This HTML5 document contains 255 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n24https://www.microwaves101.com/encyclopedias/
dbpedia-dahttp://da.dbpedia.org/resource/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
n23https://global.dbpedia.org/id/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
n17http://www.lfoundry.com/
n12http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-vihttp://vi.dbpedia.org/resource/
n9http://www.vandenbergdesignagency.com/towerjazz/pdf/
dbpedia-skhttp://sk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbphttp://dbpedia.org/property/
n15http://dbpedia.org/resource/List_of_acronyms:
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Electronic_component
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
n15:_L
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Insulated-gate_bipolar_transistor
rdfs:seeAlso
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:LDMOS
rdf:type
owl:Thing
rdfs:label
موسفت جانبي الانتشار LDMOS LDMOS 横向扩散金属氧化物半导体
rdfs:comment
LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor) is a planar double-diffused MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) used in amplifiers, including microwave power amplifiers, RF power amplifiers and audio power amplifiers. These transistors are often fabricated on p/p+ silicon epitaxial layers. The fabrication of LDMOS devices mostly involves various ion-implantation and subsequent annealing cycles. As an example, the drift region of this power MOSFET is fabricated using up to three ion implantation sequences in order to achieve the appropriate doping profile needed to withstand high electric fields. 横向扩散金属氧化物半导体(英語:Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,缩写:LDMOS)经常被用于微波/射频电路,制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器,原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件(如GaAs場效電晶體)相比,LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司(TSMC)、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、(VIS)、英飞凌、RFMD、飞思卡尔(Freescale)等。 LDMOS (موسفت جانبي الانتشار أو أشباه الموصلات ذات أكسيد الفلز المنتشر جانبياً) عبارة عن موسفت مستو مزدوج الإنتشار (ترانزستور يعتبر تأثير المجال فيه من أكسيد الفلز أشباه الموصلات) المستخدم في مكبرات الصوت، بما في ذلك طاقة الميكروويف مضخمات التردد الراديوي ومضخمات القدرة الصوتية. غالبًا ما يتم تصنيع هذه الترانزستورات على طبقات فوقية من السيليكون p / p +. يتضمن تصنيع أجهزة LDMOS في الغالب غرس أيوني مختلف ودورات تلدين لاحقة. على سبيل المثال، تم تصنيع منطقة الإنجراف لهذه الطاقة موسفت باستخدام ما يصل إلى ثلاثة تسلسلات لزرع الأيونات من أجل تحقيق ملف المنشطات المناسب اللازم لتحمل المجالات الكهربائية العالية.
rdfs:seeAlso
dbr:RF_CMOS dbr:List_of_MOSFET_applications
foaf:depiction
n12:BLF2045.jpg n12:BLF861A.jpg n12:BLF861A_die_photo.jpg
dcterms:subject
dbc:Electronic_design dbc:Japanese_inventions dbc:Transistor_types dbc:MOSFETs
dbo:wikiPageID
16211452
dbo:wikiPageRevisionID
1122422607
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Cooking_appliances dbr:Kitchen_appliances dbr:Cooking dbr:Wireless_networks dbr:Mobile_network dbc:Electronic_design dbr:Mobile_devices dbr:Avionics dbr:Data_traffic dbr:S_band dbr:Condition_monitoring dbr:Mobile_radio dbr:Radar dbr:Tactical_data_link dbr:Wideband dbr:Mobile_telephony dbc:Japanese_inventions dbr:Digital_TV dbr:Industrial_technology dbr:Secondary_surveillance_radar dbr:Airband dbr:Silicon dbr:Base_stations dbr:Synchrotron dbr:Medical_technology dbr:5G_New_Radio dbr:Broadband dbr:L_band dbr:MOSFET dbr:Telecommunications dbr:Marine_radio dbr:OFDM dbr:Sonar_buoys dbr:GLOBALFOUNDRIES dbr:Ampleon dbr:Communication_systems dbr:Carbon_monoxide_detector dbr:Defense_technology dbr:Class_AB dbc:Transistor_types dbr:Wireless dbr:Modems dbr:Plasma_(physics) dbr:RF_power_amplifier dbr:Wireless_light_switch dbr:NXP_Semiconductors dbr:FM_broadcasting dbr:Radio-frequency_engineering dbr:FET_amplifier dbr:Identification_friend_or_foe dbr:CDMA dbr:Digital_mobile_radio dbr:Smart_lighting dbr:Laser dbr:Private_mobile_radio dbr:Narrowband dbr:Very_high_frequency dbr:Crest_factor dbr:Vanguard_International_Semiconductor_Corporation