| dbo:abstract
|
- عملية تشوخرالسكي (أو طريقة تشوخرالسكي Czochralski process) هي عملية تستخدم في مجال نمو البلورات في علم المواد من أجل الحصول على بلورة أحادية. اخترع هذه العملية العالم البولندي يان تشوخرالسكي سنة 1916 خلال أبحاثه على معدل التبلور بالنسبة للفلزات. اِكتشف العالِم الكيميائي البولندي «يان تشوخرالسكي» هذه الطريقة عام 1916 عندما سقط قلمه المعدن في بوتقةٍ من القصدير المنصهر بدلًا من محبرةٍ لَّه واكتشف أن القلم انصهر وكوَّن خيطًا رفيعًا كريستاليًا، وحينها تحقق من أن كل المعادن عندما تتبلور تكون في شكلٍ كِرِيستاليٍّ واحد. تستخدم هذه الطريقة بشكل واسع في مجال صناعة أشباه الموصلات وذلك من أجل الحصول على بلورات أحادية عالية النقاوة، وذلك على شكل صبات أسطوانية ضخمة أو على شكل بلورات مخلقة، ويحصل بالتالي على سيليكون أو زرنيخيد الغاليوم عالي النقاوة. (ar)
- El procés o mètode de Czochralski consisteix en un procediment per a l'obtenció de lingots monocristal·lins. Va ser desenvolupat pel científic polonès Jan Czochralski. Aquest mètode és utilitzat per a l'obtenció de silici monocristal·lí mitjançant un cristall llavor dipositat per un bany de silici. És d'ampli ús en la indústria electrònica per a l'obtenció de wafers o hòsties, destinades a la fabricació de transistorés i circuits integrats. Per tenir una idea de la funcionalitat que té aquest procés en la indústria microelectrònica.Cada xip creat d'aquestes hòsties mesuren 8mm de costat, això fa que en cada hòstia tinguem de 120 a 130 circuits. Cada hòstia és tractada de manera que tots els circuits es fan alhora, passant pel mateix procés en el mateix instant. El mètode consisteix a tenir un gresol (generalment de quars) que conté el semiconductor fos, per exemple germani. La temperatura es controla perquè estigui justament per sobre del punt de fusió i no comenci a solidificar-se. En el gresol s'introdueix una vareta que gira lentament i té en el seu extrem un petit monocristall del mateix semiconductor que actua com a llavor. Al contacte amb la superfície del semiconductor fos, aquest s'agrega a la llavor, solidificant-se amb la seva xarxa cristal·lina orientada de la mateixa forma que aquella, amb el que el monocristall creix. La vareta es va elevant i, penjant d'ella, es va formant un monocristall cilíndric. Finalment se separa el lingot de la vareta i passa a la fusió per zones per purificar-ho. En controlar amb precisió els gradients de temperatura, velocitat de tracció i de rotació, és possible extreure un sol cristall en forma de lingots cilíndrics. Amb el control d'aquestes propietats es pot regular el grossor dels lingots. Per entendre millor aquest procés vegeu el següent video L'ocurrència de situacions d'inestabilitat no desitjada en la massa fosa es pot evitar mitjançant la investigació i la visualització dels camps de temperatura i la velocitat durant el procés de creixement de cristalls. Quan la temperatura ascendeix, el propi lingot es va fonent, però si descendeix, es formen agregats que no són monocristal·lins. Aquest procés es realitza normalment en una atmosfera inerta, com argó, i en una càmera inerta, com a quars. (ca)
- Jako Czochralského metoda (anglicky Czochralski process) se označuje jedna z technologií růstu syntetických monokrystalů. Výsledným produktem je monokrystal o přesně definované krystalografické orientaci s velmi pravidelnou krystalickou mřížkou. Nejčastěji se jedná o monokrystaly křemíku, germania nebo arsenidu gallitého. Czochralského metoda stojí téměř na počátku výroby polovodičových integrovaných obvodů, se kterými se lze setkat v oblastech výpočetní techniky, mobilních telefonů a u mnoha dalších elektronických zařízení. Základní princip výroby křemíkového monokrystalu Czochralského metodou spočívá ve vzniku taveniny vysoce čistého polykrystalického křemíku a v následném tažení monokrystalu z této taveniny pomocí zárodku o přesně stanovené krystalografické orientaci v Czochralského tažičce. Mezi nejdůležitější požadavky výroby patří bezdislokační růst monokrystalů, kterého lze docílit vysokou čistotou vstupních surovin a prostředí. (cs)
