| dbo:abstract
|
- RAM resistiva (resistive random-access memory, RRAM o ReRAM) és una mena de memòria de computadora no volàtil (NV) d'accés aleatori (RAM) que funciona canviant la resistència elèctrica d'un material dielèctric d'estat sòlid que també s'anomena memristència. Aquesta tecnologia s'assembla a CBRAM (RAM de pont conductor) i PCM (memòria de canvi de fase). (ca)
- Als Resistive Random Access Memory (RRAM oder ReRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen RAM-Speichertyp, der durch Änderung des elektrischen Widerstandes eines schwach leitfähigen Dielektrikums Information speichert. Die Speicherzelle eines RRAMs, welche die Informationsmenge von einem Bit speichern kann, besteht aus einem normalerweise nicht leitenden Oxid, in dem künstliche Störstellen eingefügt sind, deren elektrischer Widerstand durch eine beim Schreiben angelegte elektrische Spannung zwischen zwei Extremwerten umgeschaltet werden kann. Die beiden Widerstandswerte repräsentieren die beiden möglichen Zustände logisch-0 oder logisch-1 von einem Bit. RRAM ist seit ca. 2010 Gegenstand verschiedener praktischer Entwicklungsarbeiten auf Versuchsniveau, erste Patente und Forschungsarbeiten zu dieser Technologie datieren aus Anfang der 2000er Jahre. Im Jahr 2013 stelle die Firma Panasonic einen 8-Bit-Microcontroller mit integrierten RRAM im Umfang von 64 kByte kommerziell vor. Mit Stand 2017 spielt RRAM allerdings, bis auf wenige Versuchsanwendungen, keine bedeutende Rolle im Bereich der Halbleitertechnik, da die Preise im Vergleich zu anderen, ähnlichen Speicherzellen wie Flash-Speicher nicht konkurrenzfähig ist. 2020 plant Globalfoundries RRAMs 2022 für Produktionszwecke als kosteneffiziente NVRAM Technologie bereitzustellen. Ob RRAM-Zellen zu dem thematischen Bereich der Memristoren zählen ist in der Literatur umstritten, da sich die Funktionsdefinition des Memristors nicht mit den einer RRAM-Zelle deckt. (de)
- Resistive random-access memory (RRAM ou ReRAM) est un type de mémoire non volatile en cours de développement par différentes entreprises, dont certaines en ont brevetée des versions (par exemple Sharp Laboratories of America pour le brevet US 6531371 en juin 2001, Samsung Electronics pour le brevet US 7292469 en novembre 2004, et Micron Technology, Spansion, , , entre ces deux dates). La technologie comporte quelques similitudes à CBRAM et à PRAM (Phase-Change Random Access Memory). En 2013, la presse informatique affiche de bons espoirs que la mémoire RRAM va détrôner la mémoire vive DRAM et la mémoire flash grâce à des performances plusieurs fois supérieures. Selon la société Crossbar, acteur majeur émergeant de la technologie RRAM, cette technologie permet de stocker 1 To de données sur une puce de la taille d’un timbre postal. Elle est également 20 fois plus rapide que la meilleure mémoire flash en août 2013, et consomme 20 fois moins d’énergie. Selon Crossbar, la production à grande échelle de leurs puces RRAM est prévue pour 2015, lors d’un entretien en août 2013. (fr)
- La memoria de acceso aleatorio resistiva o RRAM (resistive random-access memory, también se usa la sigla ReRAM) es un tipo de memoria de computadora no volátil (NV) que funciona cambiando la resistencia utilizando un material dieléctrico de estado sólido al que también se le refiere como memristencia. Esta tecnología se asemeja a CBRAM (RAM de puente conductor) y PCM (memoria de cambio de fase). CBRAM se base en un electrodo que proporciona iones que se disuelven en un material electrolítico, mientras que PCM se fundamenta en generar suficiente energía para estimular cambios de fase de tipo amorfos-cristalino o cristalino-amorfos. Por otro lado, RRAM genera defectos en una capa delgada de óxido, conocidos como