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- Un microscopi d'efecte túnel (anglès: Scanning tunneling microscope, o STM) és un instrument per prendre imatges de superfícies a nivell atòmic. Es va desenvolupar al 1981, i va permetre que els seus inventors, Gerd Binnig i Heinrich Rohrer (d'IBM Zürich), guanyessin el Premi Nobel de Física al 1986. Per un STM, es considera que una bona resolució és 0.1 nm de resolució lateral i 0.01 nm de resolució de profunditat. Amb aquesta resolució, es poden veure i manipular els àtoms individuals dels materials. L'STM pot ser usatfer-se servir no només en ultra alt buit, sinó també en aire, aigua, i diversos altres líquids o gasos de l'ambient, i a temperatures que abasten un rang molt ampli, des de gairebé zero Kelvin fins a uns pocs centenars de graus Celsius. L'STM està basat en el concepte d'efecte túnel. Quan una punta conductora es col·loca molt prop de la superfície a ser examinada, un corrent de polarització (diferència de voltatge) aplicat entre les dues pot permetre als electrons passar a l'altre costat mitjançant l'efecte túnel a través del buit entre elles. El corrent de tunelització que en resulta és una funció de la posició de la punta, el voltatge aplicat i la densitat local d'estats (LDOS per les seves sigles en anglès) de la mostra. La informació és adquirida monitoritzant el corrent mentre la posició de la punta escaneja la superfície, i és usualment convertida en una d'imatge. La microscopía d'efecte túnel pot ser una tècnica desafiadora, ja que requereix superfícies extremadament netes i estables, puntes afilades, un excel·lent control de les vibracions, i electrònica sofisticada. Al 2021 se celebren els 40 anys del naixement de l'STM, i els 35 anys de l'AFM (descobert al 1986, 5 anys després). La Setmana de la Ciència de Catalunya, celebrada al novembre del 2021, commemora, entre altres, aquest fet. (ca)
- المجهر الأنبوبي الماسح (بالإنجليزية: scanning tunneling microscope (STM)) تبلغ قوة التكبير في المجهر الانبوبي الماسح فأمكن حوالي مئة مليون مرة، يتصل به حاسوب يعمل على تحليل المعلومات الواردة إليه ليظهر صورة العينة بأبعادها الثلاثة. (ar)
- STM (z angl. Scanning Tunneling Microscope), jehož české označení zní řádkovací tunelový mikroskop, je druhem neoptického mikroskopu, který mapuje povrch vodivého vzorku pomocí změny průběhu potenciálu, resp. proudu při pohybu vodivé nad vzorkem. Přesněji se jedná o závislost množství elektronů (velikosti el. proudu), které tuneluje z materiálu do hrotu sondy a jež je exponenciálně závislé na vzdálenosti. STM byl vynalezen v roce 1981 Gerdem Binnigem a Heinrichem Rohrerem, kteří za tento objev získali Nobelovu cenu. (cs)
- Das Rastertunnelmikroskop (abgekürzt RTM, englisch scanning tunneling microscope, STM) gehört zu den Techniken der Rastersondenmikroskopie (engl. scanning probe microscopy, SPM), welche es ermöglichen, die Flächen gleicher Elektronenzustandsdichte von Oberflächen abzubilden. Das Funktionsprinzip des RTMs basiert auf dem quantenmechanischen Tunneleffekt. Bei einer angelegten Spannung zwischen einer feinen Spitze und einer Oberfläche führt dies bei einem ausreichend kleinen Abstand zu einem messbaren Tunnelstrom. Die Grundvoraussetzung für diese Art der Rastersondenmikroskopie sind eine elektrisch leitende Probe und eine elektrisch leitende Tunnelspitze. Rastert man nun zeilenweise über die Oberfläche und misst an jedem Messpunkt den Tunnelstrom, erhält man eine Höhentopographie konstanter Elektronendichte. Diese erlaubt einen Rückschluss auf die tatsächliche Oberflächenstruktur bis zur atomaren Auflösung. (de)
