This HTML5 document contains 111 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
n23https://cyclotron.lbl.gov/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
n24http://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
n17http://
n39http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
n33http://scholarsarchive.byu.edu/etd/521/
n41http://stinet.dtic.mil/oai/
n21http://etd.library.vanderbilt.edu/ETD-db/available/etd-11022005-161757/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n15https://web.archive.org/web/20050316074002/http:/www.boeing.com/assocproducts/radiationlab/publications/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n9https://web.archive.org/web/20050310163239/http:/www.altera.com/products/devices/stratix/features/
n35http://crc.stanford.edu/crc_papers/
n14http://dbpedia.org/resource/File:
dbphttp://dbpedia.org/property/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
n5https://web.archive.org/web/20070930200558/http:/stinet.dtic.mil/oai/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
n27http://www.rcnp.osaka-u.ac.jp/~annurep/2001/genkou/sec3/
n40https://global.dbpedia.org/id/
n13http://www.microsemi.com/products/fpga-soc/reliability/
n16http://ieeexplore.ieee.org/xpls/
n26http://radhome.gsfc.nasa.gov/radhome/
n18https://web.archive.org/web/20051018163723/http:/flightlinux.gsfc.nasa.gov/docs/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
n32https://web.archive.org/web/20060103143222/http:/www-hpc.jpl.nasa.gov/PEP/pls/papers/
dbpedia-simplehttp://simple.dbpedia.org/resource/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
n42http://www.research.ibm.com/journal/
dbpedia-trhttp://tr.dbpedia.org/resource/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
n10http://www.usenix.org/events/usenix07/tech/
n4http://spectrum.library.concordia.ca/15130/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#

Statements

Subject Item
dbr:Single-event_upset
rdfs:label
Perturbation par une particule isolée Single event upset Single-event upset 单粒子翻转 Single Event Upset Порушення в результаті одиничної події
rdfs:comment
Une perturbation par une particule isolée (PPI) (en anglais : Single event upset) est un changement d'état provoqué par une seule particule ionisante (ions, électrons, photons ...) frappant un nœud sensible dans un dispositif microélectronique, comme dans un microprocesseur, une , ou transistors de puissance. Le changement d'état est le résultat de la charge libre créée par ionisation dans ou à proximité d'un nœud important d'un élément logique (par exemple dans un "bit" de mémoire). L'erreur de la donnée de sortie ou du fonctionnement de l'appareil causée par cette impact est appelée perturbation par une particule isolée ou . A single-event upset (SEU), also known as a single-event error (SEE), is a change of state caused by one single ionizing particle (ions, electrons, photons...) striking a sensitive node in a micro-electronic device, such as in a microprocessor, semiconductor memory, or power transistors. The state change is a result of the free charge created by ionization in or close to an important node of a logic element (e.g. memory "bit"). The error in device output or operation caused as a result of the strike is called an SEU or a soft error. Порушення в результаті одиничної події (англ. Single Event Upset, SEU), також відоме як помилка в результаті однієї події (англ. Single Event Error, SEE), є зміною стану, викликаною однією іонізуючою частинкою (іонами, електронами, фотонами…), що вражає чутливий вузол мікроелемента, електронні пристрої, такі як мікропроцесор, напівпровідникова пам'ять або транзистори. Зміна стану є результатом вільного заряду, створеного іонізацією у важливому вузлі логічного елемента або поблизу нього (наприклад, «біт» пам'яті). Помилка виводу або роботи пристрою, викликана в результаті удару, називається SEU або . 单粒子翻转英文缩写SEU（Single-Event Upsets），航天电子学术语，原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子，计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射，引起电位状态的跳变，“0”变成“1”，或者“1”变成“0”，但一般不会造成器件的物理性损伤。 单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述，单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率，计算质子单粒子翻转率的一般性公式： 其中：为阈值能量，单位MeV；为质子单粒子翻转截面积，单位；为质子微分流量。 Ein Single Event Upset (SEU) ist ein Soft Error (deutsch „weicher“ Fehler), der in Halbleiterbauelementen beim Durchgang hochenergetischer ionisierender Teilchen (z. B. Schwerionen, Protonen) hervorgerufen werden kann. Er äußert sich beispielsweise als bitflip (Änderung des Zustandes eines Bits) in Speicherbausteinen oder Registern, was zu einer Fehlfunktion des betroffenen Bauteils führen kann. Die Klassifizierung als soft error rührt daher, dass ein SEU keinen dauerhaften Schaden am betroffenen Bauteil bewirkt. Ein Beispiel für einen hard error ist der Single Event Latch-up (SEL). Single Event Upset (SEU) es un cambio de estado causado por una sola partícula ionizante (iones, electrones, fotones ...) que golpea un nodo sensible en un dispositivo microelectrónico, como por ejemplo un microprocesador, memoria de semiconductor o transistores de alimentación. El cambio de estado es el resultado de la carga libre creada por ionización dentro o cerca de un nodo importante de un elemento lógico (por ejemplo, "bit" de memoria). El error en la salida del dispositivo u operación causada como resultado del ataque se denomina SEU o soft error.
