This HTML5 document contains 103 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n18http://www.kc.tsukuba.ac.jp/div-media/defect/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
n8http://dbpedia.org/resource/File:
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
n15https://global.dbpedia.org/id/
dbthttp://dbpedia.org/resource/Template:
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n23http://www.laplacedlts.eu/
freebasehttp://rdf.freebase.com/ns/
dbpedia-plhttp://pl.dbpedia.org/resource/
n16http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-ithttp://it.dbpedia.org/resource/
wikipedia-enhttp://en.wikipedia.org/wiki/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
dbchttp://dbpedia.org/resource/Category:
dbphttp://dbpedia.org/property/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
goldhttp://purl.org/linguistics/gold/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbr:Capacitor
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
rdf:type
dbo:Software
rdfs:label
Deep-level transient spectroscopy Spettroscopia dei transitori di livello profondo Spektroskopia poziomów energetycznych defektów DLTS
rdfs:comment
La spettroscopia dei transitori di livello profondo o DTLS (dall'inglese Deep-Level Transient Spectroscopy) è una tecnica utilizzata per rilevare le impurità elettricamente attive (trappole) nei semiconduttori. Il metodo è stato sviluppato originariamente nel 1974 da David Vern Lang dei Bell Laboratories e brevettato nel 1975 (US3859595). Spektroskopia poziomów energetycznych defektów (DLTS z ang. Deep Level Transient Spectroscopy) jest techniką doświadczalną do badania aktywnych elektrycznie defektów w materiałach półprzewodnikowych. Technika ta pozwala wyznaczyć koncentrację defektów w badanym materiale oraz parametry fizyczne defektu takich jak wartość poziomu energetycznego w przerwie wzbronionej półprzewodnika oraz tak zwany przekrój czynny na złapanie nośnika prądu. DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)は、半導体における深い準位(トラップとも呼ぶ)を測定する方法。容量の応答を利用して禁制帯中のエネルギーとが分かる。ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy)も同じ原理を利用した測定方法である。 Deep-level transient spectroscopy (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are considered as defect "finger prints" used for their identifications and analysis. The DLTS technique was pioneered by David Vern Lang at Bell Laboratories in 1974. A US Patent was awarded to Lang in 1975.
foaf:depiction
n16:Typowe_widmo_konwencjonalnego_DLTS.jpg
dcterms:subject
dbc:Semiconductor_analysis dbc:Spectroscopy
dbo:wikiPageID
1670347
dbo:wikiPageRevisionID
1070378535
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Signal_processing dbr:Schottky_defect dbr:Boxcar_function dbr:Frenkel_defect dbr:Interface_(chemistry) dbr:Arrhenius_equation dbr:Silicon dbr:Quantum_dots dbr:Activation_energy dbr:Inverse_Laplace_transform dbr:Capacitance n8:Typowe_widmo_konwencjonalnego_DLTS.jpg dbr:High-k_dielectric dbr:Fermi_level dbc:Semiconductor_analysis dbr:Laplace_transform dbr:PIN_diode dbr:MOSFET dbr:Electron_hole dbr:Schottky_diode dbr:Kelvin dbr:Bell_Labs dbr:Stress_(physics) dbr:Polarization_voltage dbr:P-n_junction dbr:Digitizing dbr:Pulse_(signal_processing) dbr:Semiconductor_device dbr:Semiconductor dbr:Energy_level dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Vacancy_(chemistry) dbr:Carrier_generation_and_recombination dbr:Capacitance_voltage_profiling dbr:Bandgap dbr:Charge_carriers_in_semiconductors dbr:Effective_mass_(solid-state_physics) dbr:Depletion_region dbr:Liquid_nitrogen dbc:Spectroscopy dbr:Dielectric dbr:Lock-in_amplifier dbr:Wide-bandgap_semiconductor dbr:Perovskite_solar_cell dbr:Charge_carrier dbr:Thermally_stimulated_current dbr:Electronic_band_structure dbr:Photon dbr:Electron
dbo:wikiPageExternalLink
n18:index.php n23:LaplaceIFPAN_2defects.htm
owl:sameAs
dbpedia-it:Spettroscopia_dei_transitori_di_livello_profondo n15:hxDn dbpedia-pl:Spektroskopia_poziomów_energetycznych_defektów freebase:m.05m46f wikidata:Q176282 dbpedia-ja:DLTS
dbp:wikiPageUsesTemplate
dbt:Branches_of_Spectroscopy dbt:Reflist
dbo:thumbnail
n16:Typowe_widmo_konwencjonalnego_DLTS.jpg?width=300
dbo:abstract
Deep-level transient spectroscopy (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are considered as defect "finger prints" used for their identifications and analysis. DLTS investigates defects present in a space charge (depletion) region of a simple electronic device. The most commonly used are Schottky diodes or p-n junctions. In the measurement process the steady-state diode reverse is disturbed by a voltage pulse. This voltage pulse reduces the electric field in the space charge region and allows free carriers from the semiconductor bulk to penetrate this region and recharge the defects causing their non-equilibrium charge state. After the pulse, when the voltage returns to its steady-state value, the defects start to emit trapped carriers due to the thermal emission process. The technique observes the device space charge region capacitance where the defect charge state recovery causes the capacitance transient. The voltage pulse followed by the defect charge state recovery are cycled allowing an application of different signal processing methods for defect recharging process analysis. The DLTS technique has a higher sensitivity than almost any other semiconductor diagnostic technique. For example, in silicon it can detect impurities and defects at a concentration of one part in 1012 of the material host atoms. This feature together with a technical simplicity of its design made it very popular in research labs and semiconductor material production factories. The DLTS technique was pioneered by David Vern Lang at Bell Laboratories in 1974. A US Patent was awarded to Lang in 1975. DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)は、半導体における深い準位(トラップとも呼ぶ)を測定する方法。