| dbo:abstract
|
- ثنائي قن (بالإنجليزية: Gunn diode) و على عكس ما يوحي الاسم فهو ليس ثنائيا مثل الثنائي الضوئي أو الثنائي المشع و لكن يسمى بهذا الاسم لانه ثنائي الأطراف أولا و مصنوع من مادة شبه موصلة ثانيا. يستعمل هذا الثنائي لتوليد موجات كهرومغناطيسية بترددات تتراوح ما بين 1 جيجا و 100 جيجا و حتى نطاق التيراهرتز. يستهلك هذا الثنائي ما بين 1 إلى 5 واط وكفائته تتراوح من 0.2 % إلى 20 % و بقية الطاقة تتبدد على شكل حرارة و لذلك يقتضي استعمال لامتصاص الحرارة التي يمكن لها أن تتلف الثنائي. يعتمد الثنائي في عمله على ظاهرة قن. (ar)
- Die Gunndiode oder Gunnelement ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement, das für die Mikrowellenerzeugung eingesetzt wird. Es handelt sich um keine Halbleiterdiode im eigentlichen Sinn, jedoch hat es sich bei diesem Bauelement etabliert, von Anode und Kathode zu sprechen, um zwischen dem positiven und negativen Kontakt zu unterscheiden. Grundlage der Funktion ist der 1963 von John Battiscombe Gunn entdeckte Gunneffekt. (de)
- A Gunn diode, also known as a transferred electron device (TED), is a form of diode, a two-terminal semiconductor electronic component, with negative resistance, used in high-frequency electronics. It is based on the "Gunn effect" discovered in 1962 by physicist J. B. Gunn. Its largest use is in electronic oscillators to generate microwaves, in applications such as radar speed guns, microwave relay data link transmitters, and automatic door openers. Its internal construction is unlike other diodes in that it consists only of N-doped semiconductor material, whereas most diodes consist of both P and N-doped regions. It therefore conducts in both directions and cannot rectify alternating current like other diodes, which is why some sources do not use the term diode but prefer TED. In the Gunn diode, three regions exist: two of those are heavily N-doped on each terminal, with a thin layer of lightly n-doped material between. When a voltage is applied to the device, the electrical gradient will be largest across the thin middle layer. If the voltage is increased, the current through the layer will first increase, but eventually, at higher field values, the conductive properties of the middle layer are altered, increasing its resistivity, and causing the current to fall. This means a Gunn diode has a region of negative differential resistance in its current–voltage characteristic curve, in which an increase of applied voltage, causes a decrease in current. This property allows it to amplify, functioning as a radio frequency amplifier, or to become unstable and oscillate when it is biased with a DC voltage. (en)
- Gunn diodoa goi-frekuentziako zirkuituetan erabiltzen den diodo mota bat da. Diodo arruntak ez bezala, ez du P motako dopaketarik, eta N motako material erdieroalez egina dago. Gunn diodoak hiru eskualde ditu: horietatik bik N motako dopaketa handia dute eta eskualde horien artean N motako dopaketa txikiko geruza bat jartzen da, bi eskualde horiek bereizteko. Gunn diodoek erresistentzia diferentzial negatiboko eskualde bat dute. egindako Gunn diodoak 200 GHz arte dabiltza. berriz, 3 THz arte. (eu)
