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- Static secondary-ion mass spectrometry, or static SIMS is a secondary ion mass spectrometry technique for chemical analysis including elemental composition and chemical structure of the uppermost atomic or molecular layer of a solid which may be a metal, semiconductor or plastic with insignificant disturbance to its composition and structure. It is one of the two principal modes of operation of SIMS, which is the mass spectrometry of ionized particles emitted by a solid (or sometimes liquid) surface upon bombardment by energetic primary particles. (en)
- Il SIMS statico, o SSIMS (static secondary ion mass spectrometry) è una tecnica di spettrometria di massa, precisamente di spettrometria di massa a ioni secondari (SIMS). Trova grande applicazione nel campo dei beni culturali. Il modo di lavoro del SIMS statico si chiama microscope mode. La tecnica fu inventata da Benninghoven, Niehus e Steffens all'Università di Münster (Germania) nel 1969 e da Charles Evans e collaboratori. La prima libreria spettrale per SIMS statico è stata pubblicata nel 1989. La spettrometria di massa di ioni secondari è generalmente una tecnica distruttiva, poiché interagisce con il campione alterandolo. A seconda dell'intensità del fascio primario, e di conseguenza del processo di erosione, si fa però distinzione tra SIMS dinamico e SIMS statico, nel caso in cui la superficie analizzata non venga modificata durante l'analisi. In realtà anche nel SIMS statico si ha alterazione della superficie del campione, sebbene essa sia assai limitata (in particolare utilizzando un fascio primario defocalizzato). La densità di corrente degli ioni primari è infatti così piccola che solo una parte trascurabile del primo strato della superficie (tipicamente 1%) è perso durante l'analisi.Nel SIMS statico sono necessari tempi di analisi (tempi di erosione) di alcune ore per consumare interamente un solo strato molecolare. Gli strumenti per la tecnica di SIMSI statico usano generalmente sorgenti pulsate di ioni primari e analizzatori a tempo di volo. Sviluppi recenti si stanno concentrando su nuove fonti di ioni primari come fullerene o cluster di oro e bismuto. (it)
- A sigla SIMS significa "Espectrômetro de Massa por Íons Secundários". Hoje em dia, são fabricados dois tipos de SIMS: o chamado SIMS de Setor Magnético, também conhecido como SIMS dinâmico, e o ToF-SIMS (Time of Flight SIMS ou SIMS por Tempo de Voo), também conhecido como SIMS estático. SIMS são técnicas de análise de superfícies que permitem determinar componentes químicos. ToF-SIMS é apropriado para se trabalhar a nível molecular. Em alguns compostos, pode chegar ao limite de detecção da ordem de 100 partes por bilhão, e resolução lateral de 100 nanômetros a 1 milímetro. Não é a técnica mais indicada para análises elementares e isotópicas, exceto em altas concentrações. Para aplicações mais avançadas que visam a detectar desde elementos predominantes até elementos a baixíssimas concentrações (traço e ultratraço), é necessário o SIMS de Setor Magnético, que pode chegar ao limite de detecção da ordem de 10 partes por trilhão, com resolução lateral da ordem de 10 micrômetros. ToF-SIMS pode chegar à taxa de 4 mil contagens por segundo. Há alguns anos, foi criado o NanoSIMS, que pode chegar à taxa de 400 mil contagens por segundo. (pt)
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- Il SIMS statico, o SSIMS (static secondary ion mass spectrometry) è una tecnica di spettrometria di massa, precisamente di spettrometria di massa a ioni secondari (SIMS). Trova grande applicazione nel campo dei beni culturali. Il modo di lavoro del SIMS statico si chiama microscope mode. La tecnica fu inventata da Benninghoven, Niehus e Steffens all'Università di Münster (Germania) nel 1969 e da Charles Evans e collaboratori. La prima libreria spettrale per SIMS statico è stata pubblicata nel 1989. (it)
- A sigla SIMS significa "Espectrômetro de Massa por Íons Secundários". Hoje em dia, são fabricados dois tipos de SIMS: o chamado SIMS de Setor Magnético, também conhecido como SIMS dinâmico, e o ToF-SIMS (Time of Flight SIMS ou SIMS por Tempo de Voo), também conhecido como SIMS estático. SIMS são técnicas de análise de superfícies que permitem determinar componentes químicos. ToF-SIMS é apropriado para se trabalhar a nível molecular. Em alguns compostos, pode chegar ao limite de detecção da ordem de 100 partes por bilhão, e resolução lateral de 100 nanômetros a 1 milímetro. Não é a técnica mais indicada para análises elementares e isotópicas, exceto em altas concentrações. Para aplicações mais avançadas que visam a detectar desde elementos predominantes até elementos a baixíssimas concentra (pt)
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- SIMS statico (it)
- Static secondary-ion mass spectrometry (en)
- ToF-SIMS (pt)
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