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- Rowhammer bezeichnet einen Konstruktionsfehler bei Speicherbausteinen, bei denen sich bestimmte Bits im Arbeitsspeicher (DRAM) ohne Schreibzugriff auf diese verändern lassen. Dieser Fehler ermöglicht es einem Angreifer in der Theorie, durch derartige Veränderungen bestimmter Bits z. B. Sicherheitsvorkehrungen zu umgehen. Der erste auf diesem Effekt basierende praktische Angriff wurde im März 2015 durch Mark Seaborn, Matthew Dempsky und Thomas Dullien einer breiten Öffentlichkeit bekannt. Mark Seaborn gelang nach eigenen Angaben das Ausnutzen der Schwachstelle auf 15 von 29 Laptops. (de)
- Le martèlement de mémoire, de l'anglais row hammer ou rowhammer, est un effet secondaire imprévu dans les mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) qui provoque une fuite de charge électrique dans des cellules de mémoire, et en conséquence provoque une interaction électrique entre ces cellules et d'autres cellules voisines. Le contenu mémorisé dans ces cellules voisines peut être ainsi modifié. Un programme informatique peut ainsi parvenir à modifier le contenu des cellules voisines sans avoir besoin d'accéder à ces cellules voisines, et donc sans avoir le droit d'y accéder. (fr)
- Row hammer (also written as rowhammer) is a security exploit that takes advantage of an unintended and undesirable side effect in dynamic random-access memory (DRAM) in which memory cells interact electrically between themselves by leaking their charges, possibly changing the contents of nearby memory rows that were not addressed in the original memory access. This circumvention of the isolation between DRAM memory cells results from the high cell density in modern DRAM, and can be triggered by specially crafted memory access patterns that rapidly activate the same memory rows numerous times. The row hammer effect has been used in some privilege escalation computer security exploits, and network-based attacks are also theoretically possible. Different hardware-based techniques exist to prevent the row hammer effect from occurring, including required support in some processors and types of DRAM memory modules. (en)
- ロウハンマー (row hammer, rowhammer) は、ダイナミックRAM (DRAM) に起きる意図的でない副作用で、複数のメモリセルから電荷が漏れ出し、メモリセル間で電気的な相互作用が起きるために、元のメモリアドレスで指定されていない近くの行の内容が漏れだす可能性があるという現象（行間干渉）である。このようなメモリセル間の分離の回避は近年のDRAMのメモリセルの密度の高さに起因しており、同じ行を何回もすばやく有効にするよう特別に細工されたによって引き起こされることがある。 ロウハンマーはコンピュータ・セキュリティでに悪用（→エクスプロイト）されており、攻撃者と被害者が高速ネットワークで接続されている場合はネットワークベースの攻撃も理論的には可能である。 ロウハンマーを防ぐいくつかの異なるハードウェアベースの技法が存在する。これにはDRAM のタイプとプロセッサによるサポートを必要とするものが含まれる。ロウハンマーはDDRやDDR2 SDRAMモジュールにはほとんど、または全く影響しない。多くのDDR3やDDR4 SDRAMモジュールには影響を及ぼす。 (ja)
- Rowhammer是一种对动态随机存取存储器（DRAM）攻击方法。这种攻击利用了DRAM在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应，攻击会导致存储器单元泄露电荷并可能造成，攻击存在的一个原因是现在DRAM存储单元的高密度排列造成的。一些高端芯片采用ECC(error-correcting code)技术来防止这个问题的发生，而一种称为ECCploit的攻击方法可以部分的绕过ECC保护机制。 (zh)
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- DDR3 Memory Known Failure Mechanism called "Row Hammer" (en)
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- Rowhammer bezeichnet einen Konstruktionsfehler bei Speicherbausteinen, bei denen sich bestimmte Bits im Arbeitsspeicher (DRAM) ohne Schreibzugriff auf diese verändern lassen. Dieser Fehler ermöglicht es einem Angreifer in der Theorie, durch derartige Veränderungen bestimmter Bits z. B. Sicherheitsvorkehrungen zu umgehen. Der erste auf diesem Effekt basierende praktische Angriff wurde im März 2015 durch Mark Seaborn, Matthew Dempsky und Thomas Dullien einer breiten Öffentlichkeit bekannt. Mark Seaborn gelang nach eigenen Angaben das Ausnutzen der Schwachstelle auf 15 von 29 Laptops. (de)
- Le martèlement de mémoire, de l'anglais row hammer ou rowhammer, est un effet secondaire imprévu dans les mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM) qui provoque une fuite de charge électrique dans des cellules de mémoire, et en conséquence provoque une interaction électrique entre ces cellules et d'autres cellules voisines. Le contenu mémorisé dans ces cellules voisines peut être ainsi modifié. Un programme informatique peut ainsi parvenir à modifier le contenu des cellules voisines sans avoir besoin d'accéder à ces cellules voisines, et donc sans avoir le droit d'y accéder. (fr)
- ロウハンマー (row hammer, rowhammer) は、ダイナミックRAM (DRAM) に起きる意図的でない副作用で、複数のメモリセルから電荷が漏れ出し、メモリセル間で電気的な相互作用が起きるために、元のメモリアドレスで指定されていない近くの行の内容が漏れだす可能性があるという現象（行間干渉）である。このようなメモリセル間の分離の回避は近年のDRAMのメモリセルの密度の高さに起因しており、同じ行を何回もすばやく有効にするよう特別に細工されたによって引き起こされることがある。 ロウハンマーはコンピュータ・セキュリティでに悪用（→エクスプロイト）されており、攻撃者と被害者が高速ネットワークで接続されている場合はネットワークベースの攻撃も理論的には可能である。 ロウハンマーを防ぐいくつかの異なるハードウェアベースの技法が存在する。これにはDRAM のタイプとプロセッサによるサポートを必要とするものが含まれる。ロウハンマーはDDRやDDR2 SDRAMモジュールにはほとんど、または全く影響しない。多くのDDR3やDDR4 SDRAMモジュールには影響を及ぼす。 (ja)
- Rowhammer是一种对动态随机存取存储器（DRAM）攻击方法。这种攻击利用了DRAM在运行过程中产生的意外电荷泄漏效应，攻击会导致存储器单元泄露电荷并可能造成，攻击存在的一个原因是现在DRAM存储单元的高密度排列造成的。一些高端芯片采用ECC(error-correcting code)技术来防止这个问题的发生，而一种称为ECCploit的攻击方法可以部分的绕过ECC保护机制。 (zh)
- Row hammer (also written as rowhammer) is a security exploit that takes advantage of an unintended and undesirable side effect in dynamic random-access memory (DRAM) in which memory cells interact electrically between themselves by leaking their charges, possibly changing the contents of nearby memory rows that were not addressed in the original memory access. This circumvention of the isolation between DRAM memory cells results from the high cell density in modern DRAM, and can be triggered by specially crafted memory access patterns that rapidly activate the same memory rows numerous times. (en)
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- Rowhammer (de)
- Martèlement de mémoire (fr)
- ロウハンマー (ja)
- Row hammer (en)
- Rowhammer (zh)
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