- To μικροσκόπιο σάρωσης σήραγγας (αγγλικά: scanning tunneling microscope, STM) είναι όργανο για την απεικόνιση επιφανειών σε ατομικό επίπεδο. Για την ανάπτυξή του (1981), το 1986 απονεμήθηκε το βραβείο Νόμπελ Φυσικής στους Μπίνιγκ (Binnig) και Ρόρερ (Rohrer). Επιτυγχάνει ανάλυση 0,1 nm στο επίπεδο και 0,01 nm (10 pm) εκτός επιπέδου. Μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την απεικόνιση αλλά και τη μετακίνηση μεμονωμένων ατόμων και μορίων στις επιφάνειες υλικών. Το μικροσκόπιο λειτουργεί σε πολύ υψηλό κενό, αέρα, νερό και άλλα περιβάλλοντα υγρών ή αερίων. Λειτουργεί ακόμα σε θερμοκρασίες που κυμαίνονται από 10 mK (κοντά στο απόλυτο μηδέν) έως πάνω από 1300 Κ (~ 1000 °C). Το STM βασίζεται στο φαινόμενο σήραγγας. Όταν μία ακίδα πλησιάζει πολύ κοντά μία επιφάνεια υπό εξέταση, μία τάση μεταξύ των δύο επιτρέπει στα ηλεκτρόνια να διαπεράσουν το κενό που τους χωρίζει. Το ρεύμα σήραγγας που προκύπτει είναι συνάρτηση της απόστασης της ακίδας από την επιφάνεια, της εφαρμοζόμενης τάσης και της τοπικής πυκνότητας καταστάσεων του δείγματος. Τα δεδομένα λαμβάνονται με την παρακολούθηση του ρεύματος καθώς η ακίδα σαρώνει την επιφάνεια και συνήθως παρουσιάζονται με τη μορφή εικόνας. (el)
- La tunel-efika mikroskopo aŭ skantunela mikroskopo (angla mallongigo STM el scanning tunneling microscopy) laboras per elektre kondukanta „kudrilo”, ofte nomata pinto kaj tio baziĝas je la kvantummeĥanika tunel-efiko. Okaze de uzata tensio inter la pinto (de mikroskopa sondilo) kaj surfaco estiĝas mezurebla tunela elektro. La uzebla tunelefika mikroskopo estis evoluigita je komenco de la 1980-aj jaroj. La tunela kurento (tipe 1 pA - 10 nA) sensas jam la ŝanĝiĝon je 100-ono de nm, tiel la pinto-surfaco-diferenco de tipe 0,5 - 1 nm devas stabile halti la ŝanĝiĝon malpli ol 1 %. Oni uzas la tunelefikan mikroskopon ekzemple por manipulado de la surfaco. La atom-forta mikroskopo (AFM) estas tre detala analiza ilo el nova generacio. Temas pri speco de tunel-efika mikroskopo (aŭ skantunela mikroskopo, STM), kiuj komence de la 21-a jarcento refortigis la intereson pri koloida scienco kaj antaŭenigis la nanoteknologion. (eo)
- Un microscopio de efecto túnel (en inglés, Scanning tunneling microscope o STM) es un instrumento para tomar imágenes de superficies a nivel atómico. Su desarrollo en 1981 hizo ganar a sus inventores, Gerd Binnig y Heinrich Rohrer (de IBM Zürich), el Premio Nobel de Física en 1986. Para un STM, se considera que una buena resolución es 0,1 nm de resolución lateral y 0.01 nm de resolución de profundidad. Con esta resolución, los átomos individuales dentro de los materiales son rutinariamente visualizados y manipulados. El STM puede ser usado no solo en ultra alto vacío, sino que también en aire, agua, y varios otros líquidos o gases del ambiente, y a temperaturas que abarcan un rango desde casi cero Kelvin hasta unos pocos cientos de grados Celsius. El STM está basado en el concepto de efecto túnel. Cuando una punta conductora es colocada muy cerca de la superficie a ser examinada, una corriente de polarización (diferencia de voltaje) aplicada entre las dos puede permitir a los electrones pasar al otro lado mediante el efecto túnel a través del vacío entre ellas. La resultante corriente de tunelización es una función de la posición de la punta, el voltaje aplicado y la (LDOS por sus siglas en inglés) de la muestra. La información es adquirida monitorizando la corriente conforme la posición de la punta escanea a través de la superficie, y es usualmente desplegada en forma de imagen. La microscopía de efecto túnel puede ser una técnica desafiante, ya que requiere superficies extremadamente limpias y estables, puntas afiladas, excelente control de vibraciones, y electrónica sofisticada. (es)
- Cineál micreascóip a úsáidtear le haghaidh dromchlaí a íomháú ag an leibhéal adamhach is ea tollánmhicreascóp scanacháin (TMS) Thuill a aireagóirí agus Heinrich Rohrer, a d'forbair é i 1981 ag IBM Zürich, an Duais Nobel san Fhisic sa bhliain 1986. Braitheann an TMS an dromchla trí rinne stiúrtha an-ghéar a úsáid a fhéadann idirdhealú a dhéanamh idir gnéithe níos lú ná 0.1 nm le 0.01 nm (10 in) taifeach doimhneachta . Ciallaíonn sé seo gur féidir adaimh aonair a íomháú agus a ionramháil go rialta. Tógtar an chuid is mó de na micreascóip le húsáid i bhfolús ultra-ard ag teochtaí ag druidim le nialas-ceilvin, ach tá malairtí ann le haghaidh staidéir san aer, san uisce agus i dtimpeallachtaí eile, agus le haghaidh teochtaí os cionn 1000 ° C. (ga)