- Das Czochralski-Verfahren ist ein Verfahren der Werkstofftechnik zur Herstellung von einkristallinen Werkstoffen (Kristallzüchtung). Es ist auch als Tiegelziehverfahren oder Ziehen aus der Schmelze bekannt.Im Tiegel wird die zu kristallisierende Substanz wenige Grad über dem Schmelzpunkt gehalten (innerhalb des Ostwald-Miers-Bereiches, in dem keine spontane Keimbildung stattfindet). In ihre Oberfläche wird ein Keim (z. B. kleiner Einkristall) der zu züchtenden Substanz eingetaucht. Durch Drehen und langsames Nach-oben-ziehen – ohne dass der Kontakt zu der Schmelze abreißt – wächst das erstarrende Material zu einem Einkristall, der das Kristallgitter des Keims fortsetzt. (de)
- La "Czochralski-a procedo" estas metodo de kristala kreskigo uzita ekhavi unuopajn kristalojn de duonkonduktaĵoj, metaloj (ekz. paladio, plateno, arĝento, kaj oro), kaj saloj. La plej grava aplikaĵo eble estas la kreskigo de grandaj cilindraj ingotoj de silicio. Altpureca, semikonduktaĵ-grada silicio (kun nur kelkaj partoj el miliono da malpuraĵoj) fandiĝas en krisolo. Dopaĵaj malpuraĵaj atomoj tiel kiel boro aŭ fosforo povas aldoniĝi al fanda esenca silicio laŭ precizaj kvantoj por dopi la silicion, kiu ŝanĝigas ĝin en n-tipan aŭ p-tipan malesencan silicion. Tio ĉi influas la de silicio. Kerna kristalo mergiĝas en fandan silicion. La kerna kristalo tiriĝas supren kaj rotacias samtempe. Per preciza regado de la temperatura gradiento, la tira rapideco, kaj la rotacia (angula) rapideco ebligas eligi grandan, unuop-kristalan, cilindran ingoton de la fandaĵo. Tiu ĉi procedo kutime fariĝas en inerta atmosfero, tia kia argono, kaj en inerta krisolo, tia kia kvarco. La plej granda silicia ingoto produktita ĝis nun estas 400 mm diametra kaj 1 ĝis 2 m longa. Maldikaj siliciaj tranĉiĝas de tiuj ĉi ingotoj, lapuriĝas** al tre alta plateco, kaj poluriĝas al glata spegula surfaco por integritaj cirkvitoj. La procedo nomiĝas laŭ Jan Czochralski, kiu malkovris la metodon en 1916 dum esplorado pri la kristaliĝa rapideco de metaloj. (eo)
- The Czochralski method, also Czochralski technique or Czochralski process, is a method of crystal growth used to obtain single crystals of semiconductors (e.g. silicon, germanium and gallium arsenide), metals (e.g. palladium, platinum, silver, gold), salts and synthetic gemstones. The method is named after Polish scientist Jan Czochralski, who invented the method in 1915 while investigating the crystallization rates of metals. He made this discovery by accident: instead of dipping his pen into his inkwell, he dipped it in molten tin, and drew a tin filament, which later proved to be a single crystal. The most important application may be the growth of large cylindrical ingots, or boules, of single crystal silicon used in the electronics industry to make semiconductor devices like integrated circuits. Other semiconductors, such as gallium arsenide, can also be grown by this method, although lower defect densities in this case can be obtained using variants of the Bridgman–Stockbarger method. The method is not limited to production of metal or metalloid crystals. For example, it is used to manufacture very high-purity crystals of salts, including material with controlled isotopic composition, for use in particle physics experiments, with tight controls (part per billion measurements) on confounding metal ions and water absorbed during manufacture. (en)
