This HTML5 document contains 83 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dcthttp://purl.org/dc/terms/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
n11https://books.google.com/
dbpedia-kkhttp://kk.dbpedia.org/resource/
n17https://global.dbpedia.org/id/
yagohttp://dbpedia.org/class/yago/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
n23https://www.ithistory.org/honor-roll/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbphttp://dbpedia.org/property/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Electrical_junction
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:Blackmer_gain_cell
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:Integrated_circuit
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:Mohamed_M._Atalla
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:MOSFET_applications
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:PMOS_logic
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:Planar_process
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:History_of_electromagnetic_theory
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:Semiconductor_device_fabrication
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:Invention_of_the_integrated_circuit
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:P–n_junction_isolation
rdf:type
yago:YagoPermanentlyLocatedEntity yago:PhysicalEntity100001930 yago:YagoGeoEntity yago:Object100002684 yago:Whole100003553 yago:Structure104341686 yago:Artifact100021939 dbo:Software yago:WikicatSemiconductorStructures
rdfs:label
Ізоляція PN-переходом P–n junction isolation Aïllament de la unió p–n
rdfs:comment
Ізоляція напівпровідникових приладів PN-переходом (англ. P-n junction isolation) — одна з трьох фундаментальних технологій, які зробили можливим створення монолітних інтегральних схем. В кристалі, наприклад із кремнію типу p, методом дифузії робляться області типу n, названі «кишенями». У кишенях потім формуються необхідні пасивні та активні елементи, а n-p — перехід між кишенею і кристалом у працюючій інтегральній схемі перебуває під зворотною напругою. p–n junction isolation is a method used to electrically isolate electronic components, such as transistors, on an integrated circuit (IC) by surrounding the components with reverse biased p–n junctions.
dct:subject
dbc:Integrated_circuits dbc:Czech_inventions dbc:Semiconductor_structures
dbo:wikiPageID
3082038
dbo:wikiPageRevisionID
1093271425
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Electron_hole dbr:Integrated_circuit dbr:N-type_semiconductor dbc:Integrated_circuits dbr:Reverse_bias dbr:Monolithic_integrated_circuit dbr:Scientific_American dbr:Sprague_Electric_Company dbr:Light-emitting_diode dbr:Electrical_resistance dbc:Czech_inventions dbr:Electric_current dbr:Solar_cell dbr:P-type_semiconductor dbr:Charge_carrier dbr:LOCOS dbr:Transistor dbr:Kurt_Lehovec dbr:Electronic_component dbr:Avalanche_diode dbr:Depletion_region dbr:Lau_Wai_Shing dbr:Potential_barrier dbr:Negative_terminal dbr:Wafer_(electronics) dbr:Shallow_trench_isolation dbr:Robert_Noyce dbr:Dopant dbr:P–n_junction dbr:Positive_terminal dbr:Nonconducting dbc:Semiconductor_structures
dbo:wikiPageExternalLink
n11:books%3Fid=KRM0DwAAQBAJ&pg=PA7&lpg=PA7&dq=kurt+lehovec+solar+cell+invented+from+p-n+junction+isolation&source=bl&ots=-JEh5bqU8V&sig=ACfU3U1Z9BoLY149q7rJSGTyz08SkGy-Iw&hl=en&sa=X&ved=2ahUKEwjU_9z44b7qAhWQoXIEHaRMBVUQ6AEwAHoECAcQAQ%23v=onepage&q=kurt%20lehovec%20solar%20cell%20invented%20from%20p-n%20junction%20isolation&f=false n23:professor-kurt-lehovec
owl:sameAs
wikidata:Q7265238 n17:4tPKe dbpedia-uk:Ізоляція_PN-переходом dbpedia-ca:Aïllament_de_la_unió_p–n dbpedia-kk:Оқшаулағыш_p-n_өткелі freebase:m.08q48q dbpedia-fa:جداساز_پیوند_ان-پی
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Lowercase_title dbt:Reflist dbt:US_patent
dbo:abstract
Ізоляція напівпровідникових приладів PN-переходом (англ. P-n junction isolation) — одна з трьох фундаментальних технологій, які зробили можливим створення монолітних інтегральних схем. В кристалі, наприклад із кремнію типу p, методом дифузії робляться області типу n, названі «кишенями». У кишенях потім формуються необхідні пасивні та активні елементи, а n-p — перехід між кишенею і кристалом у працюючій інтегральній схемі перебуває під зворотною напругою. p–n junction isolation is a method used to electrically isolate electronic components, such as transistors, on an integrated circuit (IC) by surrounding the components with reverse biased p–n junctions.
gold:hypernym
dbr:Method
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:P–n_junction_isolation?oldid=1093271425&ns=0
dbo:wikiPageLength
4911
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:Transistor_array
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
dbr:P-n_junction_isolation
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:P–n_junction_isolation
dbo:wikiPageRedirects
dbr:P–n_junction_isolation
Subject Item
wikipedia-en:P–n_junction_isolation
foaf:primaryTopic
dbr:P–n_junction_isolation