foaf:depiction
n39:Airbus_A330-303,_Qantas_AN0743607.jpg
dcterms:subject
dbc:Digital_electronics
dbo:wikiPageID
2158886
dbo:wikiPageRevisionID
1122847651
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Latchup dbr:Thyristor dbr:Microprocessor n14:Airbus_A330-303,_Qantas_AN0743607.jpg dbr:Elementary_particle dbr:Super_Mario_64 dbr:Parasitic_structure dbr:Silicon_on_insulator dbr:Silicon_on_sapphire dbr:Schaerbeek dbr:Particle_accelerator dbr:Ionization dbr:Cyclotron dbr:Integrated_circuit_packaging dbr:Cosmic_ray dbr:Brussels dbr:Alpha_particle dbr:Single-event_transients dbr:Nuclear_testing dbr:International_Business_Machines dbr:Cosmic_rays dbr:Belgium dbr:Solar_particle_event dbr:Soft_error dbr:Caesium-137 dbr:Nintendo_64 dbr:Goddard_Space_Flight_Center dbr:Bevatron dbr:Yale_University dbc:Digital_electronics dbr:Radiation_hardening dbr:Johnson_counter dbr:Magnetosphere dbr:Semiconductor dbr:ECC_memory dbr:Semiconductor_memory dbr:Radioactive dbr:Hamming_distance dbr:Timothy_C._May dbr:Gate_rupture dbr:Epitaxy dbr:Thermal_runaway dbr:Transistors dbr:Van_Allen_radiation_belts dbr:Gray_code dbr:Parity_bit dbr:Latch-up dbr:Speedrunner dbr:Memory_scrubbing
dbo:wikiPageExternalLink
n4:%7C n5:oai%3F&verb=getRecord&metadataPrefix=html&identifier=ADA333415%7C n9:stx-seu.html n10:li.html n13:see n15: n16:icp.jsp%3Farnumber=6187516 n17:www.seutest.com n18:Target_Arch_Report.html n21:%7C n23:home n24:nph-abs_connect n26:see.htm n27:kobayashi.pdf n32:Fault_analysis.pdf n33: n35:CRC-TR-01-4.pdf n41:oai%3F&verb=getRecord&metadataPrefix=html&identifier=ADA333415%7C n42:rd40-1.html
owl:sameAs
dbpedia-simple:Single_event_upset dbpedia-uk:Порушення_в_результаті_одиничної_події dbpedia-zh:单粒子翻转 dbpedia-tr:Single_event_upset dbpedia-fr:Perturbation_par_une_particule_isolée dbpedia-de:Single_Event_Upset dbpedia-es:Single_event_upset wikidata:Q1476733 n40:UXFx
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Short_description dbt:Interlanguage_link_multi dbt:Cite_thesis dbt:Main dbt:More_footnotes dbt:Cite_book dbt:ProQuest dbt:Math
dbo:thumbnail
n39:Airbus_A330-303,_Qantas_AN0743607.jpg?width=300
dbo:abstract
A single-event upset (SEU), also known as a single-event error (SEE), is a change of state caused by one single ionizing particle (ions, electrons, photons...) striking a sensitive node in a micro-electronic device, such as in a microprocessor, semiconductor memory, or power transistors. The state change is a result of the free charge created by ionization in or close to an important node of a logic element (e.g. memory "bit"). The error in device output or operation caused as a result of the strike is called an SEU or a soft error. The SEU itself is not considered permanently damaging to the transistor's or circuits' functionality unlike the case of single-event latch-up (SEL), single-event (SEGR), or single-event burnout (SEB). These are all examples of a general class of radiation effects in electronic devices called single-event effects (SEEs). Une perturbation par une particule isolée (PPI) (en anglais : Single event upset) est un changement d'état provoqué par une seule particule ionisante (ions, électrons, photons ...) frappant un nœud sensible dans un dispositif microélectronique, comme dans un microprocesseur, une , ou transistors de puissance. Le changement d'état est le