- A scanning tunneling microscope (STM) is a type of microscope used for imaging surfaces at the atomic level. Its development in 1981 earned its inventors, Gerd Binnig and Heinrich Rohrer, then at IBM Zürich, the Nobel Prize in Physics in 1986. STM senses the surface by using an extremely sharp conducting tip that can distinguish features smaller than 0.1 nm with a 0.01 nm (10 pm) depth resolution. This means that individual atoms can routinely be imaged and manipulated. Most microscopes are built for use in ultra-high vacuum at temperatures approaching zero kelvin, but variants exist for studies in air, water and other environments, and for temperatures over 1000 °C. STM is based on the concept of quantum tunneling. When the tip is brought very near to the surface to be examined, a bias voltage applied between the two allows electrons to tunnel through the vacuum separating them. The resulting tunneling current is a function of the tip position, applied voltage, and the local density of states (LDOS) of the sample. Information is acquired by monitoring the current as the tip scans across the surface, and is usually displayed in image form. A refinement of the technique known as scanning tunneling spectroscopy consists of keeping the tip in a constant position above the surface, varying the bias voltage and recording the resultant change in current. Using this technique the local density of the electronic states can be reconstructed. This is sometimes performed in high magnetic fields and in presence of impurities to infer the properties and interactions of electrons in the studied material. Scanning tunneling microscopy can be a challenging technique, as it requires extremely clean and stable surfaces, sharp tips, excellent vibration isolation, and sophisticated electronics. Nonetheless, many hobbyists build their own microscopes. (en)
- Mikroskop penerowongan payaran (scanning tunneling microscope, STM) adalah instrumen untuk pencitraan permukaan pada tingkat atom. Pengembangannya pada tahun 1981 membuat penemunya, Gerd Binnig dan Heinrich Rohrer (di ) memperoleh Hadiah Nobel dalam Fisika pada tahun 1986. Untuk STM, resolusi yang baik dianggap 0,1 nm untuk resolusi lateral dan 0,01 nm untuk resolusi kedalaman (10pm). Dengan resolusi ini, masing-masing atom dalam bahan dicitrakan dan dimanipulasi secara rutin. STM dapat digunakan tidak hanya dalam kondisi vakum sangat tinggi tetapi juga di udara, air, dan berbagai cairan atau gas ambien lainnya, dan pada suhu mulai dari mendekati nol kelvin hingga lebih dari 1000 °C. STM didasarkan pada konsep penerowongan kuantum. Ketika ujung konduktor diletakkan sangat dekat ke permukaan objek untuk diperiksa, (perbedaan tegangan) yang diterapkan antara keduanya dapat memungkinkan elektron untuk menerowongi melalui vakum di antara keduanya. Arus penerowongan dihasilkan adalah fungsi dari posisi ujung konduktor, tegangan yang diberikan, dan (LDOS) dari sampel. Informasi diperoleh dengan memantau arus saat posisi ujung memindai melintasi permukaan, dan biasanya ditampilkan dalam bentuk gambar. STM bisa menjadi teknik yang menantang, karena membutuhkan permukaan yang sangat bersih dan stabil, ujung yang tajam, yang sangat baik, dan elektronik yang canggih, meskipun demikian banyak penggemar alat ini yang telah membangun mikroskopnya sendiri. (in)
- Le microscope à effet tunnel (en anglais, scanning tunneling microscope, STM) est inventé en 1981 par des chercheurs d'IBM, Gerd Binnig et Heinrich Rohrer, qui reçurent le prix Nobel de physique pour cette invention en 1986. C'est un microscope en champ proche qui utilise un phénomène quantique, l'effet tunnel, pour déterminer la morphologie et la densité d'états électroniques de surfaces conductrices ou semi-conductrices avec une résolution spatiale pouvant être égale ou inférieure à la taille des atomes. (fr)
