| dbo:abstract
|
- Als Metall-Halbleiter-Kontakt wird in der Halbleiterphysik und -technik im Allgemeinen ein Kontakt zwischen Metallen und Halbleitern bezeichnet. Metall-Halbleiter-Übergänge kommen bei der Kontaktierung von halbleitenden Materialien vor und stellen somit eines der wichtigsten Elemente bei Halbleiterbauelementen und mikroelektronischen Schaltkreisen dar. Sie können aber auch eigenständige Bauelemente darstellen, wie zum Beispiel die Schottky-Diode. Diese Übergänge treten allgemein in zwei Formen auf, zum einen als polungsunabhängige Kontakte mit einer linearen Strom-Spannungs-Charakteristik, sogenannte ohmsche Kontakte, zum anderen stark polungsabhängige Kontakte mit der Strom-Spannungs-Charakteristik einer Diode, sogenannte Schottky-Kontakte. Welche Form sich an der Kontaktstelle eines Metalls und eines Halbleiters ausbildet, hängt primär von der Lage der Fermi-Energie im Metall und dem Halbleiter ab, und ist damit auch abhängig von der Dotierung des Halbleiters. Detaillierte Beschreibungen hierzu finden sich in den Artikeln der beiden Kontaktformen. (de)
- In solid-state physics, a metal–semiconductor (M–S) junction is a type of electrical junction in which a metal comes in close contact with a semiconductor material. It is the oldest practical semiconductor device. M–S junctions can either be rectifying or non-rectifying. The rectifying metal–semiconductor junction forms a Schottky barrier, making a device known as a Schottky diode, while the non-rectifying junction is called an ohmic contact. (In contrast, a rectifying semiconductor–semiconductor junction, the most common semiconductor device today, is known as a p–n junction.) Metal–semiconductor junctions are crucial to the operation of all semiconductor devices. Usually an ohmic contact is desired, so that electrical charge can be conducted easily between the active region of a transistor and the external circuitry.Occasionally however a Schottky barrier is useful, as in Schottky diodes, Schottky transistors, and metal–semiconductor field effect transistors. (en)
- Nella fisica dello stato solido, una giunzione metallo-semiconduttore è una tipologia di giunzione nella quale un metallo viene messo in contatto con un materiale semiconduttore. È il primo tipo reale di dispositivo a semiconduttore. Le giunzioni M-S possono funzionare come rettificanti oppure possono non avere caratteristiche rettificanti. La giunzione M-S rettificante forma una barriera Schottky, costituendo un dispositivo noto come diodo Schottky, mentre una giunzione M-S non rettificante viene chiamata contatto ohmico (Si ricorda che una giunzione rettificante semiconduttore-semiconduttore, che è il dispositivo ad oggi più diffuso, è noto come giunzione p-n). (it)
- 固体物理学において金属-半導体接合とは、接合の一種で、金属と半導体が緊密に接触する。最も古い実用的な半導体デバイスである。金属-半導体接合は、整流作用があるものと無いものに分類される。整流作用がある金属-半導体接合はショットキー障壁を形成しており、ショットキーダイオードで用いられる。整流作用が無い金属-半導体接合はオーミックコンタクトと呼ばれる。（整流作用がある半導体-半導体接合はpn接合として知られる。） オーミックコンタクトでは電荷がトランジスタと外部回路との間を容易に移動できるため、通常はオーミックコンタクトが望まれる。しかしショットキーダイオード、、金属-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）などはショットキー障壁が用いられている。 (ja)
- Złącze m-s (metal-półprzewodnik) - złącze metalu z półprzewodnikiem powstałe poprzez pokrycie metalem płytki z półprzewodnika.Złącze m-s może mieć jedną z 2 charakterystyk prądowo - napięciowych:
* liniową - złącze o charakterze omowym (opornościowym)
* nieliniową - złącze prostujące, tzw. „złącze Schottky’ego” rodzaj charakterystyki jest zależny od relacji pracy wyjścia elektronu z metalu do półprzewodnika i na odwrót, oraz od koncentracji półprzewodnika. (pl)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 19497 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:caption
|