résultat de la charge libre créée par ionisation dans ou à proximité d'un nœud important d'un élément logique (par exemple dans un "bit" de mémoire). L'erreur de la donnée de sortie ou du fonctionnement de l'appareil causée par cette impact est appelée perturbation par une particule isolée ou . Une perturbation par une particule isolée en elle-même n'est pas considérée comme endommageant de façon permanente la fonctionnalité du transistor ou des circuits contrairement au cas du , d’une isolée ou d’un claquage isolé. Ce sont tous des exemples d'une classe générale d'effets de rayonnement dans les appareils électroniques appelés effets à événement unique (EEU). Ein Single Event Upset (SEU) ist ein Soft Error (deutsch „weicher“ Fehler), der in Halbleiterbauelementen beim Durchgang hochenergetischer ionisierender Teilchen (z. B. Schwerionen, Protonen) hervorgerufen werden kann. Er äußert sich beispielsweise als bitflip (Änderung des Zustandes eines Bits) in Speicherbausteinen oder Registern, was zu einer Fehlfunktion des betroffenen Bauteils führen kann. Die Klassifizierung als soft error rührt daher, dass ein SEU keinen dauerhaften Schaden am betroffenen Bauteil bewirkt. Ein Beispiel für einen hard error ist der Single Event Latch-up (SEL). Single Event Upset (SEU) es un cambio de estado causado por una sola partícula ionizante (iones, electrones, fotones ...) que golpea un nodo sensible en un dispositivo microelectrónico, como por ejemplo un microprocesador, memoria de semiconductor o transistores de alimentación. El cambio de estado es el resultado de la carga libre creada por ionización dentro o cerca de un nodo importante de un elemento lógico (por ejemplo, "bit" de memoria). El error en la salida del dispositivo u operación causada como resultado del ataque se denomina SEU o soft error. La SEU por sí misma no se considera dañando permanentemente la funcionalidad del transistor o de los circuitos, a diferencia del sencillo event latchup (SEL), single event (SEGR), o el single event burnout (SEB). Todos estos son ejemplos de una clase general de efectos de radiación en dispositivos electrónicos llamados single event effects (SEE). Порушення в результаті одиничної події (англ. Single Event Upset, SEU), також відоме як помилка в результаті однієї події (англ. Single Event Error, SEE), є зміною стану, викликаною однією іонізуючою частинкою (іонами, електронами, фотонами…), що вражає чутливий вузол мікроелемента, електронні пристрої, такі як мікропроцесор, напівпровідникова пам'ять або транзистори. Зміна стану є результатом вільного заряду, створеного іонізацією у важливому вузлі логічного елемента або поблизу нього (наприклад, «біт» пам'яті). Помилка виводу або роботи пристрою, викликана в результаті удару, називається SEU або . 单粒子翻转英文缩写SEU（Single-Event Upsets），航天电子学术语，原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子，计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场、宇宙射线等照射，引起电位状态的跳变，“0”变成“1”，或者“1”变成“0”，但一般不会造成器件的物理性损伤。 单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述，单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率，计算质子单粒子翻转率的一般性公式： 其中：为阈值能量，单位MeV；为质子单粒子翻转截面积，单位；为质子微分流量。
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Single-event_upset?oldid=1122847651&ns=0
dbo:wikiPageLength
14194
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Single-event_upset