| dbo:abstract
|
- ذاكرة تغيير الطور (المعروفة أيضًا باختصار بّي سي إم، وبّي سي إم إي، وبّي رام، وبّي سي رام، وأو يو إم (ذاكرة أوفونيك الموحدة)، وسي رام (ذاكرة الوصول العشوائي الكالكوجينية)) هي نوع من ذواكر الوصول العشوائي المستدامة. تستغل ذواكر تغيير الطورالسلوك الفريد لزجاج الكالكوجينيد. في أجيال ذواكر تغيير الطور الأقدم، استخدمت الحرارة الناتجة عن مرور تيار كهربائي عبر عنصر تسخين مصنوع عمومًا من نيتريد التيتانيوم إما لتسخين الزجاج وتبريده بسرعة، ما يجعله لا بلوري، أو لإبقائه في نطاق درجة حرارة التبلور بعض الوقت، وبالتالي تحويله إلى حالة بلورية. تملك ذواكر تغيير الطور أيضًا القدرة على تحقيق عدد من الحالات الوسيطة المتميزة، وبالتالي القدرة على تخزين عدة بتات في خلية واحدة، ولكن حالت الصعوبات في برمجة الخلايا بهذه الطريقة دون تنفيذ هذه الإمكانات في تقنيات أخرى (أبرزها الذاكرة الوميضية (الفلاش)) تملك نفس الإمكانيات. تتجه تقنية ذواكر تغيير الطور الحديثة في اتجاهين مختلفين. وجهت إحدى المجموعات أبحاث عديدة نحو محاولة إيجاد بدائل مادية عملية لـGe2Sb2Te5 (الجرمانيوم-الأنتيمون-التيلوريوم)، وحققت نجاح متفاوتًا. طورت مجموعة أخرى استخدام شبكة فائقة من GeTe–Sb2Te3 لتحقيق تغيرات غير حرارية في الطور عن طريق تغيير حالة التنسيق ذرات الجرمانيوم ببساطة بواسطة نبضة ليزر. حققت ذاكرة تغيير الطور البينية الجديدة (آي بّي سي إم) نجاحات عديدة وما تزال موضوعًا للكثير من الأبحاث النشطة. زعم ليون تساي أنه يجب اعتبار جميع الذواكر المستدامة ثنائية الأطراف، بما فيها ذواكر تغيير الطور، مقاومة ذاكرية. وزعم ستان ويليامز العامل في مختبرات إتش بّي أيضًا أنه يجب اعتبار ذواكر تغيير الطور مقاومة ذاكرية. ولكن، طعن في هذا المصطلح واعتبرت إمكانية تطبيق نظرية المقاومة الذاكرية على أي جهاز يمكن تحقيقه فيزيائيًا موضع شك. (ar)
- Phase-change Random Access Memory (PCRAM, PRAM oder kurz PCM; in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory, OUM oder chalcogenide RAM, C-RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009). Das Wirkprinzip des Speichers ist die Änderung des elektrischen Widerstandes des Speichermaterials in Abhängigkeit davon, ob es in amorpher (hoher Widerstand / RESET state) oder in kristalliner (niedriger Widerstand / SET state) Phase vorliegt. Das benutzte Material ist dabei eine Chalkogenid-Legierung (Chalkogen-Verbindung) – ähnlich dem Material, das ebenfalls unter Ausnutzung von Phasenwechsel bei einer CD-RW bzw. DVD-RAM für die Datenspeicherung sorgt. Die dabei genutzten Materialkombinationen bestehen z. B. aus Germanium, Antimon und Tellur (häufig Legierungen aus den beiden Verbindungen GeTe und Sb2Te3). (de)
- La memoria de cambio de fase (phase-change RAM, también llamada PRAM, PCRAM, PCM, Ovonic unified memory —memoria ovónica unificada— y C-RAM, de calcógeno) es un tipo de memoria no volátil. Utiliza (anfígeno) que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor. Es parte de un grupo de nuevas tecnologías de memoria que buscan competir con la memoria Flash en el campo de las memorias no volátiles supliendo las carencias de ésta. (es)
