| dbo:abstract
|
- p–n junction isolation is a method used to electrically isolate electronic components, such as transistors, on an integrated circuit (IC) by surrounding the components with reverse biased p–n junctions. (en)
- Ізоляція напівпровідникових приладів PN-переходом (англ. P-n junction isolation) — одна з трьох фундаментальних технологій, які зробили можливим створення монолітних інтегральних схем. В кристалі, наприклад із кремнію типу p, методом дифузії робляться області типу n, названі «кишенями». У кишенях потім формуються необхідні пасивні та активні елементи, а n-p — перехід між кишенею і кристалом у працюючій інтегральній схемі перебуває під зворотною напругою. (uk)
|
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 4911 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- p–n junction isolation is a method used to electrically isolate electronic components, such as transistors, on an integrated circuit (IC) by surrounding the components with reverse biased p–n junctions. (en)
- Ізоляція напівпровідникових приладів PN-переходом (англ. P-n junction isolation) — одна з трьох фундаментальних технологій, які зробили можливим створення монолітних інтегральних схем. В кристалі, наприклад із кремнію типу p, методом дифузії робляться області типу n, названі «кишенями». У кишенях потім формуються необхідні пасивні та активні елементи, а n-p — перехід між кишенею і кристалом у працюючій інтегральній схемі перебуває під зворотною напругою. (uk)
|
| rdfs:label
|
- Aïllament de la unió p–n (ca)
- P–n junction isolation (en)
- Ізоляція PN-переходом (uk)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
