| dbo:abstract
|
- Unter der Versetzungsdichte ρ versteht man die Gesamtlänge aller Versetzungslinien pro Volumeneinheit in einem kristallinen Festkörper. Sie hat die Einheit Durch eine erhöhte Versetzungsdichte wird in einem Metall die Festigkeit erhöht (vgl. Kaltverfestigung): sowie das Umformvermögen und die elektrische Leitfähigkeit verringert. Beispiel: Die Versetzungsdichte in speziell gezüchteten Kupfereinkristallen beträgt etwa 108 m/m³ und kann bei starker Verformung bis auf etwa 1015 m/m³ ansteigen. (de)
- The etch pit density (EPD) is a measure for the quality of semiconductor wafers. (en)
- 에치 피트 밀도(EPD: Etch Pit Density)란 반도체 웨이퍼의 품질을 평가하는 척도 가운데 하나다. 웨이퍼 표면에 에치 용액을 가하면 결정의 전위 부분이 더 빠르게 에칭되며, 그 결과로 그 자리에 피트(패인 자국)가 생긴다. GaAs 웨이퍼는 보통 지르코늄 도가니 안에서 섭씨 450도에서 용융 KOH로 에칭한다. 피트 밀도는 광학 콘트라스트 현미경(optical contrast microscopy)로 측정할 수 있다. 실리콘 웨이퍼는 보통 에치 피트 밀도가 100 cm-2 미만으로 매우 낮지만 반절연(semi-insulating) GaAs 웨이퍼의 EPD는 거의 105 cm-2에 달한다. EPD는 DIN 50454-1과 ASTM F 1404에 의거하여 결정할 수 있다. (ko)
|
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 2339 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dcterms:subject
| |
| gold:hypernym
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- Unter der Versetzungsdichte ρ versteht man die Gesamtlänge aller Versetzungslinien pro Volumeneinheit in einem kristallinen Festkörper. Sie hat die Einheit Durch eine erhöhte Versetzungsdichte wird in einem Metall die Festigkeit erhöht (vgl. Kaltverfestigung): sowie das Umformvermögen und die elektrische Leitfähigkeit verringert. Beispiel: Die Versetzungsdichte in speziell gezüchteten Kupfereinkristallen beträgt etwa 108 m/m³ und kann bei starker Verformung bis auf etwa 1015 m/m³ ansteigen. (de)
- The etch pit density (EPD) is a measure for the quality of semiconductor wafers. (en)
- 에치 피트 밀도(EPD: Etch Pit Density)란 반도체 웨이퍼의 품질을 평가하는 척도 가운데 하나다. 웨이퍼 표면에 에치 용액을 가하면 결정의 전위 부분이 더 빠르게 에칭되며, 그 결과로 그 자리에 피트(패인 자국)가 생긴다. GaAs 웨이퍼는 보통 지르코늄 도가니 안에서 섭씨 450도에서 용융 KOH로 에칭한다. 피트 밀도는 광학 콘트라스트 현미경(optical contrast microscopy)로 측정할 수 있다. 실리콘 웨이퍼는 보통 에치 피트 밀도가 100 cm-2 미만으로 매우 낮지만 반절연(semi-insulating) GaAs 웨이퍼의 EPD는 거의 105 cm-2에 달한다. EPD는 DIN 50454-1과 ASTM F 1404에 의거하여 결정할 수 있다. (ko)
|
| rdfs:label
|
- Versetzungsdichte (de)
- Etch pit density (en)
- 에치 피트 밀도 (ko)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