- Phase-change memory (also known as PCM, PCME, PRAM, PCRAM, OUM (ovonic unified memory) and C-RAM or CRAM (chalcogenide RAM)) is a type of non-volatile random-access memory. PRAMs exploit the unique behaviour of chalcogenide glass. In PCM, heat produced by the passage of an electric current through a heating element generally made of titanium nitride is used to either quickly heat and quench the glass, making it amorphous, or to hold it in its crystallization temperature range for some time, thereby switching it to a crystalline state. PCM also has the ability to achieve a number of distinct intermediary states, thereby having the ability to hold multiple bits in a single cell, but the difficulties in programming cells in this way has prevented these capabilities from being implemented in other technologies (most notably flash memory) with the same capability. Recent research on PCM has been directed towards attempting to find viable material alternatives to the phase-change material Ge2Sb2Te5 (GST), with mixed success. Other research has focused on the development of a GeTe–Sb2Te3 superlattice to achieve non-thermal phase changes by changing the co-ordination state of the germanium atoms with a laser pulse. This new Interfacial Phase-Change Memory (IPCM) has had many successes and continues to be the site of much active research. Leon Chua has argued that all two-terminal non-volatile-memory devices, including PCM, should be considered memristors. Stan Williams of HP Labs has also argued that PCM should be considered a memristor. However, this terminology has been challenged, and the potential applicability of memristor theory to any physically realizable device is open to question. (en)
- La mémoire à changement de phase, ou PCM pour Phase Change Memory, ou encore PRAM pour Phase-Change RAM, est un type de mémoire non volatile s'appuyant sur la transition de phase de certains matériaux pour le stockage des informations, à l'instar des disques optiques réinscriptibles. Elle est présentée comme mémoire universelle car elle combine la vitesse et l’endurance de la mémoire vive (RAM) et la non-volatilité et le faible coût de la mémoire flash. Les premières PRAM ont été mises en vente en 2012 par Samsung. (fr)
- 相変化メモリ（そうへんかメモリ、英: Phase-change memory）は、相変化記録技術を利用した不揮発性メモリである。PCRAM・PRAM・PCM・PCME・OUM (Ovonic unified memory)・C-RAMとも呼ばれる。 PCMは、カルコゲナイドガラスの特異な性質を利用している。結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を利用してデータの記録に利用する。書き込みは素子への熱変化により行う。 一世代前のPCMは、通常TiNから成る熱源に電流を流し、急激にカルコゲナイドガラスを加熱・急冷することにより結晶相からアモルファス相に変化させ、再び一定時間結晶化温度に保つことで結晶相に戻すことができる。 PCMはまた抵抗値が様々な中間状態で変化するため、1セルに対して多値情報を記録することができる。しかしながら抵抗変化での多値記録は非常に難しく、フラッシュメモリーなどの他の多値技術においては用いられていない。 最新のPCM技術の本流は2つある。一つはGe2Sb2Te5（GST）に代わるような実用材料を発見しようとする研究グループであり、一定の成功を収めている。もう一つはGeTe/Sb2Te3超格子構造を用い、レーザーパルスによってGe原子の配位状態を変化させることで熱を用いない相変化を実現しようとする研究グループである。この界面相変化メモリ（Interfacial Phase-Change Memory、IPCM）は多くの成功をおさめ、多くの精力的な研究が今でも続けられている。 DRAMとの違いはキャパシター部分を相変化膜に置き換えただけであり、従来の製造プロセスと親和性が高く、技術的に共通点が多く、既存の設備を流用し易い。 (ja)
- 피램(또는 상변화 메모리, Phase-change Memory, PCM, PCME, PRAM, PCRAM, C-RAM)은 비휘발성 메모리의 한 종류이며, 플래시 메모리의 비휘발성과, RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다. 피램은 열을 가함에 따라 상태와 결정질상태로 바뀌는 칼코게나이드 유리의 독특한 특성을 이용하여 데이터를 저장한다. (ko)
- La Memoria a cambiamento di fase (nota anche come Phase-change memory, PCM o Ovonic Unified Memory, OUM) è un tipo di memoria non volatile a stato solido di nuova generazione, il cui materiale standard è una lega calcogenura composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb) e Tellurio (Te), chiamata GST (composizione Ge2Sb2Te5), in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase. (it)
- Phase-change random-access memory (PCRAM) is een opslagmedium voor de computer. Soms wordt de afkorting PRAM en ook wel phase-change memory gebruikt. PCRAM is niet-vluchtig geheugen, zodat het ook zijn gegevens bewaart als er geen spanning is. Het is door Intel ontwikkeld en kan op termijn het populaire flashgeheugen gaan vervangen. (nl)