- El diodo Gunn es un tipo de diodo usado en la electrónica de potencia y de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa. La frecuencia de la oscilación obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero también puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinación con circuitos resonantes construidos con guías de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en inglés) y la sintonización es realizada mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son eléctricos. Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. El dispositivo recibe su nombre del científico británico, nacido en Egipto, quien produjo el primero de estos diodos basado en los cálculos teóricos del profesor y científico británico Cyril Hilsum. (es)
- Une diode Gunn est un type de diode utilisée en électronique supra haute fréquence et extrêmement haute fréquence. Cette diode exploite l’effet Gunn se produisant dans des semi-conducteurs, en particulier le GaAs. Contrairement à la diode P-N constituée de deux parties semi-conductrices, l'une dopée en accepteur (dopage de type P) et l'autre en donneur d'électron (type N), la diode Gunn ne nécessite qu'un seul type de dopage de type N. Dans une diode Gunn, trois régions existent, deux d'entre elles, proches des connexions, sont fortement dopées (N++), la fine partie centrale est quant à elle faiblement dopée (N-). Le comportement de résistance différentielle négative est la conséquence de l'apparition et l'augmentation d'une transition intervallée des électrons de conduction à mesure que la tension de la diode augmente. Cette transition est défavorable à la vitesse de dérive des électrons, ce qui provoque la chute du courant.La transition s'estompe à plus forte tension et le comportement de résistance différentielle négative aussi. La résistance négative associée avec les propriétés de la couche intermédiaire permet la construction d'un oscillateur simplement en appliquant un courant convenable au composant. La fréquence d'oscillation étant déterminée en partie par la couche centrale, mais pouvant être ajustée par des facteurs externes : les diodes Gunn sont utilisées dans la construction d'oscillateurs à partir de 10 GHz, une cavité résonante est souvent utilisée pour accorder l'oscillateur. La diode à effet tunnel montre un comportement de résistance différentielle négative similaire, mais l'effet Gunn et l'effet tunnel sont différents. La diode Gunn n'est presque plus utilisée de nos jours. L'instabilité en fréquence des cavités résonantes à diode Gunn ainsi que son bruit de phase élevé en sont les causes principales. (fr)
- ガン・ダイオード（英: Gunn diode）は、マイクロ波発振器などに使われるダイオードの一種。通常のダイオードがP型半導体とN型半導体から構成されるのに対し、ガン・ダイオードはN型半導体のみにより構成される。物理学者の名に由来する。 素子に電圧をかけていくにつれて素子内部の電子の速度が増加するが、ある臨界値になると結晶格子により電子の速度エネルギーが吸収され、電子の速度が減少する。この臨界値より大きい電圧を結晶にかけると、結晶の中の負電極の近くに電界の高い領域が発生し、この領域が素子の内部を正電極に向けて移動する。この現象が高速で連続することにより、マイクロ波が発生する。出力は小さく、主に通信用のマイクロ波発振器で利用される。 研究レベルでは、テラヘルツを超える周波数のガン・ダイオードも報告されている。 (ja)
- 건 다이오드(Gunn Diode)는 반도체 다이오드의 일종으로 고주파 발진기 등에 활용된다. 1963년 미국 IBM사의 John Battiscombe Gunn에 의해 발명되었으며 일반 다이오드처럼 PN 접합 구조가 아니라 갈륨비소(GaAs),인화인듐(InP) 또는 텔루륨화카드뮴(CdTe) 등의 N형 반도체 양면에 평행으로 전극을 붙여 만들어진다. 에사키 다이오드와 유사하게 부성저항 특성을 나타내며 이를 이용해 마이크로파 대역의 발진소자로 이용된다. 10V내외의 직류전원만 인가하면 발진하므로 회로 구성이 매우 간단한 장점이 있으나 주파수가 온도나 전압에 민감하므로 안정적인 발진을 위해 공동공진기(cavity resonator)나 PLL회로를 구성하여 규격화된 모듈이 통신용에서 사용된다. 진공관 기반의 클라이스트론에 비해 효율이 매우 높으며 소형화에 유리하다. (ko)
