydajność * zmniejszona zależność działania od temperatury (brak domieszkowania) * lepszy wydajność dzięki większemu upakowaniu (lepsze wykorzystanie podłoża) * możliwość znacznego podwyższenia częstotliwości pracy układu elektronicznego * mniejsza podatność na promieniowanie w przeciwieństwie do układów opartych np. o konstrukcję CMOS * o (pl)
  • Silicon-on-insulator en vaak afgekort tot SOI is binnen de halfgeleider fabricage de methode waarmee de silicium schakeling gemaakt wordt in de toplaag van een drie-lagen plak (silicium-isolator-silicium). Het doel om voor de SOI-technologie te kiezen is onder andere om de parasitaire capaciteit binnen het device te verkleinen, ten opzichte van het device gemaakt in bulk-silicium. (nl)
  • Кремний на изоляторе (КНИ, англ. Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов (Ft), выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц. В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов (уже существующему 22 нм, или только разрабатываемому сейчас[когда?] 10 нм), возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме с (ru)
  • Кре́мній на ізоля́торі (КНІ) (англ. Silicon on insulator, SOI) - технологія виготовлення напівпровідникових приладів, заснована на використанні тришарової підкладки зі структурою кремній-діелектрик-кремній замість звичайно застосовуваних монолітних кремнієвих пластин. Дана технологія дозволяє домогтися істотного підвищення швидкодії мікроелектронних схем при одночасному зниженні споживаної потужності і габаритних розмірів. Так, наприклад, максимальна частота перемикання транзисторів, виконаних по технологічному процесу 130 нм, може досягати 200 ГГц. У перспективі, при переході до технологічних процесів з меншим розміром активних елементів (вже існуючого 22 нм, або тільки розроблюваного зараз 10 нм), можливо ще більше підвищення цього показника. Крім власне найменування технології, термін « (uk)
  • SOI全名為Silicon On Insulator,是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思,原理就是在矽電晶體之間,加入絕緣體物質,可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈,並減少電流成為省電的IC,在製程上還可以省略部分光罩以節省成本,因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外,在SOI晶圓(SOI wafer)本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現,因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整,達到射頻元件(Radio frequency component、RF component)特性的提升。原本應通過交換器的電子,有些會鑽入矽中造成浪費;SOI可防止電子流失,與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托罗拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%,並減低耗電30%。除此之外,還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點,可以說是很多超頻玩家所感興趣的,那就是它的工作溫度可高達300°C,減少過熱的問題。 SOI行业联盟是負責推廣SOI技術,成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司,例如AMD和NVIDIA,而Intel並未加入該組織。 (zh)
  • Silici sobre aïllant (SOI en anglès) és una tecnologia de fabricació de circuits integrats que utilitza una capa d'aïllant sobre silici com a substrat. El procés convencional és una capa de silici com a substrat. Amb la tecnologia SOI s'aconsegueix reduir les capacitat paràsites. La capa aïllant està formada per diòxid de silici o safir depenent de les prestacions requerides, safir s'utilitza en aplicacions de ràdiofreqüència. (ca)
  • La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro. Questa tecnica riduce le , riduce il rischio di nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati. (it)
  • Silicon on insulator, SOI är en tillverkningsmetod för halvledare. Resultatet är ett chip i flera lager med omväxlande halvledande kisel och isolerande material. Detta används för att minska parasiterande kapacitans. Det isolerande materialet är oftast kiseldioxid eller safir. Denna elektronikrelaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
  • Silicio sobre aislante (SOI, silicon on insulator) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de silicio monocristalino, por un sándwich de capas de semiconductor, aislante y semiconductor. Las láminas de semiconductor suelen ser de silicio, aunque se buscan nuevas alternativas para mejorar las prestaciones de los dispositivos introduciendo nuevos materiales semiconductores como silicio tenso y aleaciones de silicio/germanio. (es)
  • Silizioa isolatzailearen gainean (ingelesez: Silicon on insulator edo SOI) mikroelektronikan erdieroaleak fabrikatzeko erabiltzen den teknologietako bat da. Geruzaz antolatutako silizio–isolatzaile–silizio substratuen erabileran datza, era horretan gailuaren murrizteko eta ondorioz, gailuaren funtzionamendua hobetzeko. Isolatzaile elektrikoaren materiala zirkuituaren erabileraren arabera aukeratzen da. Zafiroa errendimendu handiko (RF) eta erradiazioarekiko sentikorrak diren zirkuituetan erabiltzen da. Silizio dioxidoa, berriz, mikroelektronikako gailuetan gutxiagotzeko erabiltzen da. (eu)
