HTML Microdata document

This HTML5 document contains 231 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
dbpedia-de	http://de.dbpedia.org/resource/
dcterms	http://purl.org/dc/terms/
yago-res	http://yago-knowledge.org/resource/
dbo	http://dbpedia.org/ontology/
n17	http://dbpedia.org/resource/File:
foaf	http://xmlns.com/foaf/0.1/
n22	http://www.quadibloc.com/comp/
n23	https://global.dbpedia.org/id/
n10	http://dbpedia.org/resource/National_Semiconductor_SC/
yago	http://dbpedia.org/class/yago/
dbpedia-ru	http://ru.dbpedia.org/resource/
dbt	http://dbpedia.org/resource/Template:
dbpedia-uk	http://uk.dbpedia.org/resource/
rdfs	http://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
freebase	http://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-pt	http://pt.dbpedia.org/resource/
dbpedia-cs	http://cs.dbpedia.org/resource/
n8	http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fa	http://fa.dbpedia.org/resource/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-ar	http://ar.dbpedia.org/resource/
owl	http://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-it	http://it.dbpedia.org/resource/
dbpedia-vi	http://vi.dbpedia.org/resource/
n5	https://web.archive.org/web/20180702235616/http:/www.quadibloc.com/comp/
wikipedia-en	http://en.wikipedia.org/wiki/
dbc	http://dbpedia.org/resource/Category:
prov	http://www.w3.org/ns/prov#
dbp	http://dbpedia.org/property/
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
wikidata	http://www.wikidata.org/entity/
dbr	http://dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item: dbr:Rockwell_PPS-4
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Electron_hole
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Electronic_component
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Electronics_industry_in_the_Socialist_Republic_of_Romania
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:NMOS_logic
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Read-only_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Printed_electronics
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Dawon_Kahng
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic
dbo:knownFor: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:History_of_computing_hardware
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:History_of_general-purpose_CPUs
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Depletion-load_NMOS_logic
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Depletion_and_enhancement_modes
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Integrated_circuit
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Intel_4040
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Intel_8008
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Inverter_(logic_gate)
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:List_of_photographic_equipment_makers
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:List_of_semiconductor_scale_examples
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Transmission_gate
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Gate_array
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Mohamed_M._Atalla
rdfs:seeAlso: dbr:PMOS_logic
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic
dbo:knownFor: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Mostek
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Mostek_5065
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Eric_Fossum
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Pro_Electron
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:MOSFET
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:MOSFET_applications
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Signetics_2650
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:ZMDI
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Zilog_Z80
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:National_Semiconductor_PACE
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:PMOS
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic
dbo:wikiPageDisambiguates: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:PMOS_logic
rdf:type: yago:WikicatLogicFamilies yago:Unit108189659 yago:Abstraction100002137 owl:Thing yago:Family108078020 yago:YagoLegalActor yago:YagoLegalActorGeo yago:YagoPermanentlyLocatedEntity yago:Organization108008335 yago:SocialGroup107950920 yago:Group100031264
rdfs:label: منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب PMOS PMOS PMOS Logica PMOS PMOS logic PMOS PMOS
rdfs:comment: PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P. Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008. pMOS — технология производства элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel , . Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет. pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років. PMOS or pMOS logic (from p-channel metal–oxide–semiconductor) is a family of digital circuits based on p-channel, enhancement mode metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). In the late 1960s and early 1970s, PMOS logic was the dominant semiconductor technology for large-scale integrated circuits before being superseded by NMOS and CMOS devices. Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.Schaltkreise, die neben Widerständen nur p-Kanal-MOSFETs als Transistoren nutzen, werden als PMOS-Logik bezeichnet. Sie stellt das Komplement zur NMOS-Logik (n-channel metal-oxide-semiconductor) dar, die Elektronen zur Leitung des elektrischen Stroms im Kanal nutzt. Schaltkreise beider Art wurden und werden mit der sogenannten Silizium-Gate-Technik (auch PMOS-Prozess) hergestellt. La logica PMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo P per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistor PMOS operano creando uno strato di inversione in un substrato di tipo N. Questo strato di inversione, chiamato canale P, può condurre delle lacune tra i terminali source e drain di tipo P. منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب أو PMOS اختصارًا (من P-channel metal – oxide – semiconductor) عبارة عن عائلة من الدوائر الرقمية تعتمد على القناة p، وضع التعزيز الترانزستورات ذات التأثير الميداني لأكسيد أشباه الموصلات (MOSFET). في أواخر الستينيات وأوائل السبعينيات، كان منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب هو تقنية أشباه الموصلات المهيمنة للدوائر المتكاملة واسعة النطاق قبل أن تحل محلها أجهزة منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب وأشباه الموصلات ذات الأكاسيد المعندية المتتامة.
