| dbo:abstract
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- Unter der Bezeichnung ggNMOS, für englisch gate-ground-NMOS oder auch englisch grounded gate NMOS, wird in der Mikroelektronik eine übliche Schutzschaltung verstanden, welche die schädlichen Auswirkungen von äußeren elektrostatischen Entladungen (ESD) in integrierten Schaltungen (IC) limitiert. Die Bezeichnung leitet sich von dem als Schutzelement eingesetzten N-Kanal Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (N-MOSFET, NMOS) ab, der direkt am Die an jeden extern zugänglichen Anschlusspin vorgesehen wird. Die bei ESD auftretende hohe elektrische Spannung wird dabei durch den ggNMOS gegen das Bezugspotential abgeleitet und so unschädlich macht. Ohne Schutzelement würde es durch die Entladung zu irreversiblen Schäden und Zerstörungen im Inneren der integrierten Schaltungen kommen. (de)
- Grounded-gate NMOS, commonly known as ggNMOS, is an electrostatic discharge (ESD) protection device used within CMOS integrated circuits (ICs). Such devices are used to protect the inputs and outputs of an IC, which can be accessed off-chip (wire-bonded to the pins of a package or directly to a printed circuit board) and are therefore subject to ESD when touched. An ESD event can deliver a large amount of energy to the chip, potentially destroying input/output circuitry; a ggNMOS device or other ESD protective devices provide a safe path for current to flow, instead of through more sensitive circuitry. ESD protection by means of such devices or other techniques is important to product reliability: 35% of all IC failures in the field are associated with ESD damage. (en)
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| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 3448 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Unter der Bezeichnung ggNMOS, für englisch gate-ground-NMOS oder auch englisch grounded gate NMOS, wird in der Mikroelektronik eine übliche Schutzschaltung verstanden, welche die schädlichen Auswirkungen von äußeren elektrostatischen Entladungen (ESD) in integrierten Schaltungen (IC) limitiert. Die Bezeichnung leitet sich von dem als Schutzelement eingesetzten N-Kanal Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (N-MOSFET, NMOS) ab, der direkt am Die an jeden extern zugänglichen Anschlusspin vorgesehen wird. Die bei ESD auftretende hohe elektrische Spannung wird dabei durch den ggNMOS gegen das Bezugspotential abgeleitet und so unschädlich macht. Ohne Schutzelement würde es durch die Entladung zu irreversiblen Schäden und Zerstörungen im Inneren der integrierten Schaltungen kommen. (de)
- Grounded-gate NMOS, commonly known as ggNMOS, is an electrostatic discharge (ESD) protection device used within CMOS integrated circuits (ICs). Such devices are used to protect the inputs and outputs of an IC, which can be accessed off-chip (wire-bonded to the pins of a package or directly to a printed circuit board) and are therefore subject to ESD when touched. An ESD event can deliver a large amount of energy to the chip, potentially destroying input/output circuitry; a ggNMOS device or other ESD protective devices provide a safe path for current to flow, instead of through more sensitive circuitry. ESD protection by means of such devices or other techniques is important to product reliability: 35% of all IC failures in the field are associated with ESD damage. (en)
|
| rdfs:label
| |
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