- De Gunn-diode is een diode die wordt gebruikt in low noise hoogfrequent toepassingen. Hierbij is het een uitdaging om vermogen te leveren bij hoge frequenties. Hoewel er gesproken wordt van een diode, is er geen pn-junctie aanwezig. Er zijn echter wel twee elektroden. Als symbool wordt soms een gewone diode gebruikt, maar er kan ook gebruik worden gemaakt van twee gevulde driehoeken waarbij de toppen elkaar raken. (nl)
- Un diodo Gunn, detto anche TED (transferred electron device), è una sorta di diodo usato nell'elettronica ad alta frequenza. Il suo funzionamento è basato sull' (Gunn effect), scoperto nel 1962 dal fisico . Consiste solo di semiconduttore drogato N, mentre solitamente i diodi consistono della giunzione di entrambe le regioni drogate P ed N. Nel diodo Gunn esistono 3 regioni: 2 drogate pesantemente N su entrambi i terminali e, all'interno, uno strato sottile e debolmente drogato. Quando viene applicata una tensione al dispositivo il gradiente elettrico sarà maggiore attraverso lo strato più sottile. La conduzione ha luogo come in ogni semiconduttore, con la corrente proporzionale alla tensione applicata. Alla fine, a valori di campo maggiori, le proprietà conduttive dello strato centrale vengono alterate aumentando la sua resistività e diminuendo il gradiente attraverso di esso, frenando l'ulteriore flusso della corrente, che inizia così a diminuire. In sostanza il diodo Gunn ha una regione a differenziale di resistenza negativo. Il differenziale di resistenza negativo, assieme alle proprietà temporali dello strato intermedio, permette la costruzione di un oscillatore a rilassamento in radiofrequenze applicando una corrente continua regolabile attraverso il dispositivo. (it)
- Дио́д Га́нна — тип полупроводниковых диодов, не имеющих в структуре p-n-переходов, используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Основан на эффекте Ганна — явлении осцилляций тока в многодолинном проводнике при приложении к нему сильного электрического поля, открытом Джоном Ганном в 1963 году. В отличие от других типов диодов принцип действия диода Ганна основан не на процессах в p-n-переходе, то есть все его свойства определяются не эффектами, которые возникают в местах соединения двух различных полупроводников, а собственными нелинейными свойствами применяемого полупроводникового материала. В советской литературе диоды Ганна называли приборами с объёмной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, так как активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из «центральной» энергетической долины (минимума энергии) в «боковую» долину, где они уже имеют малую подвижность и большую эффективную массу. В иностранной литературе диод Ганна называют TED (Transferred Electron Device — прибор с переносом электронов). На основе эффекта Ганна созданы генераторные и усилительные диоды, применяемые в качестве генераторов накачки в параметрических усилителях, гетеродинов в супергетеродинных приемниках, генераторов в маломощных передатчиках и в измерительной технике. (ru)
- En Gunndiod (döpt efter fysikern , på engelska även kallad Transferred Electron Device eller TED) är en form av diod som används i högfrekvenssammanhang. Galliumarsenid (GaAs) tillåter användning i svängningskretsar upp till 200 GHz medan galliumnitrid (GaN) tillåter användning i högre frekvenser - upp till flera THz. Den skiljer sig från andra dioder genom att den bara består av N-dopat material medan de flesta andra typer av dioder består av både P- och N-dopade regioner. Gunndioden delas upp i tre regioner där två av dem är hårt dopade på båda sidor om terminalerna och de mellanliggande regionen är tunn och lätt dopad. När en elektrisk spänning läggs över terminalerna kommer den elektriska kraften att vara störst i mittregionen. Denna region kommer således börja leda ström samtidigt som gradienten kommer att sjunka vilket förhindrar att dioden leder ytterligare. I praktiken innebär detta att en Gunndiod har ett arbetsområde där det kan fungera som negativ resistans. (sv)