vacantes de oxígeno (enlaces de óxido se establecen donde los de oxígeno fueron removidos ), que subsecuentemente puede cargar y ser arrastrados hacia un campo eléctrico. El movimiento de los amorfos-cristalino]] y vacantes en el óxido sería análogo al movimiento de electrones y huecos en un semiconductor. RRAM está actualmente desarrollándose por varias compañías, algunas de ellas han patentado posibles aplicaciones de esta tecnología. RRAM entró al mercado con una capacidad limitada, de la escala de KB. Aunque esta tecnología se anticipa como el reemplazo de la memoria flash, el costo beneficio y el rendimiento de la RRAM no se ha demostrado a las compañías como para que hagan el cambio. Hay una larga lista de materiales que podrían ser utilizados para la RRAM . Sin embargo un descubrimiento reciente que la puerta dieléctrica de alta constante dieléctrica de tipo HfO2 puede ser utilizada como una RRAM de baja tensión, esto ha alentado en gran medida a otros a investigar otras posibilidades. (es)
- Resistive random-access memory (ReRAM or RRAM) is a type of non-volatile (NV) random-access (RAM) computer memory that works by changing the resistance across a dielectric solid-state material, often referred to as a memristor. ReRAM bears some similarities to conductive-bridging RAM (CBRAM) and phase-change memory (PCM). CBRAM involves one electrode providing ions that dissolve readily in an electrolyte material, while PCM involves generating sufficient Joule heating to effect amorphous-to-crystalline or crystalline-to-amorphous phase changes. By contrast, ReRAM involves generating defects in a thin oxide layer, known as oxygen vacancies (oxide bond locations where the oxygen has been removed), which can subsequently charge and drift under an electric field. The motion of oxygen ions and vacancies in the oxide would be analogous to the motion of electrons and holes in a semiconductor. Although ReRAM was initially seen as a replacement technology for flash memory, the cost and performance benefits of ReRAM have not been enough for companies to proceed with the replacement. Apparently, a broad range of materials can be used for ReRAM. However, the discovery that the popular high-κ gate dielectric HfO2 can be used as a low-voltage ReRAM has encouraged researchers to investigate more possibilities. RRAM® is the registered trademark name of Sharp Corporation, a Japanese electronic components manufacturer, in some countries, including members of the European Union. (en)
- 저항 메모리(Resistive RAM: RRAM 또는 ReRAM)는 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류이다. RRAM은 부도체 물질에 충분히 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 것이다. 일단 통로가 생성되면 적당한 전압을 가하여 쉽게 없애거나 다시 생성할 수 있다. 페로브스카이트(perovskite)나 전이금속 산화물, 칼코게나이드 등의 다양한 물질을 이용한 RRAM이 개발되고 있다. (ko)
- ReRAM（英: resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（、CER効果）を利用しており、
* 電圧で書き換えるため（電流が微量で）消費電力が小さい
* 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2（Fは配線の径で、数十nm程）と小さく、高密度化（=低コスト化）が可能
* 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易
* 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 (ja)
- RRAM, een afkorting van Resistive Random Access Memory, is een nieuw niet-vluchtig geheugen dat wordt ontwikkeld door Sharp. Er is nog niet veel bekend over de technologie die hiervoor gebruikt wordt, maar volgens Sharp zal het tot maximaal 100 keer sneller zijn dan het huidige flashgeheugen. (nl)
- La RRAM (nota anche come ReRAM o OxRAM), sigla di Resistive Random Access Memory, è un tipo di memoria non volatile attualmente in fase di sviluppo, in cui l'informazione memorizzata è associata alla resistenza di un sottile film di materiale commutabile elettricamente. (it)
