An Entity of Type: Part113809207, from Named Graph: http://dbpedia.org, within Data Space: dbpedia.org

In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field.

Property Value
dbo:abstract
  • En la física de l'estat sòlid, la mobilitat dels electrons es caracteritza per la rapidesa amb què un electró es pot moure a través d'un metall o semiconductor, quan és atret per un camp elèctric. En els semiconductors, hi ha una quantitat anàloga per als forats, anomenada mobilitat dels forats. El terme de mobilitat del portador es refereix en general a la mobilitat tant d'electrons com de forats en semiconductors. La mobilitat dels electrons i dels forat són casos especials de la mobilitat elèctrica de les partícules carregades en un fluid sota un camp elèctric aplicat. Quan s'aplica un camp elèctric E a través d'una peça de material, els electrons responen movent-se amb una velocitat mitjana anomenada velocitat de deriva, . A continuació, amb el valor μ de la mobilitat dels electrons: . La mobilitat dels electrons gairebé sempre s'especifica en cm²/(V·s). Això és diferent de la unitat de mobilitat, m²/(V·s), del SI. Així tenen una conversió de 1m²/(V·s) = 104cm²/(V·s). (ca)
  • في الفيزياء، تعتبر حركية الإلكترون أو انتقالية الإلكترون (أو ببساطة، الحركية أو الانتقالية) كمية تربط بين سرعة انجراف الالكترونات والمجال الكهربائي المسلط عبر مادة، وفقا للعلاقة: حيث سرعة الانجراف m/s (بوحدات إس آي) /s (بوحداتنظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية). المجال الكهربائي المسلط V/(m (SI / بوحداتcgs. الحركية (m2/(V·s, في وحدات إس آي، أوcm2/·s, بوحدات نظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية. وحدة حركية ممزوجة من 1 (/(V·s) = 0.0001 m2/(V·s تستعمل أيضا عادة. أنها تطبيق للالكترونات ذات الظاهرة الأعم حركية كهربائية للجسيمات المشحونة لمائع تحت تأثير مجال كهربائي. في أشباه الموصلات، يمكن تطبيق حركية على الإلكترونيات . (ar)
  • In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. When an electric field E is applied across a piece of material, the electrons respond by moving with an average velocity called the drift velocity, . Then the electron mobility μ is defined as Electron mobility is almost always specified in units of cm2/(V⋅s). This is different from the SI unit of mobility, m2/(V⋅s). They are related by 1 m2/(V⋅s) = 104 cm2/(V⋅s). Conductivity is proportional to the product of mobility and carrier concentration. For example, the same conductivity could come from a small number of electrons with high mobility for each, or a large number of electrons with a small mobility for each. For semiconductors, the behavior of transistors and other devices can be very different depending on whether there are many electrons with low mobility or few electrons with high mobility. Therefore mobility is a very important parameter for semiconductor materials. Almost always, higher mobility leads to better device performance, with other things equal. Semiconductor mobility depends on the impurity concentrations (including donor and acceptor concentrations), defect concentration, temperature, and electron and hole concentrations. It also depends on the electric field, particularly at high fields when velocity saturation occurs. It can be determined by the Hall effect, or inferred from transistor behavior. (en)
  • 電子移動度(でんしいどうど、electron mobility)とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう。 単に移動度という場合は、キャリアの移動のしやすさを示す。半導体の場合、キャリアとは、電子および正孔のことである。 (ja)
  • 전자이동도(電子移動度, 영어: Electron Mobility)는 외부에서 가해진 전기장 에 대한 전자의 표류 속도의 비로 정의된다. 2차원 전자계에서는 매우 낮은 산란도(Scattering rates)를 가진다. 평형 상태(Equilibrium state)에서 전도 전자(Conduction electron)들이 임의의 방향으로 움직이기 때문에 전류의 흐름은 없다. 평형 상태에서 특정 방향으로 외부 전기장 을 가해 주면 전도 전자들은 외부 전기장의 방향으로 의 힘을 받아 표류(drift)를 하게 되고 그에 따라 전류 흐름이 생긴다. 안정된 상태 (Steady state)에서 외부 전기장 때문에 생기는 전도 전자들의 운동량(Momentum) 변화는 산란에 의해 잃게 되는 운동량 변화와 정확하게 일치한다. 그리고 을 운동량 완화 시간(momentum relaxation time)이라고 한다면 을 만족하고, 이 경우 mobility 는 가 된다. 이 식에서 보는 바와 같이 전자 이동도는 운동량 완화 시간과 관련이 있다. (ko)