- Il microscopio a effetto tunnel (STM, dall'inglese Scanning Tunneling Microscope) è un potente strumento per lo studio delle superfici a livello atomico. Il suo sviluppo nel 1981 fruttò ai suoi inventori, Gerd Binnig e Heinrich Rohrer (all'IBM di Zurigo), il Premio Nobel per la Fisica nel 1986. Per un STM è considerata buona una risoluzione laterale di 0,1 nm e una risoluzione in profondità di 0,01 nm. Con questa risoluzione, i singoli atomi possono essere osservati e manipolati. Il STM può essere utilizzato non solo in condizioni particolari come l'ultra alto vuoto, ma anche nell'aria, nell'acqua e in vari altri liquidi o gas ambienti e a temperature che variano da quasi zero kelvin a poche centinaia di gradi Celsius. Il STM si basa sull'effetto tunnel. Quando una punta conduttrice è portata molto vicino alla superficie da esaminare, una differenza di potenziale applicata tra i due può permettere agli elettroni di attraversare il vuoto tra di loro per effetto tunnel. La "corrente di tunnelling" che ne risulta dipende dalla posizione della punta, della tensione applicata e della (LDOS, Local Density Of States) del campione. Misurando la corrente nei diversi punti della superficie del campione, si ottengono immagini topografiche e altre informazioni. La STM può essere una tecnica impegnativa, in quanto può richiedere superfici estremamente stabili e pulite, punte acuminate, ottimo e un'elettronica sofisticata. (it)
- Scanning tunneling microscopy (STM) is een techniek waarmee men op atomaire schaal de topografie van een voorwerp kan bepalen. Hij is rond 1980 ontwikkeld door onderzoekers van de IBM-onderzoekslaboratoria. STM was een grote revolutie, omdat voor het eerst atomen één voor één in beeld kwamen. In 1986 ontvingen de ontwikkelaars, Gerd Binnig en Heinrich Rohrer, voor hun werk de Nobelprijs voor de Natuurkunde. (nl)
- 주사 터널링 현미경(STM; Scanning Tunneling Microscope)은 원자 수준의 표면 이미지를 얻을 수 있는 장비다. 한국물리학회 공식 번역으로는 훑기 꿰뚫기 현미경이라고 옮기기도 하였다. 1981년에 IBM 취리히 연구소의 게르트 비니히(Gerd Binnig)과 하인리히 로러(Heinrich Rohrer)가 처음으로 개발했으며, 이 둘은 그 공을 인정 받아 1986년에 노벨 물리학상의 절반을 공동 수상했다. (나머지 절반은 주사 전자 현미경(SEM; Scanning Electron Microscope)을 발명한 공로로 에른스트 루스카(Ernst Ruska)가 공동 수상했다.) STM으로 시료 표면에 수평한 방향으로는 0.1 nm, 수직인 방향으로는 0.01 nm 정도의 높은 해상도를 달성할 수 있다. 이런 높은 공간 해상도를 가지고 있기 때문에 원자를 하나씩 본다거나 원자를 하나씩 움직이는 것도 가능하다. STM은 초고진공에서 상압에 이르기까지 다양한 압력에서 작동하며 용액 속에 잠긴 시료에 대해서 STM 측정을 하기도 한다. STM 측정이 이뤄지는 온도 범위도 상당히 넓어서, 거의 절대 0도에 가까운 온도에서 작동하는 극저온 또는 저온 STM에서 섭씨 수백 도 수준의 높은 온도에서 작동하는 고온 STM도 있다. STM은 전자의 양자역학적 터널링을 이용하는 장비다. 전도성 팁을 시료 표면에 아주 가깝게 가져간 상태에서 팁과 시료 사이에 바이어스 전압을 걸어주면 전자가 진공의 에너지 장벽을 꿰뚫고 한 쪽에서 다른 쪽으로 넘어갈 수 있다. 그 결과로 생기는 터널링 전류는 팁의 위치, 가해진 전압, 그리고 시료의 (LDOS; local density of states)에 의해 결정된다. 팁 끝으로 시료 표면을 훑으면서 팁과 시료 사이를 흐르는 터널링 전류를 측정하여 표면을 볼 수 있다. STM 실험을 하려면 극도로 깨끗하고 안정적인 표면, 아주 뾰족한 탐침, 고도의 진동 제어, 복잡한 전자회로 등이 필요하기 때문에 기술적으로 매우 어렵지만, 아주 간단한 수준의 STM을 취미로 만드는 사람도 있다. STM에 관한 첫 번째 특허는 과 하인리히 로러가 쓴 미국 특허 4,343,993이다. (ko)
- 走査型トンネル顕微鏡（そうさがたトンネルけんびきょう、Scanning Tunneling Microscope(STM)）は1982年、ゲルト・ビーニッヒ(G. Binnig)とハインリッヒ・ローラー(H. Rohrer)によって作り出された実験装置であり、走査型プローブ顕微鏡の一形式である。日本語において従来からある光学顕微鏡や電子顕微鏡の装置名の付け方からすると走査型トンネル効果プローブ電子顕微鏡などが相応しいのであるが、より簡便な言い回しもまた必要であり現在では走査型トンネル顕微鏡または単にトンネル顕微鏡と呼ばれる。非常に鋭く尖った探針を導電性の物質の表面または表面上の吸着分子に近づけ、流れるトンネル電流から表面の原子レベルの電子状態、構造など観測するもの。トンネル電流を使うことからこの名がある。 (ja)
- Skaningowy mikroskop tunelowy (ang. Scanning Tunneling Microscope, STM) – rodzaj mikroskopu z sondą skanującą (ang. Scanning Probe Microscope), który umożliwia uzyskanie obrazu powierzchni dzięki wykorzystaniu zjawiska tunelowego, od którego przyrząd ten wziął swoją nazwę. W rzeczywistości STM nie rejestruje fizycznej topografii próbki, ale dokonuje pomiaru obsadzonych i nieobsadzonych stanów elektronowych blisko powierzchni Fermiego. Ten sam skrót używany jest do określenia gałęzi mikroskopii – STM (ang. Scanning Tunneling Microscopy). Umożliwia uzyskanie obrazu powierzchni materiałów przewodzących ze zdolnością rozdzielczą rzędu pojedynczego atomu. (pl)