- Dioda Gunna – półprzewodnikowy lub próżniowy rodzaj diody mikrofalowej przeznaczony do pracy w zakresie częstotliwości mikrofalowych od wartości pojedynczych gigaherców do pojedynczych teraherców. W 1963 roku John Battiscombe Gunn (J.B. Gunn), jako pierwszy zauważył, że w płytkach z arsenku galu niewielkiej grubości, po dostarczeniu im wystarczająco dużego napięcia generowane są bardzo wysokie częstotliwości drgań. Elementy te zazwyczaj są wykonane z arsenku galu (GaAs), a ich maksymalna częstotliwość pracy wynosi około 200 GHz. Natomiast diody Gunna wykonane z azotku galu (GaN) zostały przystosowane wynieść do 3 THz. Diody mikrofalowe są zwykle używane jako substytut diod germanowych, gdy wymagane jest niskie napięcie progowe Up (rzędu 0.3-0.4V). Diody Gunna mają bardzo krótkie czasy przełączania ze względu na ich budowę i zasadę działania. Na co dzień diody Gunna wykorzystywane są:
* w elektronice bardzo wysokich częstotliwości jako element je generujący,
* w technice mikrofalowej jako m.in. detektory, przekaźniki lub radary Pomimo tego, że dioda Gunna nazywana jest "diodą" to nie jest to do końca właściwa nazwa, gdyż w swojej strukturze nie zawiera złącza p-n, co różni ją od typowej diody półprzewodnikowej. Z tego wynika, że dioda Gunna nie jest w stanie przewodzić tylko w jednym kierunku i działać jako dioda prostownicza. Zamiast tego, składa się z trzech obszarów: dwóch bardzo silnie domieszkowanych obszarów typu „n” i cienkiego obszaru między nimi o niskim stężeniu domieszek. (pl)
- 耿氏二极管（英語：Gunn diode，香港作耿氏二極體，台湾作甘恩二極體、剛氏二極體），或称转移电子器件（transferred electron device, TED）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，類似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的进一步增加，电流会开始下降。这意味着耿氏二极管具有负阻（Negative resistance）效应，或称负微分电阻（Negative differential resistance）。 利用负微分电阻性质与中间层的时间特性，可以让直流电流通过耿氏二极管，从而形成一个（Relaxation oscillator）。在效果上，耿氏二极管中的负微分电阻会抵消的部分真实存在的正阻值，这样就可以使电路等效成一个“零电阻”的电路，从而获得无穷振荡。振荡频率部分取决于耿氏二极管的中间层，不过也可以通过改变其他外部因素来改变振荡频率。耿氏二极管被用来构造10 GHz或更高（例如太赫兹级别）的频率范围，这时共振腔常被用来控制频率。共振腔可以是波导等形式。频率以机械进行调谐（如通过改变共振腔的参数）。 用砷化镓（GaAs）材料制造的耿氏二极管可以达到200 GHz的频率，而氮化镓的耿氏二极管可以获得高达3 THz的频率。 耿氏二极管的理论基础是耿氏效应（Gunn effect），两个命名中“耿氏”都是来自于IBM物理学家，他在1962年发现了这一效应。当时他反对将实验中的一些不连续现象视为雜訊，他对这现象做了一些研究。1965年6月，贝尔实验室的Alan Chynoweth指出，只有电子在能谷间的转移可以解释这一实验现象。对此现象的解释参见理论。 耿氏效应及其与的联系，在1970年的一些专著（例如转移电子器件、以及后来电荷传输非线性波动方法等领域的书籍）中被展现。其他一些涉及耿氏二极管的书籍在研究过程中出版，这些资料可以在图书馆等文献机构查阅到。 (zh)
- Діо́д Га́нна (також відомий, як англ. transferred electron device (TED)) — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ. На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника. Названий на честь винахідника Джона Ганна. (uk)
|
| rdfs:comment
|
