| dbo:abstract
|
- LOCOS, acrònic anglès de LOCal Oxidation of Silicon, és un procés de microfabricació on el diòxid de silici es forma en zones seleccionades d'una oblia de silici que té la interfície Si-SiO₂ en un punt més baix que la resta de la superfície de silici. A partir del 2008 va ser substituït en gran manera per l'aïllament de rases poc profundes. Aquesta tecnologia es va desenvolupar per aïllar els transistors MOS entre ells i limitar la . L'objectiu principal és crear una estructura aïllant diòxid de silici que penetri sota la superfície de l'oblia, de manera que la interfície Si-SiO ₂ es produeixi en un punt més baix que la resta de la superfície de silici. Això no es pot aconseguir fàcilment gravant l'òxid de camp. En el seu lloc, s'utilitza l'oxidació tèrmica de regions seleccionades que envolten els transistors. L'oxigen penetra en profunditat de l'oblia, reacciona amb el silici i el transforma en òxid de silici. D'aquesta manera, es forma una estructura immersa. Amb finalitats de disseny i anàlisi de processos, l'oxidació de les superfícies de silici es pot modelar eficaçment mitjançant el model Deal-Grove. (ca)
- الأكسدة الموضعية للسيليكون هي عملية من عمليات التصنيع الدقيق في صناعة أشباه الموصلات، حيث تتشكل طبقة رقيقة من ثنائي أكسيد السيليكون في مناطق محددة على رقاقة من السيليكون، وبحيث يكون نقاط مستوى التماس Si-SiO2 أخفض من باقي سطح السيليكون. طورت هذه التقنية من أجل عزل ترانزستورات موسفت عن بعضها؛ لأن طبقة ثنائي أكسيد السيليكون طبقة عازلة ترفع من الأداء الإلكتروني لرقاقة السيليكون. يمكن تمثيل ونمذجة عملية الأكسدة الموضعية للسيليكون باستخدام نموذج ديل-غروف Deal–Grove model. (ar)
- LOCOS, kurz für englisch local oxidation of silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«), ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren. Dafür wird der Silicium-Wafer an ausgewählten Stellen maskiert, das heißt mit einer strukturierten Schutzschicht versehen, und das freigelegte Silicium anschließend örtlich begrenzt oberflächennah bei hohen Temperaturen einer sauerstoffreichen Atmosphäre oxidiert, vgl. thermische Oxidation von Silicium. Auf diese Weise entsteht an der Substratoberfläche zwischen den elektrisch aktiven Siliciumgebieten für die Bauelemente ein elektrischer Isolationsbereich aus Siliciumdioxid. Der LOCOS-Prozess war in der Halbleitertechnik lange Zeit das bevorzugte Verfahren für die Herstellung der genannten Isolationsbereiche. Da das Verfahren jedoch relativ platzintensiv ist und weitere Nachteile mit sich bringt (siehe unten), wurde es Mitte der 1990er Jahre in der industriellen Produktion von hochintegrierten Schaltkreisen, das heißt mit Strukturgrößen um 0,25 µm und kleiner, durch die sogenannte Grabenisolation abgelöst. (de)
- LOCOS, short for LOCal Oxidation of Silicon, is a microfabrication process where silicon dioxide is formed in selected areas on a silicon wafer having the Si-SiO2 interface at a lower point than the rest of the silicon surface. As of 2008 it was largely superseded by shallow trench isolation. This technology was developed to insulate MOS transistors from each other and limit transistor cross-talk. The main goal is to create a silicon oxide insulating structure that penetrates under the surface of the wafer, so that the Si-SiO2 interface occurs at a lower point than the rest of the silicon surface. This cannot be easily achieved by etching field oxide. Thermal oxidation of selected regions surrounding transistors is used instead. The oxygen penetrates in depth of the wafer, reacts with silicon and transforms it into silicon oxide. In this way, an immersed structure is formed. For process design and analysis purposes, the oxidation of silicon surfaces can be modeled effectively using the Deal–Grove model. (en)