- Um microscópio de corrente (ou varredura) por tunelamento (conhecido também por STM, scanning tunneling microscope, sua sigla em inglês) é um instrumento que permite obter imagens de átomos e moléculas, isto é, imagens a nível atômico. Seu desenvolvimento, em 1981, fez com que seus inventores, Gerd Binnig e Heinrich Rohrer (IBM Zürich), recebessem o Prémio Nobel de Física em 1986. Para um STM, é considerado que uma boa resolução é 0,1 nm de resolução lateral e 0,01 nm de resolução de profundidade. Com esta resolução, átomos individuais dentro dos materiais são rotineiramente visualizados e manipulados. Um STM pode ser usado não apenas em ultra-alto vácuo mas também no ar, água e múltiplos outros líquidos ou ambientes gasosos, e em temperaturas que variam do zero absoluto a algumas centenas de graus Celsius. O STM é baseado no conceito de tunelamento quântico. Quando uma ponta condutora é posicionada muito próximo da superfície a ser analisada, uma corrente de polarização (diferença de tensão elétrica) aplicada entre os dois pode permitir aos electrões passar através do vácuo entre ambos. A corrente de tunelamento é uma função da posição da ponta, tensão elétrica aplicada e a densidade local de estados da amostra. A informação é adquirida monitorando a corrente conforme a posição da ponta através da superfície, e é usualmente visualizada em forma de uma imagem. A microscopia de varredura por tunelamento pode ser uma técnica desafiadora, já que requer superfícies extremamente limpas e estáveis, pontas afiadas, excelente controle de vibrações e eletrônica sofisticada. (pt)
- Sveptunnelmikroskop (STM) är ett icke-optiskt mikroskop med tillräckligt bra upplösning för att kunna särskilja atomer. Verkningsprincipen beror på den kvantmekaniska tunneleffekten av elektroner från en spets som sveper över en yta. Instrumentet uppfanns av Gerd Binnig och Heinrich Rohrer 1982 vid IBM i Zürich. Uppfinningen gav dem Nobelpriset i fysik 1986. (sv)
- Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ, англ. STM — scanning tunneling microscope) — вариант сканирующего зондового микроскопа, предназначенный для измерения рельефа проводящих поверхностей с высоким пространственным разрешением. (ru)
- Сканувальна тунельна мікроскопія (СТМ) (англ. scanning tunneling microscope) — метод дослідження детальної структури електропровідної поверхні з атомною точністю. В основі його лежить використання тунельного ефекту, що здійснюється так: до кінчика тоненької (молекулярних розмірів) голки, що розміщена над поверхнею, прикладається певна (дуже мала) напруга, що викликає невеликий квантово-механiчний тунельний струм для подолання енергетичного бар'єра між кінчиком голки та поверхнею. За величиною цього струму створюється топографічна карта поверхні. Збільшення напруги може привести до зміщення атомів поверхні або й викликати хімічну реакцію. (uk)
- 扫描隧道显微鏡（英語：Scanning Tunneling Microscope，缩写为STM），是一种利用量子隧穿效应探测物质表面结构的仪器。它于1981年由格尔德·宾宁及海因里希·罗雷尔在IBM位于瑞士苏黎世的苏黎世实验室发明，两位发明者因此与电子显微鏡的发明者恩斯特·鲁斯卡分享了1986年诺贝尔物理学奖。 扫描隧道显微鏡技术是扫描探针显微术的一种，基于对探针和表面之间的隧穿电流大小的探测，可以观察表面上单原子级别的起伏。此外，扫描隧道显微鏡在低温下可以利用探针尖端精确操纵单个分子或原子，因此它不仅是重要的微纳尺度测量工具，又是颇具潜力的微纳加工工具。 (zh)
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- المجهر الأنبوبي الماسح (بالإنجليزية: scanning tunneling microscope (STM)) تبلغ قوة التكبير في المجهر الانبوبي الماسح فأمكن حوالي مئة مليون مرة، يتصل به حاسوب يعمل على تحليل المعلومات الواردة إليه ليظهر صورة العينة بأبعادها الثلاثة. (ar)
- STM (z angl. Scanning Tunneling Microscope), jehož české označení zní řádkovací tunelový mikroskop, je druhem neoptického mikroskopu, který mapuje povrch vodivého vzorku pomocí změny průběhu potenciálu, resp. proudu při pohybu vodivé nad vzorkem. Přesněji se jedná o závislost množství elektronů (velikosti el. proudu), které tuneluje z materiálu do hrotu sondy a jež je exponenciálně závislé na vzdálenosti. STM byl vynalezen v roce 1981 Gerdem Binnigem a Heinrichem Rohrerem, kteří za tento objev získali Nobelovu cenu. (cs)
