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- William „Bill“ Gardner Pfann (* 27. Oktober 1917 in Brooklyn, New York; † 22. Oktober 1982) war ein US-amerikanischer Materialwissenschaftler an den Bell Laboratories, bekannt für die Entwicklung des Zonenschmelzverfahrens, das zur Herstellung hochreiner, einkristalliner Halbleiter wichtig ist. Pfann war schon 1935 in der Chemie-Abteilung der Bell Laboratories. Nebenbei studierte er an der Abendschule des Cooper Union College mit einem Bachelor-Abschluss als Chemieingenieur 1940. Er blieb bei den Bell Laboratories bis zu seiner Pensionierung 1982. Wenige Wochen später starb er. Nach dem Krieg arbeitete er mit der Gruppe von William B. Shockley, darunter Walter Houser Brattain, an den Bell Labs in der Entwicklung von Dioden und den ersten Spitzentransistoren aus Halbleitern (zunächst Germanium). Er leistete wichtige Beiträge zum ersten produzierten Transistor (genannt Typ A). Pfann entwickelte 1950/51 das Zonenschmelzverfahren zunächst für Germanium. Dabei wurde ein Germaniumstab mehrfach durch eine horizontal angeordnete Reihe von Induktionsspulen geschoben, wobei die Verunreinigungen mit der Schmelzzone durch den Stab wanderten. Damit konnten Verunreinigungsgrade von nur noch bis zu einem hundertstel ppm und spätere 1 ppb erzielt werden (eine Verbesserung um den Faktor 1000 im Vergleich zu vorher). Silizium, das einen höheren Schmelzpunkt besaß, konnte mit einer ab 1952 von an den Bell Labs entwickelten Variante des Verfahrens behandelt werden (float zone refining). Gleichzeitig geschah das durch Paul H. Keck und Marcel J. E. Golay beim US Army Signal Corps in Fort Monmouth und durch R. Emeis im Labor von Eberhard Spenke bei Siemens in Pretzfeld. Pfann hielt 65 Patente, meist im Bereich Zonenschmelzen. Er war Mitglied der National Academy of Sciences (1974), war Fellow der Metallurgical Society und der American Society of Metals. 1976 erhielt er mit Theurer den James C. McGroddy Prize for New Materials der American Physical Society. 1968 erhielt er den Creative Invention Award der American Chemical Society. (de)
- William Gardner Pfann (communément appelé Bill), né le 27 octobre 1917 et mort le 22 octobre 1982, était un inventeur et scientifique matériel des Bell Labs. Bill G. Pfann est connu pour le développement de la méthode de la zone fondue qui est un procédé essentiel pour l'industrie des semi-conducteurs. (fr)
- William Gardner Pfann (October 27, 1917 – October 22, 1982) was an inventor and materials scientist with Bell Labs. Pfann is known for his development of zone melting which is essential to the semiconductor industry. As stated in an official history of Bell Labs, "Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control." (en)
- 威廉·加德納·普凡（William Gardner Pfann，暱稱"比爾"（Bill），1917年10月27日－1982年10月22日）是貝爾實驗室的發明家與材料科學家。普凡因開發半導體產業用的區域熔煉技術而赫赫有名。貝爾實驗室的官方歷史這麼記載道："由威廉·加德納·普凡開發的區域精煉是劃時代的發明...它是讓鍺與矽中的雜質能被吾人控制的重大貢獻"（Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control.）。 (zh)
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- William Gardner Pfann (communément appelé Bill), né le 27 octobre 1917 et mort le 22 octobre 1982, était un inventeur et scientifique matériel des Bell Labs. Bill G. Pfann est connu pour le développement de la méthode de la zone fondue qui est un procédé essentiel pour l'industrie des semi-conducteurs. (fr)
- William Gardner Pfann (October 27, 1917 – October 22, 1982) was an inventor and materials scientist with Bell Labs. Pfann is known for his development of zone melting which is essential to the semiconductor industry. As stated in an official history of Bell Labs, "Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control." (en)
- 威廉·加德納·普凡（William Gardner Pfann，暱稱"比爾"（Bill），1917年10月27日－1982年10月22日）是貝爾實驗室的發明家與材料科學家。普凡因開發半導體產業用的區域熔煉技術而赫赫有名。貝爾實驗室的官方歷史這麼記載道："由威廉·加德納·普凡開發的區域精煉是劃時代的發明...它是讓鍺與矽中的雜質能被吾人控制的重大貢獻"（Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control.）。 (zh)
- William „Bill“ Gardner Pfann (* 27. Oktober 1917 in Brooklyn, New York; † 22. Oktober 1982) war ein US-amerikanischer Materialwissenschaftler an den Bell Laboratories, bekannt für die Entwicklung des Zonenschmelzverfahrens, das zur Herstellung hochreiner, einkristalliner Halbleiter wichtig ist. Pfann war schon 1935 in der Chemie-Abteilung der Bell Laboratories. Nebenbei studierte er an der Abendschule des Cooper Union College mit einem Bachelor-Abschluss als Chemieingenieur 1940. Er blieb bei den Bell Laboratories bis zu seiner Pensionierung 1982. Wenige Wochen später starb er. (de)
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- William Gardner Pfann (de)
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