- Schottky–Mott rule: As the materials are brought together, the bands in the silicon bend such that the silicon's work function Φ matches the silver's. The bands retain their bending upon contact. This model predicts silver to have a very low Schottky barrier to n-doped silicon, making an excellent ohmic contact. (en)
- Picture showing Fermi level pinning effect from metal-induced gap states: The bands in the silicon already start out bent due to surface states. They are bent again just before contact . Upon contact however, the band bending changes completely, in a way that depends on the chemistry of the Ag-Si bonding. (en)
|
| dbp:footer
|
- Band diagrams for models of formation of junction between silver and n-doped silicon. In practice this Schottky barrier is approximately ΦB = 0.8 eV. (en)
|
| dbp:image
|
- Metal semiconductor junction Bardeen picture.svg (en)
- Metal semiconductor junction Schottky approximation.svg (en)
|
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Nella fisica dello stato solido, una giunzione metallo-semiconduttore è una tipologia di giunzione nella quale un metallo viene messo in contatto con un materiale semiconduttore. È il primo tipo reale di dispositivo a semiconduttore. Le giunzioni M-S possono funzionare come rettificanti oppure possono non avere caratteristiche rettificanti. La giunzione M-S rettificante forma una barriera Schottky, costituendo un dispositivo noto come diodo Schottky, mentre una giunzione M-S non rettificante viene chiamata contatto ohmico (Si ricorda che una giunzione rettificante semiconduttore-semiconduttore, che è il dispositivo ad oggi più diffuso, è noto come giunzione p-n). (it)
- 固体物理学において金属-半導体接合とは、接合の一種で、金属と半導体が緊密に接触する。最も古い実用的な半導体デバイスである。金属-半導体接合は、整流作用があるものと無いものに分類される。整流作用がある金属-半導体接合はショットキー障壁を形成しており、ショットキーダイオードで用いられる。整流作用が無い金属-半導体接合はオーミックコンタクトと呼ばれる。（整流作用がある半導体-半導体接合はpn接合として知られる。） オーミックコンタクトでは電荷がトランジスタと外部回路との間を容易に移動できるため、通常はオーミックコンタクトが望まれる。しかしショットキーダイオード、、金属-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）などはショットキー障壁が用いられている。 (ja)
- Złącze m-s (metal-półprzewodnik) - złącze metalu z półprzewodnikiem powstałe poprzez pokrycie metalem płytki z półprzewodnika.Złącze m-s może mieć jedną z 2 charakterystyk prądowo - napięciowych:
* liniową - złącze o charakterze omowym (opornościowym)
* nieliniową - złącze prostujące, tzw. „złącze Schottky’ego” rodzaj charakterystyki jest zależny od relacji pracy wyjścia elektronu z metalu do półprzewodnika i na odwrót, oraz od koncentracji półprzewodnika. (pl)
- Als Metall-Halbleiter-Kontakt wird in der Halbleiterphysik und -technik im Allgemeinen ein Kontakt zwischen Metallen und Halbleitern bezeichnet. Metall-Halbleiter-Übergänge kommen bei der Kontaktierung von halbleitenden Materialien vor und stellen somit eines der wichtigsten Elemente bei Halbleiterbauelementen und mikroelektronischen Schaltkreisen dar. Sie können aber auch eigenständige Bauelemente darstellen, wie zum Beispiel die Schottky-Diode. (de)
- In solid-state physics, a metal–semiconductor (M–S) junction is a type of electrical junction in which a metal comes in close contact with a semiconductor material. It is the oldest practical semiconductor device. M–S junctions can either be rectifying or non-rectifying. The rectifying metal–semiconductor junction forms a Schottky barrier, making a device known as a Schottky diode, while the non-rectifying junction is called an ohmic contact. (In contrast, a rectifying semiconductor–semiconductor junction, the most common semiconductor device today, is known as a p–n junction.) (en)
|
| rdfs:label
|
- Unió metall-semiconductor (ca)
- Metall-Halbleiter-Kontakt (de)
- Giunzione metallo-semiconduttore (it)
- 金属半導体接合 (ja)
- Metal–semiconductor junction (en)
- Złącze m-s (pl)
|
| rdfs:seeAlso
| |
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