  • Le silicium sur isolant (en anglais : SOI ou Silicon On Insulator) est une structure constituée d'un empilement d'une couche de silicium (de 50 nm à quelques µm d'épaisseur) sur une couche d'isolant. Cet isolant peut être du saphir (Silicon-On-Sapphire), de l'air (Silicon-On-Nothing) ou du dioxyde de silicium (SiO2). (fr)
  • SOI (Silicon on Insulator) は、CMOS LSIの高速性・低消費電力化を向上させる技術である。 従来の集積回路上のMOSFETは、素子間分離をPN接合の逆バイアスによって形成するが、寄生ダイオードやサブストレートとの間に浮遊容量が生じ、信号の遅延やサブストレートへのリーク電流が発生していた。この浮遊容量を低減するため、MOSFETのチャネルの下に絶縁膜を形成し、浮遊容量を減らしたものがSOIである。また、このような絶縁膜を内包したウエハをSOIウエハと呼び、従来のウエハはSOIウエハと区別するためにバルクシリコン(バルクウエハ)と呼ばれる場合がある。 浮遊容量はCMOSのMOSFETに対して、スイッチング時の遅延/電流を増加させる要因であるため、浮遊容量の低減は高速度化/低消費電力化の両方の面で有利になる。 また2次元的な素子間分離にもpn接合の逆方向バイアスによるものではなく、素子下の絶縁膜と結合させた絶縁材を形成することで、完全に分離されたMOSFETを構成できるようにしている。この場合、寄生ダイオードによって意図せず生成されるバイポーラトランジスタを抑制することができ、素子間の浮遊容量/リーク電流を低減することができる。また素子間分離のためのウェルも小さくできるため、PMOS-NMOS間の距離を小さくでき、配置密度を高めることができる。 (ja)
  • W skrócie SOI (z ang. krzem na izolatorze) - czyli podłoże półprzewodnikowe które jest zbudowane z warstwy krzemu na warstwie dielektryka. Podłoża tego typu charakteryzują się między innymi: * niższą pojemnością pasożytniczą; * odporność na tzw. latch-up dzięki całkowitej izolacji struktur typu p i n. Lath-up to rodzaj zwarcia występujący w układach scalonych kiedy między kontaktami tranzystora pojawia się obszar o obniżonej rezystancji. * wysoka wydajność * zmniejszona zależność działania od temperatury (brak domieszkowania) * lepszy wydajność dzięki większemu upakowaniu (lepsze wykorzystanie podłoża) * możliwość znacznego podwyższenia częstotliwości pracy układu elektronicznego * mniejsza podatność na promieniowanie w przeciwieństwie do układów opartych np. o konstrukcję CMOS * o (pl)
  • Silicon-on-insulator en vaak afgekort tot SOI is binnen de halfgeleider fabricage de methode waarmee de silicium schakeling gemaakt wordt in de toplaag van een drie-lagen plak (silicium-isolator-silicium). Het doel om voor de SOI-technologie te kiezen is onder andere om de parasitaire capaciteit binnen het device te verkleinen, ten opzichte van het device gemaakt in bulk-silicium. (nl)
  • Кремний на изоляторе (КНИ, англ. Silicon on insulator, SOI) — технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Данная технология позволяет добиться существенного повышения быстродействия микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности и габаритных размеров. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов (Ft), выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц. В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов (уже существующему 22 нм, или только разрабатываемому сейчас[когда?] 10 нм), возможно ещё большее повышение этого показателя. Кроме с (ru)
  • Кре́мній на ізоля́торі (КНІ) (англ. Silicon on insulator, SOI) - технологія виготовлення напівпровідникових приладів, заснована на використанні тришарової підкладки зі структурою кремній-діелектрик-кремній замість звичайно застосовуваних монолітних кремнієвих пластин. Дана технологія дозволяє домогтися істотного підвищення швидкодії мікроелектронних схем при одночасному зниженні споживаної потужності і габаритних розмірів. Так, наприклад, максимальна частота перемикання транзисторів, виконаних по технологічному процесу 130 нм, може досягати 200 ГГц. У перспективі, при переході до технологічних процесів з меншим розміром активних елементів (вже існуючого 22 нм, або тільки розроблюваного зараз 10 нм), можливо ще більше підвищення цього показника. Крім власне найменування технології, термін « (uk)
  • SOI全名為Silicon On Insulator,是指矽電晶體結構在絕緣體之上的意思,原理就是在矽電晶體之間,加入絕緣體物質,可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。優點是可以較易提升時脈,並減少電流成為省電的IC,在製程上還可以省略部分光罩以節省成本,因此不論在製程上或是電路上都有其優勢。此外,在SOI晶圓(SOI wafer)本身基板的阻抗值的部分也會影響到元件的表現,因此後來也有公司在基板上進行阻抗值的調整,達到射頻元件(Radio frequency component、RF component)特性的提升。原本應通過交換器的電子,有些會鑽入矽中造成浪費;SOI可防止電子流失,與補強一些原本Bulk wafer中CMOS元件的缺點。摩托罗拉宣稱中央處理器可因此提升時脈20%,並減低耗電30%。除此之外,還可以減少一些有害的電氣效應。還有一點,可以說是很多超頻玩家所感興趣的,那就是它的工作溫度可高達300°C,減少過熱的問題。 SOI行业联盟是負責推廣SOI技術,成員包括SOI技術的發明者IBM及一些半導體公司,例如AMD和NVIDIA,而Intel並未加入該組織。 (zh)
rdfs:label
  • Silici sobre aïllant (ca)
  • Silicon-on-Insulator (de)
  • Silicon on insulator (en)
  • Silicio sur izolilo (eo)
  • Silizioa isolatzailearen gainean (eu)
  • Silicio sobre aislante (es)
  • Silicium sur isolant (fr)
  • SOI (ja)
  • Silicio su isolante (it)
  • Silicon-on-insulator (nl)
  • Silicon on insulator (pl)
  • Кремний на изоляторе (ru)
  • Silicon on insulator (sv)
  • Кремній на ізоляторі (uk)
  • SOI (zh)
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:knownFor of
is dbo:wikiPageDisambiguates of
is dbo:wikiPageRedirects of
is dbo:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of
Powered by OpenLink Virtuoso    This material is Open Knowledge     W3C Semantic Web Technology     This material is Open Knowledge    Valid XHTML + RDFa
This content was extracted from Wikipedia and is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 Unported License