| dbo:abstract
|
- اختُرعت شريحة الدارة المتكاملة (آي سي) خلال فترة 1958-1959. وُلدت فكرة دمج الدارات الإلكترونية في جهاز واحد عندما طور وحصل الفيزيائي والمهندس الألماني فيرنر جاكوبي على براءة اختراع أول مضخم ترانزستور متكامل معياري في عام 1949، واقترح المهندس الإذاعي البريطاني جيفري دومر دمج مجموعة متنوعة من المكونات الإلكترونية القياسية في بلورات أشباه موصلات متجانسة في عام 1952. قدم هارويك جونسون بعد عام، براءة اختراع لنموذج دارة متكاملة (آي سي). اقترح كلٌ من سيدني دارلينغتون وياسورو تاروي (من المختبر الكهروتقني) بين عامي 1953 و1957، تصميمات مماثلة للشرائح حيث يمكن للعديد من الترانزستورات أن تتشارك في منطقة نشطة مشتركة، ولكن لم يكن هناك عزل كهربائي لفصلها عن بعضها البعض. لم يكن من الممكن تنفيذ هذه الأفكار من الناحية الصناعية، حتى حدث تقدم في أواخر عام 1958. حل ثلاثة أشخاص من ثلاث شركات أمريكية، ثلاث مشاكل أساسية أعاقت إنتاج الدارات المتكاملة. حصل جاك كيلبي من شركة تكساس إنسترومنتس على براءة اختراع لمبدأ التكامل، وأنشأ أول نموذج دارة متكاملة (آي سي) وسوّقها. كان اختراع كيلبي عبارة عن دارة متكاملة هجينة (آي سي هجينة)، بدلاً من شريحة دارة متكاملة متجانسة (آي سي متجانسة). طور كورت ليهوفيك من شركة سبراغ إليكتريك بين أواخر عام 1958 وأوائل عام 1959، طريقة لفصل المكونات كهربائيًا في بلورات أشباه موصلات، باستخدام فصل الوصلة بّي-إن. اخترع روبرت نويس من شركة فيرتشايلد سيميكوندكتر أول شريحة آي سي متجانسة. اخترع طريقة لربط مكونات آي سي (معدنة الألمنيوم) واقترح نسخة محسنة من العزل استنادًا إلى تقنية السيرورة المستوية التي طورها جين هورني. في المقابل، كان أساس السيرورة المستوية لهورني هو التخميل السطحي وطرق الأكسدة الحرارية التي طورها محمد عطا الله في مختبرات بِل خلال أواخر خمسينيات القرن العشرين. أنشأت مجموعة جاي لاست في شركة فيرتشايلد سيميكوندكتر أول أشباه موصلات تشغيلية في 27 سبتمبر 1960، باستخدام أفكار نويس وهورني. بدأت شركة تكساس إنسترومنتس، التي كانت تحمل براءة اختراع كيلبي، صراع براءات الاختراع، والتي جرت تسويتها في عام 1966 بموجب اتفاقية الترخيص المتبادل. لا يوجد توافق في الآراء بشأن من اخترع الدارة المتكاملة (آي سي). حددت الصحافة الأمريكية في ستينيات القرن العشرين أربعة أشخاص: كيلبي وليهوفيك ونويس وهورني؛ اختُصرت القائمة في سبعينيات القرن العشرين، إلى كيلبي ونويس. حصل كيلبي على جائزة نوبل في الفيزياء لعام 2000 «لدوره في اختراع الدارة المتكاملة». في الألفينيات من القرن العشرين، أعاد المؤرخون ليزلي برلين وبو لوجيك وأرجون ساكسينا فكرة تعدد مخترعي الدارة المتكاملة ونقحوا مساهمة كيلبي. تستند شريحة آي سي الحديثة إلى نويس آي سي المتجانسة، بدلاً من كيلبي آي سي الهجينة. النوع الأكثر استخدامًا على نطاق واسع من شرائح آي سي هو دارة موس المتكاملة (موس آي سي)، والتي تعتمد على تقنية موسفت (ترانزستور موس) التي ابتكرها محمد عطا الله وداون كانغ في مختبرات بِل في عام 1959. اقتُرح مفهوم موس آي سي لأول مرة من قبل عطا الله في عام 1960، ثم صُنعت أول شريحة موس آي سي التجريبية من قبل فريد هيمان وستيفن هوفستين في شركة راديو أمريكا (آر سي إيه) في عام 1962. (ar)
- The first planar monolithic integrated circuit (IC) chip was demonstrated in 1960. The idea of integrating electronic circuits into a single device was born when the German physicist and engineer Werner Jacobi developed and patented the first known integrated transistor amplifier in 1949 and the British radio engineer Geoffrey Dummer proposed to integrate a variety of standard electronic components in a monolithic semiconductor crystal in 1952. A year later, Harwick Johnson filed a patent for a prototype IC. Between 1953 and 1957, Sidney Darlington and Yasuo Tarui (Electrotechnical Laboratory) proposed similar chip designs where several transistors could share a common active area, but there was no electrical isolation to separate them from each other. These ideas could not be implemented by the industry, until a breakthrough came in late 1958. Three people from three U.S. companies solved three fundamental problems that hindered the