- Pamięć zmiennofazowa, PCM (od ang. phase-change memory), PRAM, PCRAM (od ang. phase-change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym (tzw. owoniku). Wykorzystano w niej zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (jest ona inna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW. Zalety:
* możliwość zapisu w jednej komórce więcej niż jednego bitu informacji
* stosunkowo duża szybkość zapisu i odczytu – około 300 ns
* stosunkowo duża trwałość – 1012 cykli
* długi czas przechowywania informacji
* stosunkowo prosta produkcja przy zastosowaniu istniejącego sprzętu
* bezpośrednia zamienność z pamięciami flash Wady:
* na obecnym etapie wysoki koszt produkcji
* wysokie temperatury występujące podczas zapisu mogą pogorszyć niezawodność w rzeczywistych układach
* ciągle zbyt mała prędkość zapisu i trwałość do zastosowań w miejsce obecnych pamięci RAM Autorem koncepcji i prototypów pamięci zmiennofazowej jest firma Ovonyx, stąd nazywana ona była ovonic unified memory (OUM). Obecnie rozwojem tego rodzaju pamięci zajmuje się firma Intel. (pl)
- Phase-change memory, kallas även för PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM och C-RAM, och är en datorminnestyp som använder sig av mineralglas för permanent lagring av information. PCM använder sig av kalkogenglasets unika egenskaper, som kan smältas till olika strukturer, kristallin och amorf struktur med hjälp av värme. PCM är en av flera datalagringstyper som försöker utmana befintliga tekniker för icke-flyktiga datorminnen, exempelvis det idag nästintill universella flashminnet. Denna typ av minne förväntas vara effektivt att tillverka och utrymmessnålt, vilket ger billiga minnen. Precis som flashminnet så behåller det data även vid strömbortfall. Det uppges också vara lika snabbt som vanligt DRAM-baserat arbetsminne, delvis beroende på att det till skillnad från flash inte kräver radering av minnesblock innan ny data kan skrivas. (sv)
- Па́мять с измене́нием фа́зового состоя́ния (англ. Phase-change memory) — компьютерная память на основе фазового перехода, также известна как PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM — тип энергонезависимой памяти (NVRAM), основанный на свойствах халькогенидов, которые при изменении температуры могут «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. В последних разработках[каких?] смогли добавить ещё два дополнительных состояния, что удвоило информационную ёмкость чипов при прочих равных. Считается[кем?] одной из основной конкурирующих с флеш-памятью технологий, обеспечивающей решения ряда непреодолимых проблем последней. (ru)
- Пам'ять на основі фазового переходу (англ. Phase-change memory, також відома як PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM) — тип енергонезалежної пам'яті, заснований на поведінці халькогеніду, який під час нагрівання може «перемикатися» між двома станами: кристалічним і аморфним. В останніх версіях[яких?] вдалось додати ще два додаткові стани, ефективно подвоївши інформаційну місткість чипів. Вважається однією з основних технологій-конкуренток флеш-пам'яті, які забезпечують розв'язання багатьох нездоланних проблем останньої. (uk)
