dbo:abstract
|
- In semiconductors, valence bands are well characterized by 3 Luttinger parameters. At the Г-point in the band structure, and orbitals form valence bands. But spin–orbit coupling splits sixfold degeneracy into high energy 4-fold and lower energy 2-fold bands. Again 4-fold degeneracy is lifted into heavy- and light hole bands by phenomenological Hamiltonian by J. M. Luttinger. (en)
- Параметры Латтинжера — безразмерные параметры, характеризующие дисперсию валентных зон полупроводника в рамках подхода Кона-Латтинжера. Введены Латтинжером в 1956 году при записи эффективного -гамильтониана для Ge и Si в магнитном поле. (ru)
|
dbo:wikiPageID
| |
dbo:wikiPageLength
|
- 4312 (xsd:nonNegativeInteger)
|
dbo:wikiPageRevisionID
| |
dbo:wikiPageWikiLink
| |
dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
dcterms:subject
| |
rdf:type
| |
rdfs:comment
|
- In semiconductors, valence bands are well characterized by 3 Luttinger parameters. At the Г-point in the band structure, and orbitals form valence bands. But spin–orbit coupling splits sixfold degeneracy into high energy 4-fold and lower energy 2-fold bands. Again 4-fold degeneracy is lifted into heavy- and light hole bands by phenomenological Hamiltonian by J. M. Luttinger. (en)
- Параметры Латтинжера — безразмерные параметры, характеризующие дисперсию валентных зон полупроводника в рамках подхода Кона-Латтинжера. Введены Латтинжером в 1956 году при записи эффективного -гамильтониана для Ge и Si в магнитном поле. (ru)
|
rdfs:label
|
- Luttinger parameter (en)
- Параметры Латтинжера (ru)
|
owl:sameAs
| |
prov:wasDerivedFrom
| |
foaf:isPrimaryTopicOf
| |
is dbo:knownFor
of | |
is dbo:wikiPageRedirects
of | |
is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
is dbp:knownFor
of | |
is foaf:primaryTopic
of | |