- RRAM (förkortning för Resistive Random-Access Memory) är en ny typ av icke-flyktigt minne som utvecklas av många olika företag. Teknologin har vissa likheter med CBRAM. Denna datorminne-relaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
- ReRAM ou RRAM (Resistive Random Access Memory ou Memória RAM Resistiva, em português) é um tipo de memória RAM não-volátil baseada no uso de memristores, os quais consistem em um tipo de resistor que tem propriedades de memória, armazenando a última resistência registrada e podendo variar o valor da resistência de acordo com a direção em que a corrente flui pelo dispositivo. (pt)
- Резистивна пам'ять з довільним доступом (RRAM, ReRAM, Resistive random-access memory) — енергонезалежна пам'ять, яку розробляють декілька компаній. Вже є патентовані версії ReRAM. Технологія має деяку схожість з і PRAM. У лютому 2012 Rambus купила (поглинула) компанію виробника ReRAM під назвою Unity Semiconductor за 35 млн доларів. (uk)
- Резистивная память с произвольным доступом (RRAM, ReRAM, Resistive random-access memory) — энергонезависимая память, разрабатываемая несколькими компаниями. Уже имеются патентованные версии ReRAM. Технология имеет некоторое сходство с и PRAM. В феврале 2012 Rambus купила (поглотила) компанию производителя ReRAM под названием Unity Semiconductor за 35 миллионов долларов[значимость факта?]. (ru)
- 可變電阻式記憶體（英語：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體，和另一種新型的磁阻式隨機存取記憶體一起屬於新世代的記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體，目前許多公司都正在發展這種技術。 對於即將迎來的物聯網時代需要即時資料儲存需求、低能耗、資料耐久度高、每次寫入或儲存的資料單位小等層面，綜觀上面的需要，NAND快閃記憶體並不是一個合適的選項，不過由於ReRAM的操作電壓較低，消耗的電力亦較少，且ReRAM的寫入資訊速度比同樣是非揮發性記憶體的NAND快閃記憶體快1萬倍，因此在這個即將面臨而來的挑戰，可變電阻式記憶體絕對是一個不可或缺的存在。 最基本的可變電阻式記憶體是由上下兩層金屬電極以及中間一層過渡金屬氧化物(Transition metal oxide, TMO)所組成，主要的操作原理是利用過渡金屬氧化物的阻值，會隨著所加偏壓改變而產生不同的阻值，而如何辦別內部儲存的值，則由內部的阻值高低來做分別。通常會先對剛生產好的進行初始化，此過程被稱為Forming，必須對元件施加偏壓，當電場超過臨界值時介電層會發生崩潰現象，使介電層從高阻值轉為低阻值。而從Forming之後發生改變阻值的現象，若是從高阻態到低阻態的過程稱之為SET，相反地，從低阻態到高阻態的過程稱之為RESET。 (zh)
|
| rdfs:comment
|
- RAM resistiva (resistive random-access memory, RRAM o ReRAM) és una mena de memòria de computadora no volàtil (NV) d'accés aleatori (RAM) que funciona canviant la resistència elèctrica d'un material dielèctric d'estat sòlid que també s'anomena memristència. Aquesta tecnologia s'assembla a CBRAM (RAM de pont conductor) i PCM (memòria de canvi de fase). (ca)
- 저항 메모리(Resistive RAM: RRAM 또는 ReRAM)는 차세대 비휘발성 메모리의 한 종류이다. RRAM은 부도체 물질에 충분히 높은 전압을 가하면 전류가 흐르는 통로가 생성되어 저항이 낮아지는 현상을 이용한 것이다. 일단 통로가 생성되면 적당한 전압을 가하여 쉽게 없애거나 다시 생성할 수 있다. 페로브스카이트(perovskite)나 전이금속 산화물, 칼코게나이드 등의 다양한 물질을 이용한 RRAM이 개발되고 있다. (ko)
- ReRAM（英: resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（、CER効果）を利用しており、
* 電圧で書き換えるため（電流が微量で）消費電力が小さい
* 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2（Fは配線の径で、数十nm程）と小さく、高密度化（=低コスト化）が可能
* 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易
* 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 (ja)
- RRAM, een afkorting van Resistive Random Access Memory, is een nieuw niet-vluchtig geheugen dat wordt ontwikkeld door Sharp. Er is nog niet veel bekend over de technologie die hiervoor gebruikt wordt, maar volgens Sharp zal het tot maximaal 100 keer sneller zijn dan het huidige flashgeheugen. (nl)
- La RRAM (nota anche come ReRAM o OxRAM), sigla di Resistive Random Access Memory, è un tipo di memoria non volatile attualmente in fase di sviluppo, in cui l'informazione memorizzata è associata alla resistenza di un sottile film di materiale commutabile elettricamente. (it)
- RRAM (förkortning för Resistive Random-Access Memory) är en ny typ av icke-flyktigt minne som utvecklas av många olika företag. Teknologin har vissa likheter med CBRAM. Denna datorminne-relaterade artikel saknar väsentlig information. Du kan hjälpa till genom att lägga till den. (sv)
