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- Electron-beam-induced deposition (EBID) is a process of decomposing gaseous molecules by an electron beam leading to deposition of non-volatile fragments onto a nearby substrate. The electron beam is usually provided by a scanning electron microscope, which results in high spatial accuracy (potentially below one nanometer) and the possibility to produce free-standing, three-dimensional structures. (en)
- La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles. (fr)
- Deposição induzida por feixe de elétrons (citado na literatura como EBID, do inglês electron beam-induced deposition) é um processo de decomposição de moléculas gasosas por um feixe de elétrons conduzindo à deposição de fragmentos não voláteis em um substrato próximo. O feixe de elétrons é geralmente fornecido por um microscópio eletrônico de varredura que resulta em exatidão espacial elevada (abaixo de um nanômetro) e possibilidade de produzir estruturas tridimensionais independentes. (pt)
- 电子束诱导沉积（Electron beam-induced deposition，EBID）是一种使用电子束分解气相分子，从而在衬底上的特定位置实现沉积生长的技术。 电子束诱导沉积实验中的电子束常常由扫描电子显微镜提供。这是因为扫描电子显微镜的电子束具有极高的空间精准度（可达纳米级别）；这也使得电子束诱导沉积具有生长出独立三维结构的潜能。 (zh)
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- Electron-beam-induced deposition (EBID) is a process of decomposing gaseous molecules by an electron beam leading to deposition of non-volatile fragments onto a nearby substrate. The electron beam is usually provided by a scanning electron microscope, which results in high spatial accuracy (potentially below one nanometer) and the possibility to produce free-standing, three-dimensional structures. (en)
- La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles. (fr)
- Deposição induzida por feixe de elétrons (citado na literatura como EBID, do inglês electron beam-induced deposition) é um processo de decomposição de moléculas gasosas por um feixe de elétrons conduzindo à deposição de fragmentos não voláteis em um substrato próximo. O feixe de elétrons é geralmente fornecido por um microscópio eletrônico de varredura que resulta em exatidão espacial elevada (abaixo de um nanômetro) e possibilidade de produzir estruturas tridimensionais independentes. (pt)
- 电子束诱导沉积（Electron beam-induced deposition，EBID）是一种使用电子束分解气相分子，从而在衬底上的特定位置实现沉积生长的技术。 电子束诱导沉积实验中的电子束常常由扫描电子显微镜提供。这是因为扫描电子显微镜的电子束具有极高的空间精准度（可达纳米级别）；这也使得电子束诱导沉积具有生长出独立三维结构的潜能。 (zh)
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- Deposició induïda per feix d'electrons (ca)
- Electron beam-induced deposition (en)
- Electron beam-induced deposition (fr)
- Deposição induzida por feixe de elétrons (pt)
- 电子束诱导沉积 (zh)
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