HTML Microdata document

This HTML5 document contains 223 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
dct	http://purl.org/dc/terms/
dbo	http://dbpedia.org/ontology/
n13	http://dbpedia.org/resource/File:
foaf	http://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-kk	http://kk.dbpedia.org/resource/
dbpedia-es	http://es.dbpedia.org/resource/
n14	https://global.dbpedia.org/id/
dbpedia-ru	http://ru.dbpedia.org/resource/
dbt	http://dbpedia.org/resource/Template:
dbpedia-uk	http://uk.dbpedia.org/resource/
rdfs	http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
dbpedia-et	http://et.dbpedia.org/resource/
dbpedia-pt	http://pt.dbpedia.org/resource/
n5	http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fa	http://fa.dbpedia.org/resource/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-eu	http://eu.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ar	http://ar.dbpedia.org/resource/
owl	http://www.w3.org/2002/07/owl#
wikipedia-en	http://en.wikipedia.org/wiki/
dbpedia-zh	http://zh.dbpedia.org/resource/
dbp	http://dbpedia.org/property/
dbc	http://dbpedia.org/resource/Category:
prov	http://www.w3.org/ns/prov#
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
wikidata	http://www.wikidata.org/entity/
dbr	http://dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item: dbr:Capacitor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Row_hammer
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Memory_cell
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageDisambiguates: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Read-only_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Semiconductor_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Metal–nitride–oxide–semiconductor_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:SRAM_cell
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageRedirects: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Dawon_Kahng
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:History_of_computing_hardware
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:List_of_pioneers_in_computer_science
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Charge_trap_flash
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Dynamic_random-access_memory
rdfs:seeAlso: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:ECC_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Computer
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:MoSys
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:MOSFET_applications
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Static_random-access_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Computer_data_storage
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Computer_hardware
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Computer_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Programmable_logic_device
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:CPU_cache
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Memory_cell_(binary)
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageRedirects: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:32_nm_process
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:EPROM
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Flash_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Non-volatile_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Floating-gate_MOSFET
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Gerhard_Klimeck
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:History_of_computing_hardware_(1960s–present)
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:History_of_the_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Abstract_machine
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Soft_error
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:3D_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:CARDboard_Illustrative_Aid_to_Computation
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Solid-state_drive
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Field-programmable_gate_array
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:DRAM_cell
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageRedirects: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Intel
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Intel_1103
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Random-access_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Memory_cell_(computing)
rdf:type: owl:Thing
rdfs:label: خلية الذاكرة (حوسبة) 存储单元 Memoria gelaxka Memory cell (computing) Ячейка памяти Комірка пам'яті Celda de memoria Célula de memória (computação)