  • Ruchliwość nośników – w fizyce oraz chemii, wielkość wyrażająca związek między prędkością dryfu elektronów, jonów lub innych nośników ładunku, i zewnętrznym polem elektrycznym. Ruchliwością nazywa się czasem również sam proces ruchu skierowanego (dryfowania) nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego. W przypadku ciał stałych ruchliwość elektronów oraz dziur (ruchliwość nośników ładunku) zależy od temperatury. (pl)
  • Mobilidade é a velocidade adquirida por um transportador de carga elétrica sob a ação de um campo elétrico unitário. Em Física do estado sólido, a mobilidade do elétron caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor, quando submetido a um campo elétrico. Em semicondutores, existe um quantitativo análogo para buracos, denominado mobilidade do buraco. A expressão mobilidade do portador [de carga elétrica] refere-se, geralmente, tanto à mobilidade do elétron como à mobilidade do buraco em semicondutores. Mobilidade do elétron e mobilidade do buraco são casos especiais de mobilidade elétrica de partículas carregadas, em um fluido submetido a um campo elétrico. Quando um campo elétrico E é aplicado a uma peça de material, os elétrons respondem movendo-se a uma velocidade média chamada velocidade de deriva, . Portanto a mobilidade do elétron μ é definida como: * Este artigo foi inicialmente traduzido, total ou parcialmente, do artigo da Wikipédia em inglês cujo título é «Electron mobility», especificamente desta versão. (pt)
  • Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности м2/(В·с) или см2/(В·с). Фактически подвижность численно равна средней скорости носителей заряда при напряженности электрического поля в 1 В/м. Стоит заметить, что мгновенная скорость может быть много больше дрейфовой. Понятие подвижности может применяться только при слабых электрических полях, когда выполняется линейность по электрическому полю и нет разогрева носителей, которое связано с квадратом электрического поля. (ru)
  • Рухливість носіїв заряду або мобільність носіїв заряду — кількісна характеристика носія заряду, яка визначає його вклад у провідність. Позначається здебільшого літерою μ, вимірюється в системі SI у м2/B · c. На практиці, проте, частіше використовується одинця см²/B·c. (uk)
  • 电子迁移率(英語:electron mobility)是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子,在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中,另一个类似的物理量称为空穴迁移率(hole mobility)。人们常用载流子迁移率(carrier mobility)来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。 (zh)
dbo:thumbnail
dbo:wikiPageExternalLink
dbo:wikiPageID
  • 760994 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength
  • 51258 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 1124248360 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink
dbp:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
rdf:type
rdfs:comment
  • 電子移動度(でんしいどうど、electron mobility)とは、固体の物質中での電子の移動のしやすさを示す量である。易動度ともいう。 単に移動度という場合は、キャリアの移動のしやすさを示す。半導体の場合、キャリアとは、電子および正孔のことである。 (ja)
  • 전자이동도(電子移動度, 영어: Electron Mobility)는 외부에서 가해진 전기장 에 대한 전자의 표류 속도의 비로 정의된다. 2차원 전자계에서는 매우 낮은 산란도(Scattering rates)를 가진다. 평형 상태(Equilibrium state)에서 전도 전자(Conduction electron)들이 임의의 방향으로 움직이기 때문에 전류의 흐름은 없다. 평형 상태에서 특정 방향으로 외부 전기장 을 가해 주면 전도 전자들은 외부 전기장의 방향으로 의 힘을 받아 표류(drift)를 하게 되고 그에 따라 전류 흐름이 생긴다. 안정된 상태 (Steady state)에서 외부 전기장 때문에 생기는 전도 전자들의 운동량(Momentum) 변화는 산란에 의해 잃게 되는 운동량 변화와 정확하게 일치한다. 그리고 을 운동량 완화 시간(momentum relaxation time)이라고 한다면 을 만족하고, 이 경우 mobility 는 가 된다. 이 식에서 보는 바와 같이 전자 이동도는 운동량 완화 시간과 관련이 있다. (ko)
  • Ruchliwość nośników – w fizyce oraz chemii, wielkość wyrażająca związek między prędkością dryfu elektronów, jonów lub innych nośników ładunku, i zewnętrznym polem elektrycznym. Ruchliwością nazywa się czasem również sam proces ruchu skierowanego (dryfowania) nośników ładunku pod wpływem pola elektrycznego. W przypadku ciał stałych ruchliwość elektronów oraz dziur (ruchliwość nośników ładunku) zależy od temperatury. (pl)
