About: Plasma ashing

An Entity of Type: Election, from Named Graph: http://dbpedia.org, within Data Space: dbpedia.org

In semiconductor manufacturing plasma ashing is the process of removing the photoresist (light sensitive coating) from an etched wafer. Using a plasma source, a monatomic (single atom) substance known as a reactive species is generated. Oxygen or fluorine are the most common reactive species. Other gases used are N2/H2 where the H2 portion is 2%. The reactive species combines with the photoresist to form ash which is removed with a vacuum pump.

Property Value
dbo:abstract
  • ترميد البلازما في تصنيع أشباه الموصلات ، ترميد البلازما هي عملية إزالة مقاوم الضوء (طلاء حساس للضوء) من رقاقة محفورة. باستخدام مصدر البلازما ، ويتم إنشاء مادة أحادية الذرة (ذرة مفردة) تعرف باسم المركبات التفاعلية. ويعد الأكسجين والفلور من أكثر المركبات التفاعلية شيوعًا. حيث تتحد المركبات المتفاعلة مع مقاوم الضوء لتكوين الرماد الذي تتم إزالته بـ المضخة الفراغية . (ar)
  • In semiconductor manufacturing plasma ashing is the process of removing the photoresist (light sensitive coating) from an etched wafer. Using a plasma source, a monatomic (single atom) substance known as a reactive species is generated. Oxygen or fluorine are the most common reactive species. Other gases used are N2/H2 where the H2 portion is 2%. The reactive species combines with the photoresist to form ash which is removed with a vacuum pump. Typically, monatomic oxygen plasma is created by exposing oxygen gas (O2) at a low pressure to high power radio waves, which ionise it. This process is done under vacuum in order to create a plasma. As the plasma is formed, many free radicals are created which could damage the wafer. Newer, smaller circuitry is increasingly susceptible to these particles. Originally, plasma was generated in the process chamber, but as the need to get rid of free radicals has increased, many machines now use a downstream plasma configuration, where plasma is formed remotely and the desired particles are channeled to the wafer. This allows electrically charged particles time to recombine before they reach the wafer surface, and prevents damage to the wafer surface. (en)
  • Plasma-ashen is een vorm van plasma-etsen. Het wordt toegepast om een laag organisch materiaal, veelal gebruikt als lithografisch beschermingsmasker (coating), na de bewerkingsstap geheel van een halfgeleidersubstraat te verwijderen. Omdat deze maskerlaag ook kan worden gebruikt tijdens doteringsstappen, kan deze ook p- en n- verontreinigingen bevatten. Het organisch materiaal wordt verwijderd door middel van oxidatie ofwel verbranding. Hiertoe wordt zuurstofgas gebruikt, dat wordt ontleed en met behulp van een plasma actief wordt gemaakt. Hierdoor ontstaan reactieve componenten als ionen, radicalen, ozon en mono-atomen. Het verwijderen van de doteringsverontreinigingen gebeurt door het toevoegen van specifieke additieve gassen, veelal fluoride gebaseerd, aan het zuurstofgas. Er zijn twee methoden voor het ashen van substraten: (nl)
dbo:wikiPageID
  • 23731 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength
  • 3269 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 1098876750 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink
dbp:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
gold:hypernym
rdf:type
rdfs:comment
  • ترميد البلازما في تصنيع أشباه الموصلات ، ترميد البلازما هي عملية إزالة مقاوم الضوء (طلاء حساس للضوء) من رقاقة محفورة. باستخدام مصدر البلازما ، ويتم إنشاء مادة أحادية الذرة (ذرة مفردة) تعرف باسم المركبات التفاعلية. ويعد الأكسجين والفلور من أكثر المركبات التفاعلية شيوعًا. حيث تتحد المركبات المتفاعلة مع مقاوم الضوء لتكوين الرماد الذي تتم إزالته بـ المضخة الفراغية . (ar)
  • In semiconductor manufacturing plasma ashing is the process of removing the photoresist (light sensitive coating) from an etched wafer. Using a plasma source, a monatomic (single atom) substance known as a reactive species is generated. Oxygen or fluorine are the most common reactive species. Other gases used are N2/H2 where the H2 portion is 2%. The reactive species combines with the photoresist to form ash which is removed with a vacuum pump. (en)
  • Plasma-ashen is een vorm van plasma-etsen. Het wordt toegepast om een laag organisch materiaal, veelal gebruikt als lithografisch beschermingsmasker (coating), na de bewerkingsstap geheel van een halfgeleidersubstraat te verwijderen. Omdat deze maskerlaag ook kan worden gebruikt tijdens doteringsstappen, kan deze ook p- en n- verontreinigingen bevatten. Er zijn twee methoden voor het ashen van substraten: (nl)
rdfs:label
  • ترميد البلازما (ar)
  • Plasma ashing (en)
  • Plasma-ashen (nl)
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:wikiPageRedirects of
is dbo:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of
Powered by OpenLink Virtuoso    This material is Open Knowledge     W3C Semantic Web Technology     This material is Open Knowledge    Valid XHTML + RDFa
This content was extracted from Wikipedia and is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 Unported License