- 相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非易失性存储器裝置。PRAM使用含一種或多種硫族化物的（Chalcogenide glass）製成，目前的主流為GeSbTe系合金。的特性是，經由加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。 (zh)
|
| rdfs:comment
|
- La memoria de cambio de fase (phase-change RAM, también llamada PRAM, PCRAM, PCM, Ovonic unified memory —memoria ovónica unificada— y C-RAM, de calcógeno) es un tipo de memoria no volátil. Utiliza (anfígeno) que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor. Es parte de un grupo de nuevas tecnologías de memoria que buscan competir con la memoria Flash en el campo de las memorias no volátiles supliendo las carencias de ésta. (es)
- La mémoire à changement de phase, ou PCM pour Phase Change Memory, ou encore PRAM pour Phase-Change RAM, est un type de mémoire non volatile s'appuyant sur la transition de phase de certains matériaux pour le stockage des informations, à l'instar des disques optiques réinscriptibles. Elle est présentée comme mémoire universelle car elle combine la vitesse et l’endurance de la mémoire vive (RAM) et la non-volatilité et le faible coût de la mémoire flash. Les premières PRAM ont été mises en vente en 2012 par Samsung. (fr)
- 피램(또는 상변화 메모리, Phase-change Memory, PCM, PCME, PRAM, PCRAM, C-RAM)은 비휘발성 메모리의 한 종류이며, 플래시 메모리의 비휘발성과, RAM의 빠른 속도의 장점을 모두 가지고 있는 차세대 메모리 반도체이다. 피램은 열을 가함에 따라 상태와 결정질상태로 바뀌는 칼코게나이드 유리의 독특한 특성을 이용하여 데이터를 저장한다. (ko)
- La Memoria a cambiamento di fase (nota anche come Phase-change memory, PCM o Ovonic Unified Memory, OUM) è un tipo di memoria non volatile a stato solido di nuova generazione, il cui materiale standard è una lega calcogenura composta da Germanio (Ge), Antimonio (Sb) e Tellurio (Te), chiamata GST (composizione Ge2Sb2Te5), in grado di cambiare fase (cristallina o amorfa) in modo reversibile e controllato per mezzo di una corrente di programmazione che attraversa la cella di memoria che, riscaldando in modo opportuno il GST, induce il cambiamento di fase. (it)
- Phase-change random-access memory (PCRAM) is een opslagmedium voor de computer. Soms wordt de afkorting PRAM en ook wel phase-change memory gebruikt. PCRAM is niet-vluchtig geheugen, zodat het ook zijn gegevens bewaart als er geen spanning is. Het is door Intel ontwikkeld en kan op termijn het populaire flashgeheugen gaan vervangen. (nl)
- Пам'ять на основі фазового переходу (англ. Phase-change memory, також відома як PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM) — тип енергонезалежної пам'яті, заснований на поведінці халькогеніду, який під час нагрівання може «перемикатися» між двома станами: кристалічним і аморфним. В останніх версіях[яких?] вдалось додати ще два додаткові стани, ефективно подвоївши інформаційну місткість чипів. Вважається однією з основних технологій-конкуренток флеш-пам'яті, які забезпечують розв'язання багатьох нездоланних проблем останньої. (uk)
- 相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又譯為相變位記憶體，是一種非易失性存储器裝置。PRAM使用含一種或多種硫族化物的（Chalcogenide glass）製成，目前的主流為GeSbTe系合金。的特性是，經由加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。 (zh)
