| dbo:abstract
|
- PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P. Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008. Funkce tranzistorů PMOS (MOSFET typu P) je založena na vytváření (indukovaného kanálu) v substrátu typu N přivedením dostatečně velkého záporného napětí na elektrodu nazývanou hradlo (G), čímž dojde k přitažení děr k elektrodě G. Vzniklá vrstva nazývaná p-kanál, může vést díry mezi elektrodami „source“ a „drain“ .Tranzistory PMOS mají jako jiné tranzistory MOSFET čtyři režimy činnosti: závěrný (anglicky cut-off, subthreshold), triodový (lineární), režim saturace (někdy nazývaný aktivní) a saturace rychlosti nosičů (anglicky velocity saturation). (cs)
- منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب أو PMOS اختصارًا (من P-channel metal – oxide – semiconductor) عبارة عن عائلة من الدوائر الرقمية تعتمد على القناة p، وضع التعزيز الترانزستورات ذات التأثير الميداني لأكسيد أشباه الموصلات (MOSFET). في أواخر الستينيات وأوائل السبعينيات، كان منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب هو تقنية أشباه الموصلات المهيمنة للدوائر المتكاملة واسعة النطاق قبل أن تحل محلها أجهزة منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب وأشباه الموصلات ذات الأكاسيد المعندية المتتامة. (ar)
- Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.Schaltkreise, die neben Widerständen nur p-Kanal-MOSFETs als Transistoren nutzen, werden als PMOS-Logik bezeichnet. Sie stellt das Komplement zur NMOS-Logik (n-channel metal-oxide-semiconductor) dar, die Elektronen zur Leitung des elektrischen Stroms im Kanal nutzt. Schaltkreise beider Art wurden und werden mit der sogenannten Silizium-Gate-Technik (auch PMOS-Prozess) hergestellt. (de)
- PMOS or pMOS logic (from p-channel metal–oxide–semiconductor) is a family of digital circuits based on p-channel, enhancement mode metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). In the late 1960s and early 1970s, PMOS logic was the dominant semiconductor technology for large-scale integrated circuits before being superseded by NMOS and CMOS devices. (en)
- La logica PMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo P per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistor PMOS operano creando uno strato di inversione in un substrato di tipo N. Questo strato di inversione, chiamato canale P, può condurre delle lacune tra i terminali source e drain di tipo P. Il canale P viene creato applicando una tensione elettrica sul terzo terminale, che prende il nome di gate. Come gli altri MOSFET, i transistor PMOS hanno tre modi di operare: in zona di interdizione, in zona di triodo e in zona di saturazione. La logica PMOS è semplice da progettare e costruire (un MOSFET può essere creato per operare come un resistore, quindi l'intero circuito può essere costruito a partire da transistor a effetto di campo di tipo PMOS), ma ciò comporta anche diversi difetti. Il problema peggiore è dato dalla presenza di una corrente continua che attraversa una porta logica PMOS quando la rete di pull-up è attiva, ossia ogni volta che l'uscita è alta, e ciò comporta una dissipazione di potenza statica anche quando il circuito è a riposo. Inoltre i circuiti PMOS sono lenti nella transizione da segnale alto a basso. Quando effettuano la transizione da basso ad alto, i transistor forniscono una bassa resistenza, e la carica capacitiva in uscita si accumula molto velocemente (come quando si carica un condensatore attraverso una resistenza molto piccola). Ma la resistenza tra l'uscita e il terminale negativo di alimentazione è molto più grande, perciò la transizione alto-basso dura molto di più (come quando si scarica un condensatore attraverso una resistenza grande). L'impiego di un resistore di valore più basso velocizzerà il processo, ma incrementerà di contro la dissipazione di potenza statica. Come se non bastasse, i livelli degli ingressi logici asimmetrici rendono i circuiti PMOS sensibili al rumore. La maggior parte dei circuiti integrati PMOS richiedono un'alimentazione tra i 17 e i 24 volt in corrente continua. Il microprocessore di tipo PMOS Intel 4004, tuttavia, utilizzava una logica PMOS in polisilicio anziché con porte metalliche, consentendo un differenziale di tensione. Per avere una compatibilità con i segnali TTL, l'Intel 4004 prevedeva una tensione di alimentazione positiva VSS=+5V ed una tensione di alimentazione negativa VDD = -10V. Sebbene fosse inizialmente più semplice da costruire, la logica PMOS venne in seguito soppiantata dalla logica NMOS, che impiega transistor con canale N ed è più veloce. I moderni circuiti integrati sono invece realizzati con la logica CMOS, che utilizza sia transistor con canale N sia transistor con canale P. (it)
- pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років. (uk)
- pMOS — технология производства элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel , . Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет. (ru)
|
| rdfs:comment
|
- منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب أو PMOS اختصارًا (من P-channel metal – oxide – semiconductor) عبارة عن عائلة من الدوائر الرقمية تعتمد على القناة p، وضع التعزيز الترانزستورات ذات التأثير الميداني لأكسيد أشباه الموصلات (MOSFET). في أواخر الستينيات وأوائل السبعينيات، كان منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب هو تقنية أشباه الموصلات المهيمنة للدوائر المتكاملة واسعة النطاق قبل أن تحل محلها أجهزة منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب وأشباه الموصلات ذات الأكاسيد المعندية المتتامة. (ar)
- Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.Schaltkreise, die neben Widerständen nur p-Kanal-MOSFETs als Transistoren nutzen, werden als PMOS-Logik bezeichnet. Sie stellt das Komplement zur NMOS-Logik (n-channel metal-oxide-semiconductor) dar, die Elektronen zur Leitung des elektrischen Stroms im Kanal nutzt. Schaltkreise beider Art wurden und werden mit der sogenannten Silizium-Gate-Technik (auch PMOS-Prozess) hergestellt. (de)
- PMOS or pMOS logic (from p-channel metal–oxide–semiconductor) is a family of digital circuits based on p-channel, enhancement mode metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). In the late 1960s and early 1970s, PMOS logic was the dominant semiconductor technology for large-scale integrated circuits before being superseded by NMOS and CMOS devices. (en)
- pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років. (uk)
- pMOS — технология производства элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel , . Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет. (ru)
- PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P. Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008. (cs)
- La logica PMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo P per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistor PMOS operano creando uno strato di inversione in un substrato di tipo N. Questo strato di inversione, chiamato canale P, può condurre delle lacune tra i terminali source e drain di tipo P. (it)
|