  • Подвижность носителей заряда — коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью носителей и приложенным внешним электрическим полем. Определяет способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешнее воздействие. Размерность подвижности м2/(В·с) или см2/(В·с). Фактически подвижность численно равна средней скорости носителей заряда при напряженности электрического поля в 1 В/м. Стоит заметить, что мгновенная скорость может быть много больше дрейфовой. Понятие подвижности может применяться только при слабых электрических полях, когда выполняется линейность по электрическому полю и нет разогрева носителей, которое связано с квадратом электрического поля. (ru)
  • Рухливість носіїв заряду або мобільність носіїв заряду — кількісна характеристика носія заряду, яка визначає його вклад у провідність. Позначається здебільшого літерою μ, вимірюється в системі SI у м2/B · c. На практиці, проте, частіше використовується одинця см²/B·c. (uk)
  • 电子迁移率(英語:electron mobility)是固体物理学中用于描述金属或半导体内部电子,在电场作用下移动快慢程度的物理量。在半导体中,另一个类似的物理量称为空穴迁移率(hole mobility)。人们常用载流子迁移率(carrier mobility)来指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。 (zh)
  • في الفيزياء، تعتبر حركية الإلكترون أو انتقالية الإلكترون (أو ببساطة، الحركية أو الانتقالية) كمية تربط بين سرعة انجراف الالكترونات والمجال الكهربائي المسلط عبر مادة، وفقا للعلاقة: حيث سرعة الانجراف m/s (بوحدات إس آي) /s (بوحداتنظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية). المجال الكهربائي المسلط V/(m (SI / بوحداتcgs. الحركية (m2/(V·s, في وحدات إس آي، أوcm2/·s, بوحدات نظام وحدات سنتيمتر غرام ثانية. وحدة حركية ممزوجة من 1 (/(V·s) = 0.0001 m2/(V·s تستعمل أيضا عادة. أنها تطبيق للالكترونات ذات الظاهرة الأعم حركية كهربائية للجسيمات المشحونة لمائع تحت تأثير مجال كهربائي. (ar)
  • En la física de l'estat sòlid, la mobilitat dels electrons es caracteritza per la rapidesa amb què un electró es pot moure a través d'un metall o semiconductor, quan és atret per un camp elèctric. En els semiconductors, hi ha una quantitat anàloga per als forats, anomenada mobilitat dels forats. El terme de mobilitat del portador es refereix en general a la mobilitat tant d'electrons com de forats en semiconductors. La mobilitat dels electrons i dels forat són casos especials de la mobilitat elèctrica de les partícules carregades en un fluid sota un camp elèctric aplicat. . (ca)
  • In solid-state physics, the electron mobility characterises how quickly an electron can move through a metal or semiconductor when pulled by an electric field. There is an analogous quantity for holes, called hole mobility. The term carrier mobility refers in general to both electron and hole mobility. Electron and hole mobility are special cases of electrical mobility of charged particles in a fluid under an applied electric field. (en)
  • Mobilidade é a velocidade adquirida por um transportador de carga elétrica sob a ação de um campo elétrico unitário. Em Física do estado sólido, a mobilidade do elétron caracteriza a rapidez com que um elétron pode se mover através de um metal ou semicondutor, quando submetido a um campo elétrico. Em semicondutores, existe um quantitativo análogo para buracos, denominado mobilidade do buraco. A expressão mobilidade do portador [de carga elétrica] refere-se, geralmente, tanto à mobilidade do elétron como à mobilidade do buraco em semicondutores. (pt)
rdfs:label
  • حركية الإلكترون (ar)
  • Mobilitat dels electrons (ca)
  • Electron mobility (en)
  • 電子移動度 (ja)
  • 전자 이동도 (ko)
  • Ruchliwość (pl)
  • Mobilidade (Física) (pt)
  • Подвижность носителей заряда (ru)
  • Рухливість носіїв заряду (uk)
  • 电子迁移率 (zh)
rdfs:seeAlso
owl:differentFrom
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:wikiPageDisambiguates of
is dbo:wikiPageRedirects of
is dbo:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of
Powered by OpenLink Virtuoso    This material is Open Knowledge     W3C Semantic Web Technology     This material is Open Knowledge    Valid XHTML + RDFa
This content was extracted from Wikipedia and is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 Unported License