- Cineál micreascóip a úsáidtear le haghaidh dromchlaí a íomháú ag an leibhéal adamhach is ea tollánmhicreascóp scanacháin (TMS) Thuill a aireagóirí agus Heinrich Rohrer, a d'forbair é i 1981 ag IBM Zürich, an Duais Nobel san Fhisic sa bhliain 1986. Braitheann an TMS an dromchla trí rinne stiúrtha an-ghéar a úsáid a fhéadann idirdhealú a dhéanamh idir gnéithe níos lú ná 0.1 nm le 0.01 nm (10 in) taifeach doimhneachta . Ciallaíonn sé seo gur féidir adaimh aonair a íomháú agus a ionramháil go rialta. Tógtar an chuid is mó de na micreascóip le húsáid i bhfolús ultra-ard ag teochtaí ag druidim le nialas-ceilvin, ach tá malairtí ann le haghaidh staidéir san aer, san uisce agus i dtimpeallachtaí eile, agus le haghaidh teochtaí os cionn 1000 ° C. (ga)
- Le microscope à effet tunnel (en anglais, scanning tunneling microscope, STM) est inventé en 1981 par des chercheurs d'IBM, Gerd Binnig et Heinrich Rohrer, qui reçurent le prix Nobel de physique pour cette invention en 1986. C'est un microscope en champ proche qui utilise un phénomène quantique, l'effet tunnel, pour déterminer la morphologie et la densité d'états électroniques de surfaces conductrices ou semi-conductrices avec une résolution spatiale pouvant être égale ou inférieure à la taille des atomes. (fr)
- Scanning tunneling microscopy (STM) is een techniek waarmee men op atomaire schaal de topografie van een voorwerp kan bepalen. Hij is rond 1980 ontwikkeld door onderzoekers van de IBM-onderzoekslaboratoria. STM was een grote revolutie, omdat voor het eerst atomen één voor één in beeld kwamen. In 1986 ontvingen de ontwikkelaars, Gerd Binnig en Heinrich Rohrer, voor hun werk de Nobelprijs voor de Natuurkunde. (nl)
- 走査型トンネル顕微鏡（そうさがたトンネルけんびきょう、Scanning Tunneling Microscope(STM)）は1982年、ゲルト・ビーニッヒ(G. Binnig)とハインリッヒ・ローラー(H. Rohrer)によって作り出された実験装置であり、走査型プローブ顕微鏡の一形式である。日本語において従来からある光学顕微鏡や電子顕微鏡の装置名の付け方からすると走査型トンネル効果プローブ電子顕微鏡などが相応しいのであるが、より簡便な言い回しもまた必要であり現在では走査型トンネル顕微鏡または単にトンネル顕微鏡と呼ばれる。非常に鋭く尖った探針を導電性の物質の表面または表面上の吸着分子に近づけ、流れるトンネル電流から表面の原子レベルの電子状態、構造など観測するもの。トンネル電流を使うことからこの名がある。 (ja)
- Skaningowy mikroskop tunelowy (ang. Scanning Tunneling Microscope, STM) – rodzaj mikroskopu z sondą skanującą (ang. Scanning Probe Microscope), który umożliwia uzyskanie obrazu powierzchni dzięki wykorzystaniu zjawiska tunelowego, od którego przyrząd ten wziął swoją nazwę. W rzeczywistości STM nie rejestruje fizycznej topografii próbki, ale dokonuje pomiaru obsadzonych i nieobsadzonych stanów elektronowych blisko powierzchni Fermiego. Ten sam skrót używany jest do określenia gałęzi mikroskopii – STM (ang. Scanning Tunneling Microscopy). Umożliwia uzyskanie obrazu powierzchni materiałów przewodzących ze zdolnością rozdzielczą rzędu pojedynczego atomu. (pl)
- Sveptunnelmikroskop (STM) är ett icke-optiskt mikroskop med tillräckligt bra upplösning för att kunna särskilja atomer. Verkningsprincipen beror på den kvantmekaniska tunneleffekten av elektroner från en spets som sveper över en yta. Instrumentet uppfanns av Gerd Binnig och Heinrich Rohrer 1982 vid IBM i Zürich. Uppfinningen gav dem Nobelpriset i fysik 1986. (sv)
- Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ, англ. STM — scanning tunneling microscope) — вариант сканирующего зондового микроскопа, предназначенный для измерения рельефа проводящих поверхностей с высоким пространственным разрешением. (ru)
- Сканувальна тунельна мікроскопія (СТМ) (англ. scanning tunneling microscope) — метод дослідження детальної структури електропровідної поверхні з атомною точністю. В основі його лежить використання тунельного ефекту, що здійснюється так: до кінчика тоненької (молекулярних розмірів) голки, що розміщена над поверхнею, прикладається певна (дуже мала) напруга, що викликає невеликий квантово-механiчний тунельний струм для подолання енергетичного бар'єра між кінчиком голки та поверхнею. За величиною цього струму створюється топографічна карта поверхні. Збільшення напруги може привести до зміщення атомів поверхні або й викликати хімічну реакцію. (uk)
