| dbo:abstract
|
- التنميش الجاف (dry etching) يقصد به إزلة المادة وعادة يكون الغطاء مادة شبه موصلة. بتعريض المادة هذه لقصف أيوني (غالبا ماتكون البلازما لتفاعل الغازات مثل فلوروكربونات والأكسجين، الكلور، ثلاثي كلوريد البورن، ويضاف لها أحيانا النيتروجين، الأرجون والهيليوم) حيث تعمل على إزلة أجزاء من على سطح المادة المعرضة للتفاعل، طريقة العمل هذه تختلف عن بعض المواد الكيميائية التي تعمل نتوءات في المادة وتسمى مواد . (ar)
- Unter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen (wie , chemisch-mechanisches Polieren) basieren. Der Materialabtrag (z. B. von Siliciumdioxid auf Silizium-Wafern) erfolgt dabei entweder durch beschleunigte Teilchen (z. B. Argonionen) oder mithilfe plasmaaktivierter Gase. Es werden also je nach Verfahren chemische sowie physikalische Effekte ausgenutzt. (de)
- Dry etching refers to the removal of material, typically a masked pattern of semiconductor material, by exposing the material to a bombardment of ions (usually a plasma of reactive gases such as fluorocarbons, oxygen, chlorine, boron trichloride; sometimes with addition of nitrogen, argon, helium and other gases) that dislodge portions of the material from the exposed surface. A common type of dry etching is reactive-ion etching. Unlike with many (but not all, see isotropic etching) of the wet chemical etchants used in wet etching, the dry etching process typically etches directionally or anisotropically. (en)
- La gravure sèche (dry etching) est un ensemble de technique de gravure des semi-conducteurs en exposant le matériau à un bombardement d'ions (généralement sous forme de plasma). Elles se distinguent des méthodes de gravures chimiques classiques qui utilisent des solutions réactives. Parmi les gravures sèches, on compte :
* la gravure au plasma
* la gravure ionique réactive (RIE) (fr)
- ドライエッチング（英語：dry etching）は、反応性の気体（エッチングガス）やイオン、ラジカルによって材料をエッチングする方法である。主に化学的な反応によるエッチングを指し、反応による生成物は気体である場合が多い。これに対して液体によるエッチングをウエットエッチングと呼ぶ。などのようにイオンを衝突させてエッチングする方法など化学的な反応を伴わないものはと呼ぶ場合もある。実際には化学的な反応と物理的な変化が同時に起こっている。 反応ガス中に材料を曝す方法（反応性ガスエッチング）とプラズマによりガスをイオン化・ラジカル化してエッチングする反応性イオンエッチングがある。 シリコンをエッチングする場合は、フッ素系のガスを用いる場合が多い。この場合にできる生成物は四フッ化ケイ素 (SiF4) である。 (ja)
- 건식 식각(乾式蝕刻, dry etching)은 분야에서 습식 식각과는 다르게 기체 플라즈마나 활성화된 기체에 의한 반응을 이용한 식각 공정을 의미한다. 종류로는 스퍼터링을 이용한 스퍼터 식각, 반응성 이온 식각(reactive ion etching, RIE), 증기상 식각(vapor phase etching) 등이 있다. 증기상 식각에는 플루오린화 수소 HF 와 XeF2이 주로 쓰인다. (ko)
|
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 5716 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| rdfs:comment
|
- التنميش الجاف (dry etching) يقصد به إزلة المادة وعادة يكون الغطاء مادة شبه موصلة. بتعريض المادة هذه لقصف أيوني (غالبا ماتكون البلازما لتفاعل الغازات مثل فلوروكربونات والأكسجين، الكلور، ثلاثي كلوريد البورن، ويضاف لها أحيانا النيتروجين، الأرجون والهيليوم) حيث تعمل على إزلة أجزاء من على سطح المادة المعرضة للتفاعل، طريقة العمل هذه تختلف عن بعض المواد الكيميائية التي تعمل نتوءات في المادة وتسمى مواد . (ar)
- Unter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen (wie , chemisch-mechanisches Polieren) basieren. Der Materialabtrag (z. B. von Siliciumdioxid auf Silizium-Wafern) erfolgt dabei entweder durch beschleunigte Teilchen (z. B. Argonionen) oder mithilfe plasmaaktivierter Gase. Es werden also je nach Verfahren chemische sowie physikalische Effekte ausgenutzt. (de)
- Dry etching refers to the removal of material, typically a masked pattern of semiconductor material, by exposing the material to a bombardment of ions (usually a plasma of reactive gases such as fluorocarbons, oxygen, chlorine, boron trichloride; sometimes with addition of nitrogen, argon, helium and other gases) that dislodge portions of the material from the exposed surface. A common type of dry etching is reactive-ion etching. Unlike with many (but not all, see isotropic etching) of the wet chemical etchants used in wet etching, the dry etching process typically etches directionally or anisotropically. (en)
- La gravure sèche (dry etching) est un ensemble de technique de gravure des semi-conducteurs en exposant le matériau à un bombardement d'ions (généralement sous forme de plasma). Elles se distinguent des méthodes de gravures chimiques classiques qui utilisent des solutions réactives. Parmi les gravures sèches, on compte :
* la gravure au plasma
* la gravure ionique réactive (RIE) (fr)
- ドライエッチング（英語：dry etching）は、反応性の気体（エッチングガス）やイオン、ラジカルによって材料をエッチングする方法である。主に化学的な反応によるエッチングを指し、反応による生成物は気体である場合が多い。これに対して液体によるエッチングをウエットエッチングと呼ぶ。などのようにイオンを衝突させてエッチングする方法など化学的な反応を伴わないものはと呼ぶ場合もある。実際には化学的な反応と物理的な変化が同時に起こっている。 反応ガス中に材料を曝す方法（反応性ガスエッチング）とプラズマによりガスをイオン化・ラジカル化してエッチングする反応性イオンエッチングがある。 シリコンをエッチングする場合は、フッ素系のガスを用いる場合が多い。この場合にできる生成物は四フッ化ケイ素 (SiF4) である。 (ja)
- 건식 식각(乾式蝕刻, dry etching)은 분야에서 습식 식각과는 다르게 기체 플라즈마나 활성화된 기체에 의한 반응을 이용한 식각 공정을 의미한다. 종류로는 스퍼터링을 이용한 스퍼터 식각, 반응성 이온 식각(reactive ion etching, RIE), 증기상 식각(vapor phase etching) 등이 있다. 증기상 식각에는 플루오린화 수소 HF 와 XeF2이 주로 쓰인다. (ko)
|
| rdfs:label
|
- تنميش جاف (ar)
- Gravat en sec (ca)
- Trockenätzen (de)
- Dry etching (en)
- Gravure sèche (fr)
- 건식 식각 (ko)
- ドライエッチング (ja)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
