This HTML5 document contains 107 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
yago-reshttp://yago-knowledge.org/resource/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
n21http://dbpedia.org/resource/File:
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
n18https://global.dbpedia.org/id/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n22http://www.lelandstanfordjunior.com/
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
n17http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbphttp://dbpedia.org/property/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbpedia-bghttp://bg.dbpedia.org/resource/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Thermal_oxidation
rdf:type
yago:PhysicalEntity100001930 yago:Coating103058107 yago:WikicatCoatings yago:Artifact100021939 yago:Covering103122748 yago:Object100002684 yago:Whole100003553
rdfs:label
Oxidación en semiconductores Oxidació tèrmica أكسدة حرارية Thermische Oxidation von Silizium Термическое оксидирование Thermal oxidation Oxydation thermique
rdfs:comment
In microfabrication, thermal oxidation is a way to produce a thin layer of oxide (usually silicon dioxide) on the surface of a wafer. The technique forces an oxidizing agent to diffuse into the wafer at high temperature and react with it. The rate of oxide growth is often predicted by the Deal–Grove model. Thermal oxidation may be applied to different materials, but most commonly involves the oxidation of silicon substrates to produce silicon dioxide. L'oxydation thermique est un procédé qui utilise l'énergie thermique pour oxyder des substances. Les buts de ce type de procédé sont assez divers : destruction de substances dangereuses avec formation de substances inertes, production d'énergie (l'oxydation est en général une réaction exothermique), traitement de surface afin de modifier les propriétés d'un matériau, etc. Die thermische Oxidation von Silizium ist ein Verfahren zur Änderung der Oberflächeneigenschaften, bei dem an der Oberfläche eines Siliziumsubstrats (beispielsweise einem Silizium-Wafer) oder einer Teilstruktur aus Silizium eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid erzeugt wird. Das Verfahren wird in der Halbleitertechnik unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Prozess basiert auf der Eindiffusion von Sauerstoff und dessen chemischer Reaktion mit Silizium bei Temperaturen über 1100 °C. Bei sehr kurzen Prozesszeiten nennt man das Verfahren auch „Rapid Thermal Oxidation“ (RTO, deutsch: schnelle thermische Oxidation), das zur Erzeugung von sehr dünnen Siliziumoxidschichten (< 2 nm) dient. Ein ähnliches Verfahren ist die Erzeugung einer thermi Оксидирование кремния (Si) — процесс создания оксидной плёнки (диоксида кремния SiO2) на поверхности кремниевой подложки. Задача оксидирования — вырастить высококачественный слой оксида на подложке из кремния. Оксид кремния получается в процессе химической реакции между кислородом и кремнием. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность подложки, нагретой в печи. В качестве окислительной среды обычно используется сухой или влажный (с паром) кислород. La oxidación es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados. Presenta la desventaja respecto a la deposición de que hay un consumo del sustrato. La ventaja es que el óxido así generado es de más calidad. Otra característica de la oxidación (u oxidación térmica) es que sólo puede utilizarse al principio del proceso de fabricación cuando la oblea tiene aún el silicio al descubierto. La forma más usada es la oxidación térmica. Para el caso del silicio (Si) la oxidación puede ser: Si + 2H2O ————> SiO2 + 2H2 Si + O2 ————> SiO2 . الأكسدة الحرارية هي عملية صناعية في مجال تشطيب سطوح الرقائق السيليكونية تهدف إلى تشكيل غشاء رقيق من ثنائي أكسيد السيليكون، وذلك بإجبار مؤكسد على الانتشار في الرقاقة عند درجات حرارة مرتفعة. تجرى عملية الأكسدة الحرارية عند درجات حرارة تتراوح بين 800 °س إلى 1200 °س، ويمكن أن تجرى إما باستخدام بخار الماء مرتفع النقاوة أو باستخدام الأكسجين الجزيئي. يمكن أن يستقرأ معدل نمو طبقة ثنائي أكسيد السيليكون على رقاقة السيليكون باستخدام (Deal–Grove model).