rdfs:seeAlso: dbr:Background dbr:Depletion-load_NMOS_logic
foaf:depiction: n8:CT7004.jpg n8:PMOS-NAND-gate.svg n8:PMOS-NOR-gate.svg n8:PMOS-inverter.svg
dcterms:subject: dbc:Logic_families dbc:Arab_inventions dbc:Egyptian_inventions dbc:MOSFETs dbc:South_Korean_inventions
dbo:wikiPageID: 11968523
dbo:wikiPageRevisionID: 1123182627
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:Les_Vadasz dbr:Rockwell_PPS-4 dbr:Texas_Instruments_TMS1000 dbr:Gate_capacitance dbr:Mohamed_Atalla dbr:Victor_Technology n10:MP dbr:MOSFET dbr:General_Instrument dbc:Logic_families dbr:Central_processing_unit dbr:CMOS dbr:Digital_circuit dbr:P-type_semiconductor dbr:Intel_8008 n17:PMOS-inverter.svg dbr:Frank_Wanlass dbr:Read-only_memory dbr:Electron_holes dbr:Intel_4040 dbr:IMP-16 dbr:Federico_Faggin dbc:Arab_inventions dbr:Robert_Noyce dbr:P–n_junction_isolation dbr:N-type_semiconductor dbr:Rockwell_International n17:PMOS-NOR-gate.svg dbr:Integrated_circuit dbr:Metal–oxide–semiconductor dbr:Intel_4004 dbr:Polysilicon dbr:Fairchild_Semiconductor dbr:Dawon_Kahng dbr:Intel dbr:Intel_1103 dbr:Digital_Circuit dbr:Threshold_voltage n17:CT7004.jpg dbr:NMOS_logic dbr:CMOS_logic dbr:General_Microelectronics dbr:Enhancement_mode dbr:National_Semiconductor_PACE dbr:Metal_gate dbr:Microprocessor dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:Microprocessor_chronology dbr:Gordon_Moore dbr:4000_series dbr:De_Morgan's_laws dbr:Logic_gate dbr:Direct_current dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Bell_Labs dbc:Egyptian_inventions dbr:Electron_hole dbr:Texas_Instruments dbr:National_Semiconductor dbr:Bipolar_junction_transistor dbc:MOSFETs n17:PMOS-NAND-gate.svg dbr:IBM dbr:Electron_mobility dbc:South_Korean_inventions dbr:Self-aligned_gate dbr:Transistor-transistor_logic dbr:Multiplexer dbr:Magnetic_core_memory dbr:Inversion_layer_(semiconductors) dbr:Static_random-access_memory
dbo:wikiPageExternalLink: n5:cp01.htm n22:cp01.htm
owl:sameAs: dbpedia-ar:منطق_أكسيد_شبه_موصل_من_النوع_الموجب dbpedia-pt:PMOS dbpedia-uk:PMOS dbpedia-cs:PMOS n23:hNFX wikidata:Q173605 freebase:m.02r_1sp dbpedia-vi:PMOS_logic dbpedia-it:Logica_PMOS yago-res:PMOS_logic dbpedia-de:PMOS dbpedia-ru:PMOS dbpedia-fa:منطق_پی‌ماس
dbp:wikiPageUsesTemplate: dbt:Short_description dbt:Rp dbt:Cite_web dbt:Logic_Families dbt:Reflist dbt:Main dbt:Electronic_components dbt:See_also
dbo:thumbnail: n8:CT7004.jpg?width=300
dbo:abstract: PMOS or pMOS logic (from p-channel metal–oxide–semiconductor) is a family of digital circuits based on p-channel, enhancement mode metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). In the late 1960s and early 1970s, PMOS logic was the dominant semiconductor technology for large-scale integrated circuits before being superseded by NMOS and CMOS devices. Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.Schaltkreise, die neben Widerständen nur p-Kanal-MOSFETs als Transistoren nutzen, werden als PMOS-Logik bezeichnet. Sie stellt das Komplement zur NMOS-Logik (n-channel metal-oxide-semiconductor) dar, die Elektronen zur Leitung des elektrischen Stroms im Kanal nutzt. Schaltkreise beider Art wurden und werden mit der sogenannten Silizium-Gate-Technik (auch PMOS-Prozess) hergestellt. La logica PMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo P per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistor PMOS operano creando uno strato di inversione in un substrato di tipo N. Questo strato di inversione, chiamato canale P, può condurre delle lacune tra i terminali source e drain di tipo P. Il canale P viene creato applicando una tensione elettrica sul terzo terminale, che prende il nome di gate. Come gli altri MOSFET, i transistor PMOS hanno tre modi di operare: in zona di interdizione, in zona di triodo e in zona di saturazione. La logica PMOS è semplice da progettare e costruire (un MOSFET può essere creato per operare come un resistore, quindi l'intero circuito può essere costruito a partire da transistor a effetto di campo di tipo PMOS), ma ciò comporta anche diversi difetti. Il problema peggiore è dato dalla presenza di una corrente continua che attraversa una porta logica PMOS quando la rete di pull-up è attiva, ossia ogni volta che l'uscita è alta, e ciò comporta una dissipazione di potenza statica anche quando il circuito è a riposo. Inoltre i circuiti PMOS sono lenti nella transizione da segnale alto a basso. Quando effettuano la transizione da basso ad alto, i transistor forniscono una bassa resistenza, e la carica capacitiva in uscita si accumula molto velocemente (come quando si carica un condensatore attraverso una resistenza molto piccola). Ma la resistenza tra l'uscita e il terminale negativo di alimentazione è molto più grande, perciò la transizione alto-basso dura molto di più (come quando si scarica un condensatore attraverso una resistenza grande). L'impiego di un resistore di valore più basso velocizzerà il processo, ma incrementerà di contro la dissipazione di potenza statica. Come se non bastasse, i livelli degli ingressi logici asimmetrici rendono i circuiti PMOS sensibili al rumore. La maggior parte dei circuiti integrati PMOS richiedono un'alimentazione tra i 17 e i 24 volt in corrente continua. Il microprocessore di tipo PMOS Intel 4004, tuttavia, utilizzava una logica PMOS in polisilicio anziché con porte metalliche, consentendo un differenziale di tensione. Per avere una compatibilità con i segnali TTL, l'Intel 4004 prevedeva una tensione di alimentazione positiva VSS=+5V ed una tensione di alimentazione negativa VDD = -10V. Sebbene fosse inizialmente più semplice da costruire, la logica PMOS venne in seguito soppiantata dalla logica NMOS, che impiega transistor con canale N ed è più veloce. I moderni circuiti integrati sono invece realizzati con la logica CMOS, che utilizza sia transistor con canale N sia transistor con canale P. PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P. Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008. Funkce tranzistorů PMOS (MOSFET typu P) je založena na vytváření (indukovaného kanálu) v substrátu typu N přivedením dostatečně velkého záporného napětí na elektrodu nazývanou hradlo (G), čímž dojde k přitažení děr k elektrodě G. Vzniklá vrstva nazývaná p-kanál, může vést díry mezi elektrodami „source“ a „drain“ .Tranzistory PMOS mají jako jiné tranzistory MOSFET čtyři režimy činnosti: závěrný (anglicky cut-off, subthreshold), triodový (lineární), režim saturace (někdy nazývaný aktivní) a saturace rychlosti nosičů (anglicky velocity saturation). منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب أو PMOS اختصارًا (من P-channel metal – oxide – semiconductor) عبارة عن عائلة من الدوائر الرقمية تعتمد على القناة p، وضع التعزيز الترانزستورات ذات التأثير الميداني لأكسيد أشباه الموصلات (MOSFET). في أواخر الستينيات وأوائل السبعينيات، كان منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب هو تقنية أشباه الموصلات المهيمنة للدوائر المتكاملة واسعة النطاق قبل أن تحل محلها أجهزة منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب وأشباه الموصلات ذات الأكاسيد المعندية المتتامة. pMOS — технология производства элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel , . Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет. pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років.
prov:wasDerivedFrom: wikipedia-en:PMOS_logic?oldid=1123182627&ns=0
dbo:wikiPageLength: 17401
foaf:isPrimaryTopicOf: wikipedia-en:PMOS_logic

Subject Item: dbr:COP400
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Active-pixel_sensor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Timeline_of_DOS_operating_systems
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Data_General_Nova
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Laser-assisted_device_alteration
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Logic_family
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:3_nm_process
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:EPROM
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Central_processing_unit
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Four-phase_logic
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:History_of_the_transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Kombinat_Mikroelektronik_Erfurt
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:List_of_Intel_processors
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:List_of_Soviet_microprocessors
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Logic_gate
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Metal_gate
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Pun_(disambiguation)
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Transistor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Sam_Zeloof
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Texas_Instruments_TMS1000
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Texas_Instruments_TMS1100
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Digital_signal_processor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Automotive_electronics
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:CMOS
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Industry_Standard_Architecture
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Intel_1103
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Intel_4004
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Intel_8080
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Microprocessor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Microprocessor_chronology
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Random-access_memory
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Memory_cell_(computing)
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:SONOS
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:ULN2003A
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Extrinsic_semiconductor
rdfs:seeAlso: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:IMP-16
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Transistor_fault
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:NEC_μCOM_series
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: n10:MP
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Process_corners
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Phosphorene
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:PFET
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Transistor_count
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:Outline_of_information_technology
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:P-MOS
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic
dbo:wikiPageRedirects: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:P-type_MOS
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic
dbo:wikiPageRedirects: dbr:PMOS_logic

Subject Item: dbr:P-type_Metal-Oxide-Semiconductor
dbo:wikiPageWikiLink: dbr:PMOS_logic
dbo:wikiPageRedirects: dbr:PMOS_logic

Subject Item: wikipedia-en:PMOS_logic
foaf:primaryTopic: dbr:PMOS_logic