- ثنائي قن (بالإنجليزية: Gunn diode) و على عكس ما يوحي الاسم فهو ليس ثنائيا مثل الثنائي الضوئي أو الثنائي المشع و لكن يسمى بهذا الاسم لانه ثنائي الأطراف أولا و مصنوع من مادة شبه موصلة ثانيا. يستعمل هذا الثنائي لتوليد موجات كهرومغناطيسية بترددات تتراوح ما بين 1 جيجا و 100 جيجا و حتى نطاق التيراهرتز. يستهلك هذا الثنائي ما بين 1 إلى 5 واط وكفائته تتراوح من 0.2 % إلى 20 % و بقية الطاقة تتبدد على شكل حرارة و لذلك يقتضي استعمال لامتصاص الحرارة التي يمكن لها أن تتلف الثنائي. يعتمد الثنائي في عمله على ظاهرة قن. (ar)
- Die Gunndiode oder Gunnelement ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement, das für die Mikrowellenerzeugung eingesetzt wird. Es handelt sich um keine Halbleiterdiode im eigentlichen Sinn, jedoch hat es sich bei diesem Bauelement etabliert, von Anode und Kathode zu sprechen, um zwischen dem positiven und negativen Kontakt zu unterscheiden. Grundlage der Funktion ist der 1963 von John Battiscombe Gunn entdeckte Gunneffekt. (de)
- Gunn diodoa goi-frekuentziako zirkuituetan erabiltzen den diodo mota bat da. Diodo arruntak ez bezala, ez du P motako dopaketarik, eta N motako material erdieroalez egina dago. Gunn diodoak hiru eskualde ditu: horietatik bik N motako dopaketa handia dute eta eskualde horien artean N motako dopaketa txikiko geruza bat jartzen da, bi eskualde horiek bereizteko. Gunn diodoek erresistentzia diferentzial negatiboko eskualde bat dute. egindako Gunn diodoak 200 GHz arte dabiltza. berriz, 3 THz arte. (eu)
- ガン・ダイオード（英: Gunn diode）は、マイクロ波発振器などに使われるダイオードの一種。通常のダイオードがP型半導体とN型半導体から構成されるのに対し、ガン・ダイオードはN型半導体のみにより構成される。物理学者の名に由来する。 素子に電圧をかけていくにつれて素子内部の電子の速度が増加するが、ある臨界値になると結晶格子により電子の速度エネルギーが吸収され、電子の速度が減少する。この臨界値より大きい電圧を結晶にかけると、結晶の中の負電極の近くに電界の高い領域が発生し、この領域が素子の内部を正電極に向けて移動する。この現象が高速で連続することにより、マイクロ波が発生する。出力は小さく、主に通信用のマイクロ波発振器で利用される。 研究レベルでは、テラヘルツを超える周波数のガン・ダイオードも報告されている。 (ja)
- 건 다이오드(Gunn Diode)는 반도체 다이오드의 일종으로 고주파 발진기 등에 활용된다. 1963년 미국 IBM사의 John Battiscombe Gunn에 의해 발명되었으며 일반 다이오드처럼 PN 접합 구조가 아니라 갈륨비소(GaAs),인화인듐(InP) 또는 텔루륨화카드뮴(CdTe) 등의 N형 반도체 양면에 평행으로 전극을 붙여 만들어진다. 에사키 다이오드와 유사하게 부성저항 특성을 나타내며 이를 이용해 마이크로파 대역의 발진소자로 이용된다. 10V내외의 직류전원만 인가하면 발진하므로 회로 구성이 매우 간단한 장점이 있으나 주파수가 온도나 전압에 민감하므로 안정적인 발진을 위해 공동공진기(cavity resonator)나 PLL회로를 구성하여 규격화된 모듈이 통신용에서 사용된다. 진공관 기반의 클라이스트론에 비해 효율이 매우 높으며 소형화에 유리하다. (ko)
- De Gunn-diode is een diode die wordt gebruikt in low noise hoogfrequent toepassingen. Hierbij is het een uitdaging om vermogen te leveren bij hoge frequenties. Hoewel er gesproken wordt van een diode, is er geen pn-junctie aanwezig. Er zijn echter wel twee elektroden. Als symbool wordt soms een gewone diode gebruikt, maar er kan ook gebruik worden gemaakt van twee gevulde driehoeken waarbij de toppen elkaar raken. (nl)
- Діо́д Га́нна (також відомий, як англ. transferred electron device (TED)) — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ. На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника. Названий на честь винахідника Джона Ганна. (uk)
- El diodo Gunn es un tipo de diodo usado en la electrónica de potencia y de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa. (es)
- A Gunn diode, also known as a transferred electron device (TED), is a form of diode, a two-terminal semiconductor electronic component, with negative resistance, used in high-frequency electronics. It is based on the "Gunn effect" discovered in 1962 by physicist J. B. Gunn. Its largest use is in electronic oscillators to generate microwaves, in applications such as radar speed guns, microwave relay data link transmitters, and automatic door openers. (en)