rdfs:comment: Комі́рка па́м'яті — мінімальний адресований елемент запам'ятовчого пристрою ЕОМ для зберігання 1 байта інформації. Загальне число комірок пам'яті усіх запам'ятовчих пристроїв визначає ємність пам'яті ЕОМ.Найменша ділянка середовища-носія інформації, що дозволяє зберігати одиницю інформації, називається елементом пам'яті (ЕП).В мікроелектроніці кожна з комірок традиційно зберігає по одному біту інформації. A célula de memória é o bloco de construção fundamental da memória de computador. A célula de memória é um circuito eletrônico que armazena um bit de informação binária e deve ser configurada para armazenar uma lógica 1 (nível de alta tensão) e resetada para armazenar uma lógica 0 (nível de baixa tensão). Seu valor é mantido/armazenado até que seja alterado pelo processo de configurar/resetar. O valor na célula de memória pode ser acessado o lendo. 存储单元是電腦記憶體的基本组成部分。存储单元是一個存储一位二进制信息的电子电路。存儲器中有數萬個存储单元，每個存儲單元都有編號，稱為「存儲單元地址」。存儲单元可以通過不同的技术来实现，例如双极性晶体管、 MOS和其他半导体器件。无论是何种实现技术實現的存储单元，效果都不會改變。 The memory cell is the fundamental building block of computer memory. The memory cell is an electronic circuit that stores one bit of binary information and it must be set to store a logic 1 (high voltage level) and reset to store a logic 0 (low voltage level). Its value is maintained/stored until it is changed by the set/reset process. The value in the memory cell can be accessed by reading it. Memoria gelaxka oinarrizko memoria-unitatea da, oinarrizko datu-unitatea gorde dezakeena (bita ordenagailu gehienetan). خلية الذاكرة هي وحدة البناء الأساسية في ذاكرة الحاسوب. خلية الذاكرة هي دارة إلكترونية تحفظ بتا واحدا من المعلومات الثنائية، إما أن يكون الواحد المنطقي (مستوى التوتر العالي)، أو الصفر المنطقي (مستوى التوتر المنخفص). تُحفظ القيمة حتى تغيرها عملية وضع أو مسح جديدة. يمكن الوصول إلى قيمة خلية الذاكرة بقراءتها. استُخدمت عبر تاريخ الحوسبة أنواع متعددة من بنى خلايا الذاكرة، منها ذاكرة النواة، والذاكرة الفقاعية، ولكن الأشيع في ذواكر الوصول العشوائي هي القلابات (باستعمال ترانزستورات موسفت) والمكثفات. La celda de memoria o posición de memoria es el elemento base fundamental en el que se basa la memoria informática. Es un circuito electrónico que almacena un bit de información binaria y que debe de ser activado para almacenar un valor lógico de 1 (nivel alto de voltaje) y reseteado para almacenar un valor lógico de 0 (nivel bajo de voltaje). El valor de la celda de memoria se mantiene o es recordado hasta que sea cambiado por el proceso de activación/reseteo. Se puede acceder al valor almacenado en la celda de memoria mediante el proceso de lectura. Ячейка памяти является основным строительным блоком памяти компьютера. Ячейка памяти представляет собой электронную схему, которая хранит один бит двоичной информации, и она должна быть настроена на сохранение логической 1 (высокий уровень напряжения) и сброшена для сохранения логического 0 (низкий уровень напряжения). Его значение сохраняется / сохраняется до тех пор, пока оно не будет изменено процессом установки / сброса. Доступ к значению в ячейке памяти можно получить, прочитав его.
rdfs:seeAlso: dbr:Floating-gate_MOSFET
foaf:depiction: n5:SRAM_Cell_(6_Transistors).svg n5:Intel_C1103.jpg n5:Square_array_of_mosfet_cells_read.png n5:Flash_cell_structure.svg n5:SRLatch-lowres.gif n5:MT4C1024-HD.jpg n5:KL_CoreMemory.jpg n5:DRAM_Cell_Structure_(Model_of_Single_Circuit_Cell).png n5:FlipflopJKlogic.png n5:SRAM_Cell_Inverter_Loop.png n5:6T_SRAM_memory_cell_layout.jpg
dct:subject: dbc:Computer_memory dbc:Digital_electronics dbc:MOSFETs dbc:Digital_systems dbc:Electronic_engineering
dbo:wikiPageID: 43949623
dbo:wikiPageRevisionID: 1114063386
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Intel dbr:Intel_1103 dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Germanium dbr:EPROM dbr:EEPROM dbr:Samsung_Electronics dbr:Microprocessor dbr:Thomas_J._Watson_Research_Center dbr:Frederic_Calland_Williams dbr:Dawon_Kahng dbr:Flash_memory dbr:MOSFET dbr:Ken_Olsen dbr:Combinational_logic dbc:Computer_memory dbr:Ferrite_(magnet) n13:SRLatch-lowres.gif n13:Intel_C1103.jpg dbr:Charge_trap_flash dbr:Row_hammer dbr:Computer_memory dbr:Integrated_circuit dbc:Digital_electronics dbr:CMOS dbr:Calculator dbr:Multi-level_cell dbr:RCA dbr:Hitachi dbr:NMOS_logic n13:Square_array_of_mosfet_cells_read.png n13:KL_CoreMemory.jpg dbr:Whirlwind_I dbr:Static_random-access_memory dbr:Jan_A._Rajchman dbr:Semiconductor_device dbr:Bubble_memory dbr:Fujio_Masuoka dbr:Magnetism dbr:Simon_Sze dbr:Schottky_transistor dbr:Transistor–transistor_logic dbr:Digital_electronics dbr:Sequential_logic dbr:Flip-flop_(electronics) dbr:NAND_flash dbr:V-NAND dbr:NAND_gate dbr:Dielectrics dbr:NEC dbr:Bit n13:MT4C1024-HD.jpg dbr:PMOS_logic dbr:An_Wang dbr:Toshiba dbr:Inverter_(logic_gate) dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Fujitsu dbr:Robert_H._Dennard dbr:NOR_flash dbr:NOR_gate dbr:Floating-gate_MOSFET dbc:MOSFETs dbc:Digital_systems dbr:Semiconductor_memory dbr:Magnetic-core_memory dbr:Mebibit n13:SRAM_Cell_(6_Transistors).svg n13:SRAM_Cell_Inverter_Loop.png dbr:Jay_Wright_Forrester dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:State_(computer_science) dbr:Parasitic_capacitance dbr:Capacitor dbr:Computer dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:Non-volatile_memory n13:Flash_cell_structure.svg dbr:Transistor dbr:Logic_gate dbr:Electronic_circuit dbr:Bell_Labs dbr:Williams_tube n13:DRAM_Cell_Structure_(Model_of_Single_Circuit_Cell).PNG dbr:3_µm_process dbr:CPU_cache dbc:Electronic_engineering n13:6T_SRAM_memory_cell_layout.jpg n13:FlipflopJKlogic.png dbr:Random-access_memory