- L'oxydation locale du silicium, ou LOCOS (pour LOCal Oxidation of Silicon), est un procédé de microfabrication formant du dioxyde de silicium SiO2 dans des zones précisément définies d'un wafer de silicium de telle sorte que l'interface Si–SiO2 soit en-dessous de la surface du wafer lui-même. Cette technologie a été développée afin d'isoler les transistors MOS à effet de champ les uns des autres, et limiter les interférences entre transistors. Le principal objectif est de former une structure isolante en dioxyde de silicium pénétrant sous la surface du wafer, ce qu'il n'est pas facile de réaliser par gravure. On a plutôt recours à l'oxydation thermique de régions localisées autour des transistors. L'oxygène pénètre en profondeur dans le wafer, réagit avec le silicium et convertit ce dernier en silice, formant une structure entrant dans le volume du silicium. Cette réaction peut être modélisée à l'aide du (en). (fr)
- LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)とは、シリコンウェハー上のある領域に二酸化ケイ素を形成させ、Si-SiO2界面を周りのシリコン表面よりも低い位置に作る微細加工プロセスのこと。 この技術によってMOSトランジスタ同士を絶縁させ、クロストークを防ぐ。主な目的は、ウェハー表面の下を貫き通るシリコン酸化物の絶縁構造を作ることである。よってSi-SiO2界面は残りのシリコン表面よりも低い位置に作る。これは酸化物層をエッチングすることでは作ることができず、トランジスタを囲んでいる領域を熱酸化する必要がある。ウェハーの深さ方向に酸素が入り込み、シリコンと反応することでシリコン酸化物が形成する。こうして埋没した構造が形成される。 プロセスの設計と解析のため、シリコン表面の酸化にを使うのが有効である。 (ja)
- LOCOS (afkorting voor LOCal Oxidation of Silicon) is een halfgeleiderfabricageproces dat bij het vervaardigen van geïntegreerde schakelingen wordt gebruikt om de afzonderlijke elektronische componenten (bijvoorbeeld MOS-transistors) elektrisch van elkaar te isoleren. Kenmerkend is het gebruik van een siliciumnitridemasker om de siliciumschijf lokaal tegen oxideren te beschermen. Door het bekomen raster van verzonken siliciumoxide verkrijgen de omliggende siliciumeilanden de vorm van een mesa, die de aanliggende pn-overgangen tegen oppervlakteverschijnselen zoals lek en doorslag beschermen. De mogelijkheid van deze werkwijze werd in 1967 eerder bij toeval ontdekt door de Nederlandse scheikundige Else Kooi tijdens zijn onderzoek naar planaire halfgeleidertechnieken bij het Philips Natuurkundig Laboratorium. (nl)
- LOCOS, сокращение от LOCal Oxidation of Silicon, «локальное окисления кремния» — микротехнологический процесс, в котором диоксид кремния формируется в выбранной зоне на кремниевой подложке, имеющей Si—SiO2 структуру в более низкой точке, чем остальная поверхность кремния. Эта технология была разработана чтобы изолировать МОП-транзисторы друг от друга. Основная цель заключается в создании изоляционной структуры оксида кремния, которая проникает под поверхность пластины, так что Si—SiO2 структура проходит по более низкой точке, чем остальная часть поверхности кремния. Для этого используется термическое оксидирование выбранных мест вокруг транзисторов. Кислород, проникая в глубь пластины, взаимодействует с кремнием и превращает его в оксид кремния. Таким образом изолирующий барьер ограничивает транзистор от перекрестных помех. (ru)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 1861 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- الأكسدة الموضعية للسيليكون هي عملية من عمليات التصنيع الدقيق في صناعة أشباه الموصلات، حيث تتشكل طبقة رقيقة من ثنائي أكسيد السيليكون في مناطق محددة على رقاقة من السيليكون، وبحيث يكون نقاط مستوى التماس Si-SiO2 أخفض من باقي سطح السيليكون. طورت هذه التقنية من أجل عزل ترانزستورات موسفت عن بعضها؛ لأن طبقة ثنائي أكسيد السيليكون طبقة عازلة ترفع من الأداء الإلكتروني لرقاقة السيليكون. يمكن تمثيل ونمذجة عملية الأكسدة الموضعية للسيليكون باستخدام نموذج ديل-غروف Deal–Grove model. (ar)
- LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)とは、シリコンウェハー上のある領域に二酸化ケイ素を形成させ、Si-SiO2界面を周りのシリコン表面よりも低い位置に作る微細加工プロセスのこと。 この技術によってMOSトランジスタ同士を絶縁させ、クロストークを防ぐ。主な目的は、ウェハー表面の下を貫き通るシリコン酸化物の絶縁構造を作ることである。よってSi-SiO2界面は残りのシリコン表面よりも低い位置に作る。これは酸化物層をエッチングすることでは作ることができず、トランジスタを囲んでいる領域を熱酸化する必要がある。ウェハーの深さ方向に酸素が入り込み、シリコンと反応することでシリコン酸化物が形成する。こうして埋没した構造が形成される。 プロセスの設計と解析のため、シリコン表面の酸化にを使うのが有効である。 (ja)
- LOCOS, kurz für englisch local oxidation of silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«), ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren. Dafür wird der Silicium-Wafer an ausgewählten Stellen maskiert, das heißt mit einer strukturierten Schutzschicht versehen, und das freigelegte Silicium anschließend örtlich begrenzt oberflächennah bei hohen Temperaturen einer sauerstoffreichen Atmosphäre oxidiert, vgl. thermische Oxidation von Silicium. Auf diese Weise entsteht an der Substratoberfläche zwischen den elektrisch aktiven Siliciumgebieten für die Bauelemente ein elektrischer Isolationsbereich aus Siliciumdioxid. (de)
- LOCOS, short for LOCal Oxidation of Silicon, is a microfabrication process where silicon dioxide is formed in selected areas on a silicon wafer having the Si-SiO2 interface at a lower point than the rest of the silicon surface. As of 2008 it was largely superseded by shallow trench isolation. (en)
- L'oxydation locale du silicium, ou LOCOS (pour LOCal Oxidation of Silicon), est un procédé de microfabrication formant du dioxyde de silicium SiO2 dans des zones précisément définies d'un wafer de silicium de telle sorte que l'interface Si–SiO2 soit en-dessous de la surface du wafer lui-même. (fr)
- LOCOS (afkorting voor LOCal Oxidation of Silicon) is een halfgeleiderfabricageproces dat bij het vervaardigen van geïntegreerde schakelingen wordt gebruikt om de afzonderlijke elektronische componenten (bijvoorbeeld MOS-transistors) elektrisch van elkaar te isoleren. Kenmerkend is het gebruik van een siliciumnitridemasker om de siliciumschijf lokaal tegen oxideren te beschermen. Door het bekomen raster van verzonken siliciumoxide verkrijgen de omliggende siliciumeilanden de vorm van een mesa, die de aanliggende pn-overgangen tegen oppervlakteverschijnselen zoals lek en doorslag beschermen. De mogelijkheid van deze werkwijze werd in 1967 eerder bij toeval ontdekt door de Nederlandse scheikundige Else Kooi tijdens zijn onderzoek naar planaire halfgeleidertechnieken bij het Philips Natuurkund (nl)
- LOCOS, сокращение от LOCal Oxidation of Silicon, «локальное окисления кремния» — микротехнологический процесс, в котором диоксид кремния формируется в выбранной зоне на кремниевой подложке, имеющей Si—SiO2 структуру в более низкой точке, чем остальная поверхность кремния. Эта технология была разработана чтобы изолировать МОП-транзисторы друг от друга. (ru)
|
| rdfs:label
|
- أكسدة موضعية للسيليكون (ar)
- LOCOS (ca)
- LOCOS-Prozess (de)
- LOCOS (fr)
- LOCOS (en)
- LOCOS (ja)
- LOCOS (nl)
- LOCOS (ru)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
.svg?width=300)
.svg){kind=link}
.svg){kind=link}