- El proceso o método de Czochralski (AFI: [t͡ʂɔ'xralskʲi]) consiste en un procedimiento para la obtención de lingotes monocristalinos. Fue desarrollado por el científico polaco Jan Czochralski a partir de 1916. Este método es utilizado para la obtención de silicio monocristalino mediante un cristal semilla depositado en un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria electrónica para la obtención de wafers u obleas, destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados. Para tener una idea de la funcionalidad que tiene este proceso en la industria microelectrónica, basta señalar que cada circuito integrado creado a partir de estas obleas miden 8 mm de lado, esto hace que de cada oblea se obtengan de 120 a 130 circuitos. Cada oblea es tratada de forma que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo proceso en el mismo instante. El método consiste en un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que esté justamente por encima del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo semiconductor que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, este se agrega a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusión por zonas para purificarlo. Al controlar con precisión los gradientes de temperatura, velocidad de tracción y de rotación, es posible extraer un solo cristal en forma de lingote cilíndrico. Con el control de estas propiedades se puede regular el grosor de los lingotes. Para entender mejor este proceso véase el siguiente video Las situaciones de inestabilidad indeseables en la masa fundida se pueden evitar mediante la monitorización y la visualización de los campos de temperatura y la velocidad durante el proceso de crecimiento de los cristales. Cuando la temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo, pero si desciende, se forman agregados que no son monocristalinos. Este proceso se realiza normalmente en una atmósfera inerte, como argón, y en una cámara inerte, como cuarzo. (es)
- Le procédé de Czochralski (prononcé « Tchokhralski »), développé en 1916 par le chimiste polonais Jan Czochralski, est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres). Ces monocristaux « géants » sont utilisés dans l'industrie électronique (cristaux semi-conducteurs de silicium dopé), pour les études métallurgiques et pour des applications de pointe. On peut aussi faire croître des gemmes artificielles. La méthode consiste en une solidification dirigée à partir d'un germe monocristallin de petite taille. On part du matériau fondu à une température juste au-dessus du point de fusion, avec un gradient de température contrôlé. Le germe est placé dans une « navette » suspendue au-dessus du liquide par une tige. Le liquide se solidifie sur le germe en gardant la même organisation cristalline (épitaxie) au fur et à mesure que l'on tire le germe vers le haut tout en le faisant tourner (à vitesse très lente). L'opération se passe sous atmosphère neutre (argon ou azote) pour éviter l'oxydation. Le monocristal peut ensuite être purifié par la méthode de fusion de zone.
* Portail de la physique
* Portail de la chimie
* Portail des sciences des matériaux (fr)
- Proses Czochralski digunakan untuk pemurnian suatu bahan dengan cara pengkristalan. Bahan yang akan di kristalkan dimasukan ke dalam tempat yang sulit bereaksi dengan zat lain seperti quartz dan gas mulia argon. Contoh proses ini adalah pemurnian silikon yang nantinya akan dibuat wafer untuk Integrated Circuit (IC). Silikon yang akan dimurnikan dengan mengkristalkannya diletakkan di dalam tempat dari 9quartz dan dilelehkan. Sebuah silinder yang ujungnya terbuat dari kristal silikon dicelupkan kedalam lelehan silikon yang belum murni.ySilinder dengan ujung silikon murni tersebut di putar dengan sangat pelan ke arah atas yav v ng suhunya lebih dingin. Dengan pendinginan secara pelan-pelan, pengkristalan akan terjadi dengan sempurna di bagian atas dan secara otomatis pengotor akan bergerak ke arah bawah. Pad v a akhir proses, pengotor akan tinggal di dalam wadah quartz dan silikon murni akan menjadi batang silinder yang memanjang.
