| dbo:abstract
|
- Die Resonanztunneldiodentechnik nutzt so genannte Resonanztunneldioden oder auch Interband-Tunnel-Dioden. Eine solche Diode besitzt zwei wenige Nanometer dicke Tunnelbarrieren. Für einen elektrischen Strom müssen Elektronen diese Barrieren durchtunneln. Die Wahrscheinlichkeit hierfür ist abhängig vom Niveau des quantisierten Energiezustands zwischen den Tunnelbarrieren. Hieraus folgt die Besonderheit der Tunneldioden. Sie besitzen einen negativen differenziellen Widerstand. Auf der Basis von Tunneldioden lassen sich sowohl Logikelemente als auch Speicher verwirklichen. (de)
- A resonant-tunneling diode (RTD) is a diode with a resonant-tunneling structure in which electrons can tunnel through some resonant states at certain energy levels. The current–voltage characteristic often exhibits negative differential resistance regions. All types of tunneling diodes make use of quantum mechanical tunneling.Characteristic to the current–voltage relationship of a tunneling diode is the presence of one or more negative differential resistance regions, which enables many unique applications. Tunneling diodes can be very compact and are also capable of ultra-high-speed operation because the quantum tunneling effect through the very thin layers is a very fast process. One area of active research is directed toward building oscillators and switching devices that can operate at terahertz frequencies. (en)
- 共鳴トンネルダイオード（きょうめいトンネルダイオード、英: Resonant tunneling diode, RTD）は状態を通じて特定のエネルギー準位をもつ電子や正孔がトンネル効果により伝導する、共鳴トンネリング構造を持つダイオードである。 負性抵抗領域のある電流電圧特性を持つことが多い。 トンネルダイオードは量子トンネル効果を利用する。トンネルダイオードの電流電圧特性の特徴は負性抵抗領域を持つことであり、独特なさまざまな用途に用いられる。薄膜越しの量子トンネリングは非常に速いプロセスであることから、高速動作が可能である。テラヘルツ領域で動作可能な発振器およびスイッチング素子への応用に向けた研究が盛んである。 (ja)
- Резона́нсно-тунне́льный дио́д (РТД, англ. resonant-tunneling diode, RTD) — полупроводниковый элемент электрической цепи с нелинейной вольт-амперной характеристикой, в котором используется туннелирование носителей заряда через окружённую двумя потенциальными барьерами потенциальную яму. Резонансно-туннельный диод имеет участок вольтамперной характеристики с отрицательной дифференциальной проводимостью. (ru)
- 谐振隧穿二极管(Resonant tunneling diode, RTD)是利用电子在某些能级能够谐振隧穿而导通的二极管。其电流电压特性常显示出负阻特性。 (zh)
- Резона́нсний туне́льний діо́д — напівпровідниковий елемент електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, в якому використовується тунелювання носіїв заряду через оточену двома потенціальними бар'єрами потенціальну яму. Резонансний тунельний діод має ділянку вольт-амперної характеристики з від'ємною диференційною провідністю. (uk)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 24253 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Die Resonanztunneldiodentechnik nutzt so genannte Resonanztunneldioden oder auch Interband-Tunnel-Dioden. Eine solche Diode besitzt zwei wenige Nanometer dicke Tunnelbarrieren. Für einen elektrischen Strom müssen Elektronen diese Barrieren durchtunneln. Die Wahrscheinlichkeit hierfür ist abhängig vom Niveau des quantisierten Energiezustands zwischen den Tunnelbarrieren. Hieraus folgt die Besonderheit der Tunneldioden. Sie besitzen einen negativen differenziellen Widerstand. Auf der Basis von Tunneldioden lassen sich sowohl Logikelemente als auch Speicher verwirklichen. (de)
- 共鳴トンネルダイオード（きょうめいトンネルダイオード、英: Resonant tunneling diode, RTD）は状態を通じて特定のエネルギー準位をもつ電子や正孔がトンネル効果により伝導する、共鳴トンネリング構造を持つダイオードである。 負性抵抗領域のある電流電圧特性を持つことが多い。 トンネルダイオードは量子トンネル効果を利用する。トンネルダイオードの電流電圧特性の特徴は負性抵抗領域を持つことであり、独特なさまざまな用途に用いられる。薄膜越しの量子トンネリングは非常に速いプロセスであることから、高速動作が可能である。テラヘルツ領域で動作可能な発振器およびスイッチング素子への応用に向けた研究が盛んである。 (ja)
- Резона́нсно-тунне́льный дио́д (РТД, англ. resonant-tunneling diode, RTD) — полупроводниковый элемент электрической цепи с нелинейной вольт-амперной характеристикой, в котором используется туннелирование носителей заряда через окружённую двумя потенциальными барьерами потенциальную яму. Резонансно-туннельный диод имеет участок вольтамперной характеристики с отрицательной дифференциальной проводимостью. (ru)
- 谐振隧穿二极管(Resonant tunneling diode, RTD)是利用电子在某些能级能够谐振隧穿而导通的二极管。其电流电压特性常显示出负阻特性。 (zh)
- Резона́нсний туне́льний діо́д — напівпровідниковий елемент електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, в якому використовується тунелювання носіїв заряду через оточену двома потенціальними бар'єрами потенціальну яму. Резонансний тунельний діод має ділянку вольт-амперної характеристики з від'ємною диференційною провідністю. (uk)
- A resonant-tunneling diode (RTD) is a diode with a resonant-tunneling structure in which electrons can tunnel through some resonant states at certain energy levels. The current–voltage characteristic often exhibits negative differential resistance regions. (en)
|
| rdfs:label
|
- Resonanztunneldiode (de)
- 共鳴トンネルダイオード (ja)
- Resonant-tunneling diode (en)
- Резонансно-туннельный диод (ru)
- Резонансний тунельний діод (uk)
- 谐振隧穿二极管 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