- ReRAM ou RRAM (Resistive Random Access Memory ou Memória RAM Resistiva, em português) é um tipo de memória RAM não-volátil baseada no uso de memristores, os quais consistem em um tipo de resistor que tem propriedades de memória, armazenando a última resistência registrada e podendo variar o valor da resistência de acordo com a direção em que a corrente flui pelo dispositivo. (pt)
- Резистивна пам'ять з довільним доступом (RRAM, ReRAM, Resistive random-access memory) — енергонезалежна пам'ять, яку розробляють декілька компаній. Вже є патентовані версії ReRAM. Технологія має деяку схожість з і PRAM. У лютому 2012 Rambus купила (поглинула) компанію виробника ReRAM під назвою Unity Semiconductor за 35 млн доларів. (uk)
- Резистивная память с произвольным доступом (RRAM, ReRAM, Resistive random-access memory) — энергонезависимая память, разрабатываемая несколькими компаниями. Уже имеются патентованные версии ReRAM. Технология имеет некоторое сходство с и PRAM. В феврале 2012 Rambus купила (поглотила) компанию производителя ReRAM под названием Unity Semiconductor за 35 миллионов долларов[значимость факта?]. (ru)
- 可變電阻式記憶體（英語：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體，和另一種新型的磁阻式隨機存取記憶體一起屬於新世代的記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體，目前許多公司都正在發展這種技術。 對於即將迎來的物聯網時代需要即時資料儲存需求、低能耗、資料耐久度高、每次寫入或儲存的資料單位小等層面，綜觀上面的需要，NAND快閃記憶體並不是一個合適的選項，不過由於ReRAM的操作電壓較低，消耗的電力亦較少，且ReRAM的寫入資訊速度比同樣是非揮發性記憶體的NAND快閃記憶體快1萬倍，因此在這個即將面臨而來的挑戰，可變電阻式記憶體絕對是一個不可或缺的存在。 最基本的可變電阻式記憶體是由上下兩層金屬電極以及中間一層過渡金屬氧化物(Transition metal oxide, TMO)所組成，主要的操作原理是利用過渡金屬氧化物的阻值，會隨著所加偏壓改變而產生不同的阻值，而如何辦別內部儲存的值，則由內部的阻值高低來做分別。通常會先對剛生產好的進行初始化，此過程被稱為Forming，必須對元件施加偏壓，當電場超過臨界值時介電層會發生崩潰現象，使介電層從高阻值轉為低阻值。而從Forming之後發生改變阻值的現象，若是從高阻態到低阻態的過程稱之為SET，相反地，從低阻態到高阻態的過程稱之為RESET。 (zh)
- Als Resistive Random Access Memory (RRAM oder ReRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen RAM-Speichertyp, der durch Änderung des elektrischen Widerstandes eines schwach leitfähigen Dielektrikums Information speichert. Die Speicherzelle eines RRAMs, welche die Informationsmenge von einem Bit speichern kann, besteht aus einem normalerweise nicht leitenden Oxid, in dem künstliche Störstellen eingefügt sind, deren elektrischer Widerstand durch eine beim Schreiben angelegte elektrische Spannung zwischen zwei Extremwerten umgeschaltet werden kann. Die beiden Widerstandswerte repräsentieren die beiden möglichen Zustände logisch-0 oder logisch-1 von einem Bit. (de)
- La memoria de acceso aleatorio resistiva o RRAM (resistive random-access memory, también se usa la sigla ReRAM) es un tipo de memoria de computadora no volátil (NV) que funciona cambiando la resistencia utilizando un material dieléctrico de estado sólido al que también se le refiere como memristencia. Esta tecnología se asemeja a CBRAM (RAM de puente conductor) y PCM (memoria de cambio de fase). (es)
- Resistive random-access memory (ReRAM or RRAM) is a type of non-volatile (NV) random-access (RAM) computer memory that works by changing the resistance across a dielectric solid-state material, often referred to as a memristor. RRAM® is the registered trademark name of Sharp Corporation, a Japanese electronic components manufacturer, in some countries, including members of the European Union. (en)
- Resistive random-access memory (RRAM ou ReRAM) est un type de mémoire non volatile en cours de développement par différentes entreprises, dont certaines en ont brevetée des versions (par exemple Sharp Laboratories of America pour le brevet US 6531371 en juin 2001, Samsung Electronics pour le brevet US 7292469 en novembre 2004, et Micron Technology, Spansion, , , entre ces deux dates). La technologie comporte quelques similitudes à CBRAM et à PRAM (Phase-Change Random Access Memory). (fr)
|