owl:sameAs: dbpedia-ru:Ячейка_памяти n14:mq8R dbpedia-kk:Жад_ұяшығы dbpedia-es:Celda_de_memoria dbpedia-ar:خلية_الذاكرة_(حوسبة) dbpedia-fa:سلول_حافظه dbpedia-eu:Memoria_gelaxka dbpedia-zh:存储单元 dbpedia-pt:Célula_de_memória_(computação) dbpedia-uk:Комірка_пам'яті wikidata:Q18343761 dbpedia-et:Mälupesa
dbp:wikiPageUsesTemplate: dbt:Nbsp dbt:Digital_electronics dbt:Reflist dbt:Main dbt:Short_description dbt:Quote dbt:See dbt:See_also dbt:Memory_types dbt:Use_American_English dbt:Electronic_components
dbo:thumbnail: n5:6T_SRAM_memory_cell_layout.jpg?width=300
dbo:abstract: خلية الذاكرة هي وحدة البناء الأساسية في ذاكرة الحاسوب. خلية الذاكرة هي دارة إلكترونية تحفظ بتا واحدا من المعلومات الثنائية، إما أن يكون الواحد المنطقي (مستوى التوتر العالي)، أو الصفر المنطقي (مستوى التوتر المنخفص). تُحفظ القيمة حتى تغيرها عملية وضع أو مسح جديدة. يمكن الوصول إلى قيمة خلية الذاكرة بقراءتها. استُخدمت عبر تاريخ الحوسبة أنواع متعددة من بنى خلايا الذاكرة، منها ذاكرة النواة، والذاكرة الفقاعية، ولكن الأشيع في ذواكر الوصول العشوائي هي القلابات (باستعمال ترانزستورات موسفت) والمكثفات. خلية ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة هي نوع من دارات القلابات، تحقق عادة باستعمال ترانزستورات موسفت. تتطلب هذه الترانزستورات طاقة قليلة جدًا لحفظ القيمة المخزنة في حالة عدم القراءة. يعتمد النوع الثاني، وهو ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية، على المكثفات. إن شحن المكثفة وتفريغها يخزنان الواحد أو الصفر على الترتيب في الخلية. مع هذا، فإن الشحنة في هذه المكثفة تتلاشى ببطء، لذا يجب إنعاشها بين كل فترة وأخرى. بسبب عملية الإنعاش هذه تستعمل الذواكر العشوائية الديناميكية طاقة أكبر، ولكنها تحقق قوة تخزينية أكبر. بالمقابل، تعتمد الذواكر المستدامة على بنية البوابة العائمة في خلية الذاكرة. تستخدم الذواكر المستدامة -ومنها ذاكرة القراءة القابلة للبرمجة والمسح EPROM وذاكرة القراءة القابلة للبرمجة والمسح الكهربائي EEPROM- خلايا ذاكرية تُبنى ببنية البوابة العائمة، وهي بنية قائمة على ترانزستورات موسفت للبوابات العائمة. La celda de memoria o posición de memoria es el elemento base fundamental en el que se basa la memoria informática. Es un circuito electrónico que almacena un bit de información binaria y que debe de ser activado para almacenar un valor lógico de 1 (nivel alto de voltaje) y reseteado para almacenar un valor lógico de 0 (nivel bajo de voltaje). El valor de la celda de memoria se mantiene o es recordado hasta que sea cambiado por el proceso de activación/reseteo. Se puede acceder al valor almacenado en la celda de memoria mediante el proceso de lectura. Ячейка памяти является основным строительным блоком памяти компьютера. Ячейка памяти представляет собой электронную схему, которая хранит один бит двоичной информации, и она должна быть настроена на сохранение логической 1 (высокий уровень напряжения) и сброшена для сохранения логического 0 (низкий уровень напряжения). Его значение сохраняется / сохраняется до тех пор, пока оно не будет изменено процессом установки / сброса. Доступ к значению в ячейке памяти можно получить, прочитав его. Memoria gelaxka oinarrizko memoria-unitatea da, oinarrizko datu-unitatea gorde dezakeena (bita ordenagailu gehienetan). The memory cell is the fundamental building block of computer memory. The memory cell is an electronic circuit that stores one bit of binary information and it must be set to store a logic 1 (high voltage level) and reset to store a logic 0 (low voltage level). Its value is maintained/stored until it is changed by the set/reset process. The value in the memory cell can be accessed by reading it. Over the history of computing, different memory cell architectures have been used, including core memory and bubble memory. Today, the most common memory cell architecture is MOS memory, which consists of metal–oxide–semiconductor (MOS) memory cells. Modern random-access memory (RAM) uses MOS field-effect transistors (MOSFETs) as flip-flops, along with MOS capacitors for certain types of RAM. The SRAM (static RAM) memory cell is a type of flip-flop circuit, typically implemented using MOSFETs. These require very low power to keep the stored value when not being accessed. A second type, DRAM (dynamic RAM), is based around MOS capacitors. Charging and discharging a capacitor can store a '1' or a '0' in the cell. However, the charge in this capacitor will slowly leak away, and must be refreshed periodically. Because of this refresh process, DRAM uses more power. However, DRAM can achieve greater storage densities. On the other hand, most non-volatile memory (NVM) is based on floating-gate memory cell architectures. Non-volatile memory technologies including EPROM, EEPROM and flash memory use floating-gate memory cells, which are based around floating-gate MOSFET transistors. Комі́рка па́м'яті — мінімальний адресований елемент запам'ятовчого пристрою ЕОМ для зберігання 1 байта інформації. Загальне число комірок пам'яті усіх запам'ятовчих пристроїв визначає ємність пам'яті ЕОМ.Найменша ділянка середовища-носія інформації, що дозволяє зберігати одиницю інформації, називається елементом пам'яті (ЕП).В мікроелектроніці кожна з комірок традиційно зберігає по одному біту інформації. A célula de memória é o bloco de construção fundamental da memória de computador. A célula de memória é um circuito eletrônico que armazena um bit de informação binária e deve ser configurada para armazenar uma lógica 1 (nível de alta tensão) e resetada para armazenar uma lógica 0 (nível de baixa tensão). Seu valor é mantido/armazenado até que seja alterado pelo processo de configurar/resetar. O valor na célula de memória pode ser acessado o lendo. Ao longo da história da computação, diferentes arquiteturas de células de memória foram usadas, incluindo a de memória de núcleo e a de memória de bolha. Hoje, a arquitetura de célula de memória mais comum é a memória de metal-óxido-semicondutor MOS, que consiste em células de memória de metal-óxido-semicondutor (MOS). A memória de acesso aleatório (RAM) moderna usa transistores de efeito de campo (FETs) de metal-óxido-semicondutor (MOS) (MOSFETs) como flip-flops, juntamente com capacitores de metal-óxido-semicondutor (MOS) para certos tipos de memória de acesso aleatório (RAM). A célula de memória da memória estática de acesso aleatório (SRAM, RAM estática) é um tipo de circuito flip-flop, normalmente implementado usando transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Estes requerem energia muito baixa para manter o valor armazenado quando não estão sendo acessados. Um segundo tipo, o da memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM, RAM dinâmica), é baseado em capacitores de metal-óxido-semicondutor (MOS). Carregar e descarregar um capacitor pode armazenar um "1" ou um "0" na célula. No entanto, a carga neste capacitor vazará lentamente e deve ser atualizada periodicamente. Devido a esse processo de atualização, a memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) consome mais energia. No entanto, a memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) pode atingir maiores densidades de armazenamento. Por outro lado, a maioria das memórias não voláteis (NVM) é baseada em arquiteturas de células de memória de porta flutuante. As tecnologias de memória não volátil, incluindo a memória programável apagável somente leitura (EPROM), a memória programável apagável eletricamente somente leitura (EEPROM) e a memória flash, usam células de memória de porta flutuante, que são baseadas em transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) de porta flutuante. 存储单元是電腦記憶體的基本组成部分。存储单元是一個存储一位二进制信息的电子电路。存儲器中有數萬個存储单元，每個存儲單元都有編號，稱為「存儲單元地址」。存儲单元可以通過不同的技术来实现，例如双极性晶体管、 MOS和其他半导体器件。无论是何种实现技术實現的存储单元，效果都不會改變。
prov:wasDerivedFrom: wikipedia-en:Memory_cell_(computing)?oldid=1114063386&ns=0
dbo:wikiPageLength: 27977
foaf:isPrimaryTopicOf: wikipedia-en:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Multi-level_cell
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:SONOS
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:USB_flash_drive
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Cell
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageDisambiguates: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:T-RAM
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Flash_ADC
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Multigate_device
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Transistor_count
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:1_bit_memory_cell
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageRedirects: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Binary_cell
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageRedirects: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: dbr:Memory_cell_(computers)
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageRedirects: dbr:Memory_cell_(computing)

Subject Item: wikipedia-en:Memory_cell_(computing)
foaf:primaryTopic: dbr:Memory_cell_(computing)