dbr:Welding dbr:Freescale_Semiconductor dbr:Ultra_high_frequency dbr:Smart_appliance dbr:Edge-localized_mode dbr:Doherty_amplifier dbr:Information_warfare dbr:Tower_Semiconductor dbr:Transponders dbr:Industrial,_Scientific_and_Medical_band dbr:Audio_technology dbr:2G dbr:Distance_measuring_equipment dbr:GHz dbr:SAMSUNG_FOUNDRY dbr:Particle_accelerators dbr:Cellular_network dbr:High-fidelity dbr:Electric_heating dbr:Continuous_wave dbr:4G dbr:Voltage_standing_wave_ratio dbr:Military_communications dbr:Fire_detection dbr:Public_safety dbr:Ashly_Audio dbr:Broadcasting dbr:Public_address_system dbr:Infineon_Technologies dbr:HH_Electronics dbr:TSMC dbr:Diffused_junction_transistor dbr:Public_announcement dbr:Security dbr:Alarm dbr:International_Mobile_Telecommunications-2000 dbr:Automatic_dependent_surveillance_–_broadcast dbr:Microwave_cooking dbr:Modulation dbr:Bipolar_transistors dbr:High_frequency dbr:Long-Term_Evolution dbr:Multi-band dbr:Land_mobile_radio_system dbr:Security_alarm dbr:LTE_(telecommunication) dbr:Countertop dbr:Power_device dbr:RF_energy dbr:STMicroelectronics dbr:Microwave_heating dbr:Volt dbr:RF_heating dbr:Methane dbr:Mobile_broadband dbr:ADS-B dbr:RF_amplifier dbr:Radio-frequency_identification dbr:Automotive_electronics dbr:Loudspeakers dbr:Electrotechnical_Laboratory dbr:Linear_system dbr:3G dbr:Millimeter-wave dbr:Terrestrial_Trunked_Radio dbr:Amateur_radio dbr:Amplifiers dbr:Refrigerators dbr:Emergency_position-indicating_radiobeacon_station dbr:Power_MOSFET dbr:Carbon_dioxide_laser dbr:WiMAX dbr:Digital_networks dbr:Breakdown_voltage dbr:Magnetic_resonance_imaging dbr:UHF_TV dbr:Satellite_communication dbr:Automatic_meter_reading dbr:Microwave_power dbr:RF_engineering dbr:Radio dbr:Frozen_food dbr:Ovens dbr:GaAs dbr:Heating dbr:Military_technology dbr:Mobile_communications dbr:RF_Micro_Devices dbr:Mode_S dbr:Lighting dbr:Drying dbr:TV_transmitter dbc:MOSFETs dbr:Mobile_communication dbr:Consumer_electronics dbr:RF_CMOS dbr:Professional_mobile_radio dbr:Mobile_phones dbr:Commercial_radio dbr:Audio_power_amplifier dbr:Aerospace dbr:Plasma_etching dbr:Portable_radio dbr:Freezers dbr:Data_logging dbr:MHz dbr:Military_applications dbr:Envelope_tracking dbr:Radio-frequency dbr:Transistor_radio dbr:Gas_detection dbr:Power_semiconductor_device dbr:Electronic_warfare dbr:Pulse_(signal_processing) dbr:5G dbr:Semiconductor_Manufacturing_International_Corporation dbr:Digital_radio dbr:Television
dbo:wikiPageExternalLink
n9:Power-Management-Overview-FINAL.pdf n17:en n24:ldmos
owl:sameAs
dbpedia-ca:LDMOS dbpedia-vi:LDMOS dbpedia-sk:LDMOS dbpedia-da:LDMOS freebase:m.03wd164 dbpedia-ar:موسفت_جانبي_الانتشار n23:3kE8y wikidata:Q4042432 dbpedia-zh:横向扩散金属氧化物半导体
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Short_description dbt:Gallery dbt:See_also dbt:Reflist dbt:Nbsp dbt:Columns-list dbt:Electronic_components dbt:As_of
dbo:thumbnail
n12:BLF2045.jpg?width=300
dbo:abstract
LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor) is a planar double-diffused MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) used in amplifiers, including microwave power amplifiers, RF power amplifiers and audio power amplifiers. These transistors are often fabricated on p/p+ silicon epitaxial layers. The fabrication of LDMOS devices mostly involves various ion-implantation and subsequent annealing cycles. As an example, the drift region of this power MOSFET is fabricated using up to three ion implantation sequences in order to achieve the appropriate doping profile needed to withstand high electric fields. The silicon-based RF LDMOS (radio-frequency LDMOS) is the most widely used RF power amplifier in mobile networks, enabling the majority of the world's cellular voice and data traffic. LDMOS devices are widely used in RF power amplifiers for base-stations as the requirement is for high output power with a corresponding drain to source breakdown voltage usually above 60 volts. Compared to other devices such as GaAs FETs they show a lower maximum power gain frequency. Manufacturers of LDMOS devices