- ذاكرة تغيير الطور (المعروفة أيضًا باختصار بّي سي إم، وبّي سي إم إي، وبّي رام، وبّي سي رام، وأو يو إم (ذاكرة أوفونيك الموحدة)، وسي رام (ذاكرة الوصول العشوائي الكالكوجينية)) هي نوع من ذواكر الوصول العشوائي المستدامة. تستغل ذواكر تغيير الطورالسلوك الفريد لزجاج الكالكوجينيد. في أجيال ذواكر تغيير الطور الأقدم، استخدمت الحرارة الناتجة عن مرور تيار كهربائي عبر عنصر تسخين مصنوع عمومًا من نيتريد التيتانيوم إما لتسخين الزجاج وتبريده بسرعة، ما يجعله لا بلوري، أو لإبقائه في نطاق درجة حرارة التبلور بعض الوقت، وبالتالي تحويله إلى حالة بلورية. تملك ذواكر تغيير الطور أيضًا القدرة على تحقيق عدد من الحالات الوسيطة المتميزة، وبالتالي القدرة على تخزين عدة بتات في خلية واحدة، ولكن حالت الصعوبات في برمجة الخلايا بهذه الطريقة دون تنفيذ هذه الإمكانات في تقنيات أخرى (أبرزها الذاكرة الوميضية (الفلاش)) تملك نفس الإم (ar)
- Phase-change Random Access Memory (PCRAM, PRAM oder kurz PCM; in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory, OUM oder chalcogenide RAM, C-RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009). (de)
- Phase-change memory (also known as PCM, PCME, PRAM, PCRAM, OUM (ovonic unified memory) and C-RAM or CRAM (chalcogenide RAM)) is a type of non-volatile random-access memory. PRAMs exploit the unique behaviour of chalcogenide glass. In PCM, heat produced by the passage of an electric current through a heating element generally made of titanium nitride is used to either quickly heat and quench the glass, making it amorphous, or to hold it in its crystallization temperature range for some time, thereby switching it to a crystalline state. PCM also has the ability to achieve a number of distinct intermediary states, thereby having the ability to hold multiple bits in a single cell, but the difficulties in programming cells in this way has prevented these capabilities from being implemented in o (en)
- 相変化メモリ（そうへんかメモリ、英: Phase-change memory）は、相変化記録技術を利用した不揮発性メモリである。PCRAM・PRAM・PCM・PCME・OUM (Ovonic unified memory)・C-RAMとも呼ばれる。 PCMは、カルコゲナイドガラスの特異な性質を利用している。結晶相は低抵抗でアモルファス相は高抵抗である事を利用してデータの記録に利用する。書き込みは素子への熱変化により行う。 一世代前のPCMは、通常TiNから成る熱源に電流を流し、急激にカルコゲナイドガラスを加熱・急冷することにより結晶相からアモルファス相に変化させ、再び一定時間結晶化温度に保つことで結晶相に戻すことができる。 PCMはまた抵抗値が様々な中間状態で変化するため、1セルに対して多値情報を記録することができる。しかしながら抵抗変化での多値記録は非常に難しく、フラッシュメモリーなどの他の多値技術においては用いられていない。 DRAMとの違いはキャパシター部分を相変化膜に置き換えただけであり、従来の製造プロセスと親和性が高く、技術的に共通点が多く、既存の設備を流用し易い。 (ja)
- Pamięć zmiennofazowa, PCM (od ang. phase-change memory), PRAM, PCRAM (od ang. phase-change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym (tzw. owoniku). Wykorzystano w niej zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (jest ona inna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW. Zalety: Wady: (pl)
- Phase-change memory, kallas även för PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM och C-RAM, och är en datorminnestyp som använder sig av mineralglas för permanent lagring av information. PCM använder sig av kalkogenglasets unika egenskaper, som kan smältas till olika strukturer, kristallin och amorf struktur med hjälp av värme. PCM är en av flera datalagringstyper som försöker utmana befintliga tekniker för icke-flyktiga datorminnen, exempelvis det idag nästintill universella flashminnet. (sv)
- Па́мять с измене́нием фа́зового состоя́ния (англ. Phase-change memory) — компьютерная память на основе фазового перехода, также известна как PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM — тип энергонезависимой памяти (NVRAM), основанный на свойствах халькогенидов, которые при изменении температуры могут «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. В последних разработках[каких?] смогли добавить ещё два дополнительных состояния, что удвоило информационную ёмкость чипов при прочих равных. (ru)
|