容量の応答を利用して禁制帯中のエネルギーとが分かる。ICTS(Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy)も同じ原理を利用した測定方法である。 La spettroscopia dei transitori di livello profondo o DTLS (dall'inglese Deep-Level Transient Spectroscopy) è una tecnica utilizzata per rilevare le impurità elettricamente attive (trappole) nei semiconduttori. La tecnica si basa sulla misura dei transitori della capacità differenziale nelle zone di carica spaziale delle giunzione p-n o delle giunzioni Schottky. I transitori capacitivi sono la conseguenza di generazioni-ricombinazioni che avvengono negli strati profondi (deep levels) e vengono provocati sostanzialmente usando degli impulsi ripetitivi. A seconda della polarizzazione usata per l'impulso (inversa o diretta) si possono evidenziare sia le impurità dei portatori di maggioranza che quelle dei portatori di minoranza. Gli impulsi vengono generati periodicamente e in corrispondenza viene misurato il transitorio capacitivo, o meglio la sua costante di tempo, in funzione della temperatura. Durante l'analisi, la temperatura viene fatta aumentare in modo costante e lento rispetto alla frequenza di ripetizione degli impulsi (ossia l'incremento di temperatura ΔT è trascurabile rispetto al periodo T0 di ripetizione degli impulsi). Questo meccanismo consente di evidenziare picchi di capacità in funzione della temperatura. Ripetendo la misura con periodi di impulsi differenti e correlando i vari risultati è possibile dedurre l'energia di attivazione di una trappola e la corrispondenze concentrazione di impurità. Il metodo è stato sviluppato originariamente nel 1974 da David Vern Lang dei Bell Laboratories e brevettato nel 1975 (US3859595). Spektroskopia poziomów energetycznych defektów (DLTS z ang. Deep Level Transient Spectroscopy) jest techniką doświadczalną do badania aktywnych elektrycznie defektów w materiałach półprzewodnikowych. Technika ta pozwala wyznaczyć koncentrację defektów w badanym materiale oraz parametry fizyczne defektu takich jak wartość poziomu energetycznego w przerwie wzbronionej półprzewodnika oraz tak zwany przekrój czynny na złapanie nośnika prądu. Techniką DLTS mogą być badane defekty obecne w warstwie ładunku przestrzennego prostych urządzeń elektronicznych takich jak dioda p-n czy Dioda Schottky’ego. W czasie pomiaru polaryzacja zaporowa złącza jest zmniejszana na czas krótkiego impulsu. To zmniejszenie napięcia zmniejsza również pole elektryczne w złączu, co umożliwia swobodnym nośnikom prądu napłynięcie z objętości półprzewodnika i obsadzenie defektów obecnych w złączu urządzenia. Po impulsie, gdy napięcie powraca do wartości wyjściowej, defekty zostają w sposób niestabilny obsadzone nośnikami prądu. Defekty powracają do stanu równowagi termodynamicznej poprzez emisję termiczną zapułapkowanych nośników prądu do pasma przewodnictwa lub walencyjnego półprzewodnika. W technice DLTS zmiany stanu ładunkowego defektów w obszarze zubożonym złącza obserwowane są poprzez pomiar jego pojemności elektrycznej. Proces załadowywania defektów impulsem napięciowym oraz następująca po tym emisja zapułapkowanych nośników powtarzane są cyklicznie, co umożliwia stosowania technik fazoczułych (woltomierz homodynowy, woltomierz lock-in) do analizy kinetyk relaksacji pojemności złącza. Technika DLTS charakteryzuje się niezwykle wysoką czułością pomiarową. Przykładowo, dla typowego półprzewodzącego krzemu jest w stanie wykryć defekty lub zanieczyszczenia w koncentracji na poziomie jeden atom na 1012 atomów sieci krystalicznej. Ta własność w połączeniu ze stosunkowo prostą i tanią konstrukcją sprzętu uczyniła z DLTS-u jedno z najbardziej popularnych narzędzi diagnostycznych do badania jakości materiałów półprzewodnikowych. Technika DLTS została zaproponowana przez D. V. Langa z Bell Labs w 1974. Lang posiada od 1975 patent USA na pewne rozwiązania techniczne wykorzystywane początkowo do konstrukcji spektrometrów DLTS.
gold:hypernym
dbr:Tool
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-en:Deep-level_transient_spectroscopy?oldid=1070378535&ns=0
dbo:wikiPageLength
17028
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-en:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Index_of_physics_articles_(D)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:List_of_materials_analysis_methods
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Thermally_stimulated_current_spectroscopy
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:P–n_junction
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Frenkel_defect
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Crystallographic_defect
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Semiconductor_characterization_techniques
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Lionel_Kimerling
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Failure_analysis
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Spectroscopy
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:DLTS
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Capacitance–voltage_profiling
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Yang_Yang_(scientist)
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Schottky_barrier
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Semiconductor_device
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Outline_of_electronics
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
dbr:Deep_Level_Transient_Spectroscopy
dbo:wikiPageWikiLink
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
dbo:wikiPageRedirects
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy
Subject Item
wikipedia-en:Deep-level_transient_spectroscopy
foaf:primaryTopic
dbr:Deep-level_transient_spectroscopy