- Une diode Gunn est un type de diode utilisée en électronique supra haute fréquence et extrêmement haute fréquence. Cette diode exploite l’effet Gunn se produisant dans des semi-conducteurs, en particulier le GaAs. Contrairement à la diode P-N constituée de deux parties semi-conductrices, l'une dopée en accepteur (dopage de type P) et l'autre en donneur d'électron (type N), la diode Gunn ne nécessite qu'un seul type de dopage de type N. Dans une diode Gunn, trois régions existent, deux d'entre elles, proches des connexions, sont fortement dopées (N++), la fine partie centrale est quant à elle faiblement dopée (N-). (fr)
- Un diodo Gunn, detto anche TED (transferred electron device), è una sorta di diodo usato nell'elettronica ad alta frequenza. Il suo funzionamento è basato sull' (Gunn effect), scoperto nel 1962 dal fisico . Consiste solo di semiconduttore drogato N, mentre solitamente i diodi consistono della giunzione di entrambe le regioni drogate P ed N. Nel diodo Gunn esistono 3 regioni: 2 drogate pesantemente N su entrambi i terminali e, all'interno, uno strato sottile e debolmente drogato. Quando viene applicata una tensione al dispositivo il gradiente elettrico sarà maggiore attraverso lo strato più sottile. La conduzione ha luogo come in ogni semiconduttore, con la corrente proporzionale alla tensione applicata. Alla fine, a valori di campo maggiori, le proprietà conduttive dello strato centrale ve (it)
- Dioda Gunna – półprzewodnikowy lub próżniowy rodzaj diody mikrofalowej przeznaczony do pracy w zakresie częstotliwości mikrofalowych od wartości pojedynczych gigaherców do pojedynczych teraherców. W 1963 roku John Battiscombe Gunn (J.B. Gunn), jako pierwszy zauważył, że w płytkach z arsenku galu niewielkiej grubości, po dostarczeniu im wystarczająco dużego napięcia generowane są bardzo wysokie częstotliwości drgań. Na co dzień diody Gunna wykorzystywane są: (pl)
- Дио́д Га́нна — тип полупроводниковых диодов, не имеющих в структуре p-n-переходов, используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Основан на эффекте Ганна — явлении осцилляций тока в многодолинном проводнике при приложении к нему сильного электрического поля, открытом Джоном Ганном в 1963 году. На основе эффекта Ганна созданы генераторные и усилительные диоды, применяемые в качестве генераторов накачки в параметрических усилителях, гетеродинов в супергетеродинных приемниках, генераторов в маломощных передатчиках и в измерительной технике. (ru)
- En Gunndiod (döpt efter fysikern , på engelska även kallad Transferred Electron Device eller TED) är en form av diod som används i högfrekvenssammanhang. Galliumarsenid (GaAs) tillåter användning i svängningskretsar upp till 200 GHz medan galliumnitrid (GaN) tillåter användning i högre frekvenser - upp till flera THz. Den skiljer sig från andra dioder genom att den bara består av N-dopat material medan de flesta andra typer av dioder består av både P- och N-dopade regioner. (sv)
- 耿氏二极管（英語：Gunn diode，香港作耿氏二極體，台湾作甘恩二極體、剛氏二極體），或称转移电子器件（transferred electron device, TED）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，類似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的进一步增加，电流会开始下降。这意味着耿氏二极管具有负阻（Negative resistance）效应，或称负微分电阻（Negative differential resistance）。 用砷化镓（GaAs）材料制造的耿氏二极管可以达到200 GHz的频率，而氮化镓的耿氏二极管可以获得高达3 THz的频率。 耿氏效应及其与的联系，在1970年的一些专著（例如转移电子器件、以及后来电荷传输非线性波动方法等领域的书籍）中被展现。其他一些涉及耿氏二极管的书籍在研究过程中出版，这些资料可以在图书馆等文献机构查阅到。 (zh)
|
