| dbo:abstract
|
- عملية 3 ميكرومتر (بالإنجليزية: 3 µm process) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العام 1977، من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل. (ar)
- The 3 μm process is the level of MOSFET semiconductor process technology that was reached around 1977, by leading semiconductor companies such as Intel. (en)
- El proceso de 3 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producidos en el año 1975 y posteriores por las principales empresas de semiconductores, como Intel. (es)
- 3 µm (ou encore 3 000 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 10 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1975 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1.5 µm. (fr)
- 3 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 3 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1975년 경 인텔과 같은 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
- 3 µm (o 3000 nanometri) evoluzione del precedente processo a 10 µm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo fu introdotto da Intel, la principale industria di semiconduttori, intorno al 1975. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 1.5 µm. (it)
- O processo de 3 μm é o nível de tecnologia de processo de semicondutor MOSFET que foi alcançado por volta de 1977, por empresas líderes de semicondutores, como a Intel. (pt)
- 3 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1977年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。 (zh)
|
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 2941 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:date
| |
| dbp:list
|
- MOSFET semiconductor device fabrication process (en)
|
| dbp:next
| |
| dbp:prev
| |
| dbp:reason
|
- Other sources say 3μm and not a reliable source. (en)
- Source says 3μm not 3.2 (en)
|
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dct:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- عملية 3 ميكرومتر (بالإنجليزية: 3 µm process) عملية تشير إلى مستوى عملية تصنيع تقنية أشباه الموصلات التي تم التوصل إليها بحدود العام 1977، من قبل الشركات الرائدة في مجال أشباه الموصلات، مثل إنتل. (ar)
- The 3 μm process is the level of MOSFET semiconductor process technology that was reached around 1977, by leading semiconductor companies such as Intel. (en)
- El proceso de 3 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producidos en el año 1975 y posteriores por las principales empresas de semiconductores, como Intel. (es)
- 3 µm (ou encore 3 000 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 10 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1975 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1.5 µm. (fr)
- 3 µm(마이크로미터) 공정은 회로선 폭이 3 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1975년 경 인텔과 같은 반도체 회사가 달성하였다. (ko)
- 3 µm (o 3000 nanometri) evoluzione del precedente processo a 10 µm è un processo produttivo della tecnologia dei semiconduttori con cui vengono prodotti i circuiti integrati a larghissima scala di integrazione (VLSI). Questo processo fu introdotto da Intel, la principale industria di semiconduttori, intorno al 1975. Il successore di questo processo utilizza una larghezza di canale di 1.5 µm. (it)
- O processo de 3 μm é o nível de tecnologia de processo de semicondutor MOSFET que foi alcançado por volta de 1977, por empresas líderes de semicondutores, como a Intel. (pt)
- 3 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1977年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。 (zh)
|
| rdfs:label
|
- عملية 3 ميكرومتر (ar)
- 3 µm process (en)
- Proceso de 3 µm (es)
- 3 µm (fr)
- 3 µm (it)
- 3 µm 공정 (ko)
- 3 µm (pt)
- 3微米制程 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