foaf:depiction
n17:Centrotherm_diffusion_furnace_at_LAAS_0493.jpg
dcterms:subject
dbc:Microtechnology dbc:Semiconductor_technology dbc:Nanoelectronics dbc:Silicon dbc:Nanomaterials dbc:MOSFETs dbc:Materials
dbo:wikiPageID
8556260
dbo:wikiPageRevisionID
1091865407
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deal–Grove_model dbr:Chemical_vapor_deposition dbr:Silicon_nitride dbr:Hydrochloric_acid dbr:Silicon dbr:Chlorine dbr:Silicon_dioxide dbc:Semiconductor_technology dbr:Quantum_state dbr:Dangling_bond dbr:Prentice_Hall dbc:Microtechnology dbr:Miller_indices dbr:Hydrogen_chloride dbr:Oxygen dbr:Solvation dbr:Metal dbr:Dopant dbr:Sodium dbr:Water_vapor dbc:Nanoelectronics dbr:MOSFET dbr:LOCOS dbc:Silicon dbr:Trichloroethylene dbr:Quartz dbr:Ultra-high-purity_steam_for_oxidation_and_annealing dbr:Microfabrication dbr:Industrial_furnace dbr:Mass_diffusivity dbr:Crystal dbr:Ion dbr:Wafer_(semiconductor) n21:Centrotherm_diffusion_furnace_at_LAAS_0493.jpg dbr:Celsius dbc:Nanomaterials dbc:MOSFETs dbr:Wafer_(electronics) dbr:Tetraethyl_orthosilicate dbr:Dust dbc:Materials dbr:Sodium_chloride dbr:Dielectric_strength dbr:Density dbr:Silicon_Nanowire dbr:Oxide
dbo:wikiPageExternalLink
n22:thermaloxide.html
owl:sameAs
dbpedia-fr:Oxydation_thermique dbpedia-de:Thermische_Oxidation_von_Silizium freebase:m.0277ryt n18:YXHF dbpedia-ru:Термическое_оксидирование dbpedia-fa:اکسایش_حرارتی dbpedia-ar:أكسدة_حرارية dbpedia-ca:Oxidació_tèrmica yago-res:Thermal_oxidation dbpedia-bg:Термично_окисление dbpedia-es:Oxidación_en_semiconductores wikidata:Q1549368
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Reflist dbt:Cite_book dbt:Citation_needed dbt:Commons_category dbt:Short_description dbt:Main
dbo:thumbnail
n17:Centrotherm_diffusion_furnace_at_LAAS_0493.jpg?width=300
dbo:abstract
. الأكسدة الحرارية هي عملية صناعية في مجال تشطيب سطوح الرقائق السيليكونية تهدف إلى تشكيل غشاء رقيق من ثنائي أكسيد السيليكون، وذلك بإجبار مؤكسد على الانتشار في الرقاقة عند درجات حرارة مرتفعة. تجرى عملية الأكسدة الحرارية عند درجات حرارة تتراوح بين 800 °س إلى 1200 °س، ويمكن أن تجرى إما باستخدام بخار الماء مرتفع النقاوة أو باستخدام الأكسجين الجزيئي. يمكن أن يستقرأ معدل نمو طبقة ثنائي أكسيد السيليكون على رقاقة السيليكون باستخدام (Deal–Grove model). In microfabrication, thermal oxidation is a way to produce a thin layer of oxide (usually silicon dioxide) on the surface of a wafer. The technique forces an oxidizing agent to diffuse into the wafer at high temperature and react with it. The rate of oxide growth is often predicted by the Deal–Grove model. Thermal oxidation may be applied to different materials, but most commonly involves the oxidation of silicon substrates to produce silicon dioxide. L'oxydation thermique est un procédé qui utilise l'énergie thermique pour oxyder des substances. Les buts de ce type de procédé sont assez divers : destruction de substances dangereuses avec formation de substances inertes, production d'énergie (l'oxydation est en général une réaction exothermique), traitement de surface afin de modifier les propriétés d'un matériau, etc. La oxidación es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados. Presenta la desventaja respecto a la deposición de que hay un consumo del sustrato. La ventaja es que el óxido así generado es de más calidad. Otra característica de la oxidación (u oxidación térmica) es que sólo puede utilizarse al principio del proceso de fabricación cuando la oblea tiene aún el silicio al descubierto. La forma más usada es la oxidación térmica. Para el caso del silicio (Si) la oxidación puede ser: Si + 2H2O ————> SiO2 + 2H2 Si + O2 ————> SiO2 La primera es la oxidación húmeda y la segunda oxidación seca.La oxidación húmeda se realiza a través de vapor agua a una temperatura de 900 °C a 1000 °C. El crecimiento es más rápido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidación. Se suele utilizar para la creación de Óxido de Campo (FOX). La oxidación seca se realiza con oxígeno puro a una temperatura de 1200 °C. Es un proceso más lento pero por el contrario produce menos defectos y ofrece un mayor control sobre el proceso. El óxido producido con la oxidación seca es de mayor calidad y se suele destinar para el óxido de puerta (THINOX). Las capas de óxido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo óxido de puerta de un MOS), para separar dos dispositivos entre sí (óxido de campo), como máscara en otros procesos (implantación, difusión...), para separar dos capas de materiales conductores, etc. En la microfabricació, l'oxidació tèrmica és una manera de produir una fina capa d'òxid (generalment diòxid de silici ) a la superfície d'una oblia. La tècnica obliga un agent oxidant a difondre's a l'oblia a alta temperatura i reaccionar amb ella. El model de Deal-Grove prediu sovint la taxa de creixement de l'òxid. L'oxidació tèrmica es pot aplicar a diferents materials, però més comunament implica l'oxidació de substrats de silici per produir diòxid de silici. Оксидирование кремния (Si) — процесс создания оксидной плёнки (диоксида кремния SiO2) на поверхности кремниевой подложки. Задача оксидирования — вырастить высококачественный слой оксида на подложке из кремния. Оксид кремния получается в процессе химической реакции между кислородом и кремнием. Кислород содержится в окислительной среде, с которой контактирует поверхность подложки, нагретой в печи. В качестве окислительной среды обычно используется сухой или влажный (с паром) кислород. Die thermische Oxidation von Silizium ist ein Verfahren zur Änderung der Oberflächeneigenschaften, bei dem an der Oberfläche eines Siliziumsubstrats (beispielsweise einem Silizium-Wafer) oder einer Teilstruktur aus Silizium eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid erzeugt wird. Das Verfahren wird in der Halbleitertechnik unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt. Der Prozess basiert auf der Eindiffusion von Sauerstoff und dessen chemischer Reaktion mit Silizium bei Temperaturen über 1100 °C. Bei sehr kurzen Prozesszeiten nennt man das Verfahren auch „Rapid Thermal Oxidation“ (RTO, deutsch: schnelle thermische Oxidation), das zur Erzeugung von sehr dünnen Siliziumoxidschichten (< 2 nm) dient. Ein ähnliches Verfahren ist die Erzeugung einer thermischen Siliziumnitrid-Schicht auf einem Siliziumsubstrat bei hohen Temperaturen.
gold:hypernym
dbr:Way
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Thermal_oxidation?oldid=1091865407&ns=0
dbo:wikiPageLength
9376
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Thermal_oxidation