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- Selected area (electron) diffraction (abbreviated as SAD or SAED), is a crystallographic experimental technique typically performed using a transmission electron microscope (TEM). It is a specific case of electron diffraction used primarily in material science and solid state physics as one of the most common experimental techniques. Especially with appropriate analytical software, SAD patterns (SADP) can be used to determine crystal orientation, measure lattice constants or examine its defects. (en)
- 制限視野電子回折（Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED）とは、結晶構造を調べる手法で、透過型電子顕微鏡（TEM）で用いられる。 TEMでは薄い結晶サンプルに高エネルギー電子の平行ビームを照射する。一般的にTEMサンプルの厚みは~100 nm、電子のエネルギーは100-400keVで、電子は容易にサンプルを透過する。このとき電子は粒子ではなく波動として扱われる（粒子と波動の二重性を参照）。高エネルギー電子の波長は数千ナノメートルであり、固体中の原子間距離よりも100倍程度大きいため、原子は電子に対して回折格子として働く。つまり一部はサンプルの結晶構造によって決まるある一定の角度に散乱され、その他の部分は偏向せずにサンプルを透過する。 その結果TEMのスクリーン上の像は制限視野回折パターン（selected area diffraction pattern, SADP）と呼ばれる一連のスポットとなり、サンプルの結晶構造の満たすべき回折条件を満たすように各スポットは現れる。サンプルを傾けると別の回折条件が有効になり、異なる回折スポットが生じたり回折スポットが消えたりする。 ユーザーはサンプルの一部分のみの回折パターンを選択的に得ることができる。制限視野絞りはTEMカラムのサンプルホルダーの下に位置し、ビーム経路に挿入することでビームを遮断する。金属の薄い板に異なる大きさの穴が開いており、ユーザーによって動かすことができる。穴を透過する一部の電子ビーム以外は全て遮断される。調べたいサンプルの位置に絞りの穴を動かすことで、その位置のみがスクリーン上のSADPに寄与する。これは多結晶などで重要である。1つ以上の結晶がSADPに寄与する場合、分析することは困難となる。そのような場合、1回の分析で１つの結晶を選択するのが便利である。2つの結晶の間の結晶方位を調べるときには、一度に2つの結晶を選ぶことある。 SADは結晶構造を同定したり、結晶欠陥を調べるときに用いられる。これはX線回折でも同様だが、X線回折では一般的に数ｃｍの領域を調べるのに対して、SADでは数百ナノメートル程度の大きさの領域を調べることができる。 回折パターンはブロードで平行な電子ビームを照射することで得られる。像面での絞りは試料の回折領域を選ぶのに用いられ、位置選択的な回折分析を与える。SADパターンは逆格子の投影で、するどい回折スポットを示す。結晶サンプルを低指数の晶帯軸に傾けることで、結晶構造の同定や格子定数の測定にSADパターンを用いることができる。SADは暗視野イメージング条件を構成するのに重要である。SADのその他の用途には、格子整合、界面、双晶、結晶欠陥などがある。 SADは主に材料科学や固体物理学で用いられ、最も一般的に用いられる実験手法の１つである。 (ja)
- Difração (de elétrons) de área selecionada (abreviada como SAD ou SAED, do inglês, de selected area diffraction ou selected area electron diffraction), algumas vezes chamada difração de elétrons SAD, é uma técnica cristalográfica experimental que pode ser realizada em um microscópio eletrônico de transmissão (TEM). Foi inventada em 1947 por . Em um MET, um fino espécime cristalino é submetido à um feixe paralelo de elétrons de alta energia. Como espéciemes para MET tem tipicamente espessura de ~100 nm, e os elétrons tipicamente tem uma energia de 100-400 kiloelétron-volts, os elétrons passam através da amostra facilmente. Neste caso, elétrons são tratados como ondas, menos que como partículas (ver dualidade onda-partícula). Porque o comprimento de onda de elétrons de alta energia é uma fração de um nanômetro, e o espaçamento entre átomos em um sólido é somente levemente maior, os átomos atuam como uma para os elétrons, os quais são difratados. Ou seja, uma fração deles serão dispersos em ângulos particulares, determinados pela estrutura cristalina da amostra, enquanto outros continuam a passar através da amostra sem deflexão. COmo resultado, a imagem na tela do MET será uma série de manchas - o padrão de difração de área selecionada (SADP, de selected area diffraction pattern), cada mancha correspondendo a uma condição de difração satisfeita da estrutura do cristal da amostra. Se a amostra é inclinada, o mesmo cristal irá manter-se sob iluminação (dos elétrons), mas diferentes condições de difração serão ativadas, e diferentes manchas de difração aparecerão ou desaparecerão. (pt)
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- Selected area (electron) diffraction (abbreviated as SAD or SAED), is a crystallographic experimental technique typically performed using a transmission electron microscope (TEM). It is a specific case of electron diffraction used primarily in material science and solid state physics as one of the most common experimental techniques. Especially with appropriate analytical software, SAD patterns (SADP) can be used to determine crystal orientation, measure lattice constants or examine its defects. (en)
- 制限視野電子回折（Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED）とは、結晶構造を調べる手法で、透過型電子顕微鏡（TEM）で用いられる。 TEMでは薄い結晶サンプルに高エネルギー電子の平行ビームを照射する。一般的にTEMサンプルの厚みは~100 nm、電子のエネルギーは100-400keVで、電子は容易にサンプルを透過する。このとき電子は粒子ではなく波動として扱われる（粒子と波動の二重性を参照）。高エネルギー電子の波長は数千ナノメートルであり、固体中の原子間距離よりも100倍程度大きいため、原子は電子に対して回折格子として働く。つまり一部はサンプルの結晶構造によって決まるある一定の角度に散乱され、その他の部分は偏向せずにサンプルを透過する。 その結果TEMのスクリーン上の像は制限視野回折パターン（selected area diffraction pattern, SADP）と呼ばれる一連のスポットとなり、サンプルの結晶構造の満たすべき回折条件を満たすように各スポットは現れる。サンプルを傾けると別の回折条件が有効になり、異なる回折スポットが生じたり回折スポットが消えたりする。 SADは主に材料科学や固体物理学で用いられ、最も一般的に用いられる実験手法の１つである。 (ja)
- Difração (de elétrons) de área selecionada (abreviada como SAD ou SAED, do inglês, de selected area diffraction ou selected area electron diffraction), algumas vezes chamada difração de elétrons SAD, é uma técnica cristalográfica experimental que pode ser realizada em um microscópio eletrônico de transmissão (TEM). Foi inventada em 1947 por . (pt)
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