and foundries offering LDMOS technologies include TSMC, LFoundry, Tower Semiconductor, ,GLOBALFOUNDRIES, Vanguard International Semiconductor Corporation, STMicroelectronics, Infineon Technologies, RFMD, NXP Semiconductors (including former Freescale Semiconductor), SMIC, MK Semiconductors, Polyfet and Ampleon. LDMOS (موسفت جانبي الانتشار أو أشباه الموصلات ذات أكسيد الفلز المنتشر جانبياً) عبارة عن موسفت مستو مزدوج الإنتشار (ترانزستور يعتبر تأثير المجال فيه من أكسيد الفلز أشباه الموصلات) المستخدم في مكبرات الصوت، بما في ذلك طاقة الميكروويف مضخمات التردد الراديوي ومضخمات القدرة الصوتية. غالبًا ما يتم تصنيع هذه الترانزستورات على طبقات فوقية من السيليكون p / p +. يتضمن تصنيع أجهزة LDMOS في الغالب غرس أيوني مختلف ودورات تلدين لاحقة. على سبيل المثال، تم تصنيع منطقة الإنجراف لهذه الطاقة موسفت باستخدام ما يصل إلى ثلاثة تسلسلات لزرع الأيونات من أجل تحقيق ملف المنشطات المناسب اللازم لتحمل المجالات الكهربائية العالية. إن RF LDMOS (LDMOS) القائم على السيليكون هو مضخم طاقة التردد الراديوي الأكثر استخدامًا في شبكات الهاتف المحمول، مما يمكّن غالبية حركة الصوت والبيانات الخلوية في العالم. تُستخدم أجهزة LDMOS على نطاق واسع في مضخمات طاقة التردد اللاسلكي للمحطات القاعدية حيث أن المطلب هو طاقة خرج عالية مع استنزاف مماثل لجهد تفكيك المصدر عادةً أعلى من 60 فولت. بالمقارنة مع الأجهزة الأخرى مثل GaAs FETs، فإنها تُظهر ترددًا أقل لكسب الطاقة. تشمل الشركات المصنعة لأجهزة LDMOS والمسابك التي تقدم تقنيات LDMOS شركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة، تاور لأشباه الموصلات، شركة جلوبال فاوندريز الطليعة الدولية لأشباه الموصلات، إس تي ميكروإلكترونكس، إنفنيون، RFMD ،NXP (المؤسسة الدولية لتصنيع أشباه الموصلات). 横向扩散金属氧化物半导体(英語:Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,缩写:LDMOS)经常被用于微波/射频电路,制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器,原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件(如GaAs場效電晶體)相比,LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司(TSMC)、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、(VIS)、英飞凌、RFMD、飞思卡尔(Freescale)等。
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:LDMOS?oldid=1122422607&ns=0
dbo:wikiPageLength
23567
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:LDMOS
Subject Item
dbr:List_of_semiconductor_scale_examples
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Power_semiconductor_device
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Wireless_network
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Power_MOSFET
rdfs:seeAlso
dbr:LDMOS
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:RF_CMOS
rdfs:seeAlso
dbr:LDMOS
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:MOSFET
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:MOSFET_applications
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Smartphone
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Linear_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Base_station
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Cellular_network
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Digital_electronics
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Radio-frequency_engineering
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Chen_Xingbi
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Edholm's_law
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:High_fidelity
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Transistor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Mobile_broadband
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Audio_power_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:BCDMOS
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:FET_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Natalino_Camilleri
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:RF_power_amplifier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Mobile_phone_features
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Outline_of_the_Internet
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
dbr:Television_transmitter
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:LDMOS
Subject Item
wikipedia-en:LDMOS
foaf:primaryTopic
dbr:LDMOS