production of integrated circuits. Jack Kilby of Texas Instruments patented the principle of integration, created the first prototype ICs and commercialized them. Kilby's invention was a hybrid integrated circuit (hybrid IC), rather than a monolithic integrated circuit (monolithic IC) chip. Between late 1958 and early 1959, Kurt Lehovec of Sprague Electric Company developed a way to electrically isolate components on a semiconductor crystal, using p–n junction isolation. The first monolithic IC chip was invented by Robert Noyce of Fairchild Semiconductor. He invented a way to connect the IC components (aluminium metallization) and proposed an improved version of insulation based on the planar process technology developed by Jean Hoerni. On September 27, 1960, using the ideas of Noyce and Hoerni, a group of Jay Last's at Fairchild Semiconductor created the first operational semiconductor IC. Texas Instruments, which held the patent for Kilby's invention, started a patent war, which was settled in 1966 by the agreement on cross-licensing. There is no consensus on who invented the IC. The American press of the 1960s named four people: Kilby, Lehovec, Noyce and Hoerni; in the 1970s the list was shortened to Kilby and Noyce. Kilby was awarded the 2000 Nobel Prize in Physics "for his part in the invention of the integrated circuit". In the 2000s, historians Leslie Berlin, Bo Lojek and Arjun Saxena reinstated the idea of multiple IC inventors and revised the contribution of Kilby. Modern IC chips are based on Noyce's monolithic IC, rather than Kilby's hybrid IC. (en)
- La idea de integrar circuitos electrónicos en un solo dispositivo nació cuando el físico alemán e ingeniero Werner Jacobi Erfinder desarrolló y patentó el primer amplificador de transistor integrado conocido en 1949 y el ingeniero británico de radio Geoffrey Dummer propuso la integración de una variedad de componentes electrónicos estándares en un cristal monolítico semiconductor en 1952. Un año después, Chadwick Johnson hizo una patente para el prototipo de un circuito integrado (CI). Tales ideas no pudieron ser implementadas en la industria de 1950, pero un hallazgo ocurrió en los últimos años de esa década. En 1958, 3 personas de 3 compañías de los Estados Unidos resolvieron 3 problemas fundamentales que impedían la producción de circuitos integrados. Jack Kilby de Texas Instruments patentó el principio de integración, creó el primer prototipo de CI y los comercializó. Kurt Lehovec de Sprague Electric Company inventó una manera de aislar eléctricamente los componentes en un cristal semiconductor. Robert Noyce de Fairchild Semiconductor inventó una manera de conectar los componentes de un CI (metalización de aluminio) y propuso una versión mejorada del aislamiento basada en la tecnología planar de Jean Hoerni. El 27 de septiembre de 1960, usando las ideas de Noyce y Hoerni, un grupo de Jay Last en Fairchild Semiconductor creó el primer CI semiconductor operacional. Texas Instruments, que había mantenido la patente para la invención de Kilby, comenzó una guerra de patentes, que fue solventada en 1966 mediante el acuerdo de una licencia cruzada.No hay consenso sobre quien inventó el CI. La prensa Americana de 1960 nombró a 4 personas: Kilby, Lehovec, Noyce y Hoerni; en 1970 la lista fue acortada a Kilby y Noyce, y después a Kilby, quien fue honrado en el 2000 con el Premio Nobel de Física “por su participación en la invención del circuito integrado”. En los 2000, los historiadores Leslie Berlin, Bo Lojek y Arjun Saxena reinstauraron la idea de múltiples inventores del CI y revisaron la contribución de Kilby. (es)
- Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник . Год спустя подал первую в истории патентную заявку на прототип интегральной схемы (ИС). Реализация этих предложений в те годы не могла состояться из-за недостаточного развития технологий. В конце 1958 года и в первой половине 1959 года в полупроводниковой промышленности произошёл прорыв. Три человека, представлявшие три частные американские корпорации, решили три фундаментальные проблемы, препятствовавшие созданию интегральных схем. Джек Килби из Texas Instruments запатентовал принцип интеграции, создал первые несовершенные прототипы ИС и довёл их до серийного выпуска. Курт Леговец из изобрёл способ электрической изоляции компонентов, сформированных на одном кристалле полупроводника. Роберт Нойс из Fairchild Semiconductor изобрёл способ электрического соединения компонентов ИС (металлизацию алюминием) и предложил усовершенствованный вариант изоляции компонентов на базе новейшей планарной технологии . 27 сентября 1960 года группа создала в компании «Fairchild Semiconductor» первую работоспособную полупроводниковую ИС по идеям Нойса и Эрни. Texas Instruments, владевшая патентом на изобретение Килби, развязала против конкурентов патентную войну, завершившуюся в 1966 году мировым соглашением о перекрёстном лицензировании технологий. Не существует единого мнения о том, кто именно является изобретателем ИС. Американская пресса 1960-х годов признавала изобретателями ИС четырёх человек: Килби, Леговца, Нойса и Эрни. В 1970-е годы список изобретателей сократился до двух имён: Килби и Нойс, а в популярной литературе — до одного Килби. Именно Килби был удостоен в 2000 году Нобелевской премии по физике «за личный вклад в изобретение интегральной схемы». В XXI веке историки отрасли , Бо Лоек, Арджун Саксена вернулись к точке зрения, что круг изобретателей ИС был существенно шире, и подвергли ревизии значение вклада Килби. (ru)
- Ідею інтеграції великої кількості стандартних електронних компонентів у монолітному кристалі напівпровідника вперше запропонував 1952 року британський радіотехнік . Через рік подав першу в історії патентну заявку на прототип інтегральної схеми (ІС). Реалізувати ці пропозиції у ті роки було неможливо через недостатній розвиток технологій. Наприкінці 1958 року та в першій половині 1959 року в напівпровідниковій промисловості відбувся прорив. Три людини, які представляли три приватні американські корпорації, вирішили три фундаментальні проблеми, що перешкоджали створенню інтегральних схем. Джек Кілбі з Texas Instruments запатентував принцип інтеграції, створив перші недосконалі прототипи ІС і довів їх до серійного випуску. із винайшов спосіб електричної ізоляції компонентів, сформованих на одному . Роберт Нойс із Fairchild Semiconductor винайшов спосіб електричного з'єднання компонентів ІС (металізацію алюмінієм) і запропонував удосконалений варіант ізоляції компонентів на базі новітньої планарної технології . 27 вересня 1960 року група створила в компанії «Fairchild Semiconductor» першу робочу напівпровідникову ІС за ідеями Нойса та Ерні. Texas Instruments, що володіла патентом на винахід Кілбі, розв'язала проти конкурентів патентну війну, яка завершилася 1966 року мировою угодою про перехресне ліцензування технологій. Не існує єдиної думки про те, хто саме є винахідником ІС. Американська преса 1960-х років визнавала винахідниками ІС чотирьох людей: Кілбі, Леговеца, Нойса та Ерні. У 1970-ті роки список винахідників скоротився до двох імен: Кілбі та Нойс, а в популярній літературі — до одного Кілбі. Саме Кілбі був удостоєний 2000 року Нобелівської премії з фізики «за особистий вклад у винайдення інтегральної схеми». У XXI столітті історики галузі , Бо Лоєк, Арджун Саксена повернулися до точки зору, що винахідників ІС було набагато більше, і піддали ревізії значення внеску Кілбі. (uk)
|