- 扫描隧道显微鏡（英語：Scanning Tunneling Microscope，缩写为STM），是一种利用量子隧穿效应探测物质表面结构的仪器。它于1981年由格尔德·宾宁及海因里希·罗雷尔在IBM位于瑞士苏黎世的苏黎世实验室发明，两位发明者因此与电子显微鏡的发明者恩斯特·鲁斯卡分享了1986年诺贝尔物理学奖。 扫描隧道显微鏡技术是扫描探针显微术的一种，基于对探针和表面之间的隧穿电流大小的探测，可以观察表面上单原子级别的起伏。此外，扫描隧道显微鏡在低温下可以利用探针尖端精确操纵单个分子或原子，因此它不仅是重要的微纳尺度测量工具，又是颇具潜力的微纳加工工具。 (zh)
- Un microscopi d'efecte túnel (anglès: Scanning tunneling microscope, o STM) és un instrument per prendre imatges de superfícies a nivell atòmic. Es va desenvolupar al 1981, i va permetre que els seus inventors, Gerd Binnig i Heinrich Rohrer (d'IBM Zürich), guanyessin el Premi Nobel de Física al 1986. Per un STM, es considera que una bona resolució és 0.1 nm de resolució lateral i 0.01 nm de resolució de profunditat. Amb aquesta resolució, es poden veure i manipular els àtoms individuals dels materials. L'STM pot ser usatfer-se servir no només en ultra alt buit, sinó també en aire, aigua, i diversos altres líquids o gasos de l'ambient, i a temperatures que abasten un rang molt ampli, des de gairebé zero Kelvin fins a uns pocs centenars de graus Celsius. (ca)
- Das Rastertunnelmikroskop (abgekürzt RTM, englisch scanning tunneling microscope, STM) gehört zu den Techniken der Rastersondenmikroskopie (engl. scanning probe microscopy, SPM), welche es ermöglichen, die Flächen gleicher Elektronenzustandsdichte von Oberflächen abzubilden. Das Funktionsprinzip des RTMs basiert auf dem quantenmechanischen Tunneleffekt. Bei einer angelegten Spannung zwischen einer feinen Spitze und einer Oberfläche führt dies bei einem ausreichend kleinen Abstand zu einem messbaren Tunnelstrom. Die Grundvoraussetzung für diese Art der Rastersondenmikroskopie sind eine elektrisch leitende Probe und eine elektrisch leitende Tunnelspitze. Rastert man nun zeilenweise über die Oberfläche und misst an jedem Messpunkt den Tunnelstrom, erhält man eine Höhentopographie konstanter E (de)
- To μικροσκόπιο σάρωσης σήραγγας (αγγλικά: scanning tunneling microscope, STM) είναι όργανο για την απεικόνιση επιφανειών σε ατομικό επίπεδο. Για την ανάπτυξή του (1981), το 1986 απονεμήθηκε το βραβείο Νόμπελ Φυσικής στους Μπίνιγκ (Binnig) και Ρόρερ (Rohrer). Επιτυγχάνει ανάλυση 0,1 nm στο επίπεδο και 0,01 nm (10 pm) εκτός επιπέδου. Μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την απεικόνιση αλλά και τη μετακίνηση μεμονωμένων ατόμων και μορίων στις επιφάνειες υλικών. Το μικροσκόπιο λειτουργεί σε πολύ υψηλό κενό, αέρα, νερό και άλλα περιβάλλοντα υγρών ή αερίων. Λειτουργεί ακόμα σε θερμοκρασίες που κυμαίνονται από 10 mK (κοντά στο απόλυτο μηδέν) έως πάνω από 1300 Κ (~ 1000 °C). (el)
- La tunel-efika mikroskopo aŭ skantunela mikroskopo (angla mallongigo STM el scanning tunneling microscopy) laboras per elektre kondukanta „kudrilo”, ofte nomata pinto kaj tio baziĝas je la kvantummeĥanika tunel-efiko. Okaze de uzata tensio inter la pinto (de mikroskopa sondilo) kaj surfaco estiĝas mezurebla tunela elektro. La uzebla tunelefika mikroskopo estis evoluigita je komenco de la 1980-aj jaroj. La tunela kurento (tipe 1 pA - 10 nA) sensas jam la ŝanĝiĝon je 100-ono de nm, tiel la pinto-surfaco-diferenco de tipe 0,5 - 1 nm devas stabile halti la ŝanĝiĝon malpli ol 1 %. (eo)
- Un microscopio de efecto túnel (en inglés, Scanning tunneling microscope o STM) es un instrumento para tomar imágenes de superficies a nivel atómico. Su desarrollo en 1981 hizo ganar a sus inventores, Gerd Binnig y Heinrich Rohrer (de IBM Zürich), el Premio Nobel de Física en 1986. Para un STM, se considera que una buena resolución es 0,1 nm de resolución lateral y 0.01 nm de resolución de profundidad. Con esta resolución, los átomos individuales dentro de los materiales son rutinariamente visualizados y manipulados. El STM puede ser usado no solo en ultra alto vacío, sino que también en aire, agua, y varios otros líquidos o gases del ambiente, y a temperaturas que abarcan un rango desde casi cero Kelvin hasta unos pocos cientos de grados Celsius. (es)
- Mikroskop penerowongan payaran (scanning tunneling microscope, STM) adalah instrumen untuk pencitraan permukaan pada tingkat atom. Pengembangannya pada tahun 1981 membuat penemunya, Gerd Binnig dan Heinrich Rohrer (di ) memperoleh Hadiah Nobel dalam Fisika pada tahun 1986. Untuk STM, resolusi yang baik dianggap 0,1 nm untuk resolusi lateral dan 0,01 nm untuk resolusi kedalaman (10pm). Dengan resolusi ini, masing-masing atom dalam bahan dicitrakan dan dimanipulasi secara rutin. STM dapat digunakan tidak hanya dalam kondisi vakum sangat tinggi tetapi juga di udara, air, dan berbagai cairan atau gas ambien lainnya, dan pada suhu mulai dari mendekati nol kelvin hingga lebih dari 1000 °C. (in)
- A scanning tunneling microscope (STM) is a type of microscope used for imaging surfaces at the atomic level. Its development in 1981 earned its inventors, Gerd Binnig and Heinrich Rohrer, then at IBM Zürich, the Nobel Prize in Physics in 1986. STM senses the surface by using an extremely sharp conducting tip that can distinguish features smaller than 0.1 nm with a 0.01 nm (10 pm) depth resolution. This means that individual atoms can routinely be imaged and manipulated. Most microscopes are built for use in ultra-high vacuum at temperatures approaching zero kelvin, but variants exist for studies in air, water and other environments, and for temperatures over 1000 °C. (en)
- Il microscopio a effetto tunnel (STM, dall'inglese Scanning Tunneling Microscope) è un potente strumento per lo studio delle superfici a livello atomico. Il suo sviluppo nel 1981 fruttò ai suoi inventori, Gerd Binnig e Heinrich Rohrer (all'IBM di Zurigo), il Premio Nobel per la Fisica nel 1986. Per un STM è considerata buona una risoluzione laterale di 0,1 nm e una risoluzione in profondità di 0,01 nm. Con questa risoluzione, i singoli atomi possono essere osservati e manipolati. Il STM può essere utilizzato non solo in condizioni particolari come l'ultra alto vuoto, ma anche nell'aria, nell'acqua e in vari altri liquidi o gas ambienti e a temperature che variano da quasi zero kelvin a poche centinaia di gradi Celsius. (it)
- 주사 터널링 현미경(STM; Scanning Tunneling Microscope)은 원자 수준의 표면 이미지를 얻을 수 있는 장비다. 한국물리학회 공식 번역으로는 훑기 꿰뚫기 현미경이라고 옮기기도 하였다. 1981년에 IBM 취리히 연구소의 게르트 비니히(Gerd Binnig)과 하인리히 로러(Heinrich Rohrer)가 처음으로 개발했으며, 이 둘은 그 공을 인정 받아 1986년에 노벨 물리학상의 절반을 공동 수상했다. (나머지 절반은 주사 전자 현미경(SEM; Scanning Electron Microscope)을 발명한 공로로 에른스트 루스카(Ernst Ruska)가 공동 수상했다.) STM으로 시료 표면에 수평한 방향으로는 0.1 nm, 수직인 방향으로는 0.01 nm 정도의 높은 해상도를 달성할 수 있다. 이런 높은 공간 해상도를 가지고 있기 때문에 원자를 하나씩 본다거나 원자를 하나씩 움직이는 것도 가능하다. STM은 초고진공에서 상압에 이르기까지 다양한 압력에서 작동하며 용액 속에 잠긴 시료에 대해서 STM 측정을 하기도 한다. STM 측정이 이뤄지는 온도 범위도 상당히 넓어서, 거의 절대 0도에 가까운 온도에서 작동하는 극저온 또는 저온 STM에서 섭씨 수백 도 수준의 높은 온도에서 작동하는 고온 STM도 있다. (ko)
- Um microscópio de corrente (ou varredura) por tunelamento (conhecido também por STM, scanning tunneling microscope, sua sigla em inglês) é um instrumento que permite obter imagens de átomos e moléculas, isto é, imagens a nível atômico. Seu desenvolvimento, em 1981, fez com que seus inventores, Gerd Binnig e Heinrich Rohrer (IBM Zürich), recebessem o Prémio Nobel de Física em 1986. Para um STM, é considerado que uma boa resolução é 0,1 nm de resolução lateral e 0,01 nm de resolução de profundidade. Com esta resolução, átomos individuais dentro dos materiais são rotineiramente visualizados e manipulados. Um STM pode ser usado não apenas em ultra-alto vácuo mas também no ar, água e múltiplos outros líquidos ou ambientes gasosos, e em temperaturas que variam do zero absoluto a algumas centenas (pt)
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