* l
*
* s (in)
- Het czochralski-proces (kortweg Cz) is een methode om kristallen te doen groeien door ze omhoog te trekken vanuit een smelt. Hierbij wordt een entkristal met een bekende kristaloriëntatie als startmateriaal gebruikt. Het proces vindt plaats in een inerte omgeving (argon-atmosfeer) in kwartsglazen smeltkroes, meestal ondersteund door verwarmingselementen van grafiet, waarbij in de smelt de gewenste dotering wordt toegevoegd. In tegenstelling tot de floating zone-techniek (FZ) reageert de wand van de smeltkroes met de smelt, waardoor ook zuurstof (en eventueel koolstof van de verwarmingselementen) in het kristal opgenomen worden. Het Cz-proces valt niet onder de scheikunde, maar onder de natuurkunde of techniek, aangezien de eigenschappen van de stof zelf niet veranderen. De methode is genoemd naar de bedenker ervan, de Pool . Het czochralski-proces wordt op grote schaal toegepast om siliciumkristallen te groeien als halfgeleiders voor de elektronische industrie, om Nd:YAG kristallen te groeien om lasers te maken, ook kristallen voor zonnecellen, voor kwartsuurwerken en dies meer. (nl)
- チョクラルスキー法（チョクラルスキーほう）とは半導体（シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム）、金属（白金、金、銀）、塩類、人造宝石向けに使用される超高純度の単結晶を成長させる、のひとつである。 (ja)
- Il processo Czochralski è una tecnica introdotta nei sistemi produttivi industriali agli inizi degli anni cinquanta, che permette di ottenere la crescita di monocristalli di estrema purezza. In ambito industriale tale processo è impiegato principalmente nella crescita di blocchi di silicio, che si ottengono con la forma di pani cilindrici. Il processo prende il nome dal ricercatore polacco Jan Czochralski, che lo sviluppò nel 1916 mentre stava studiando la cristallizzazione dei metalli. (it)
- Metoda Czochralskiego, proces Czochralskiego – technika otrzymywania monokryształów opracowana w 1916 roku przez polskiego chemika Jana Czochralskiego. Jest ona najstarszą i jedną z najpowszechniej stosowanych na świecie metod wytwarzania monokryształów półmetali (zwłaszcza krzemu do produkcji półprzewodników), metali i ich stopów. (pl)
- Ме́тод Чохра́льского — метод выращивания монокристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации путём приведения затравочного кристалла (или нескольких кристаллов) заданной структуры и кристаллографической ориентации в контакт со свободной поверхностью расплава. Может использоваться для выращивания кристаллов химических элементов и химических соединений, устойчивых при температурах плавления-кристаллизации. Метод наиболее известен применительно к выращиванию монокристаллического кремния и монокристаллического германия. За время промышленного использования (начиная с 1950-х годов) были разработаны различные модификации метода Чохральского. Так, для выращивания профилированных кристаллов используется модификация метода Чохральского, называемая . Модификация наиболее известна применительно к выращиванию монокристаллов сапфира и кремния. В иностранной литературе для обозначения материалов, полученных методом Чохральского, а также для самого технологического процесса и оборудования, используемого для выращивания слитков этим методом, используется аббревиатура «CZ» (от англ. CZochralski Zone — ср. с FZ — Float Zone). Например: англ. «CZ-puller» или нем. «Die Ofen für CZ-Kristallzuechtung» установка для выращивания материала методом Чохральского), «CZ-ingot» (кристалл, выращенный методом Чохральского) и т. д. (ru)
- O Processo Czochralski é um método de usado para a produção industrial de monocristais de uma diversidade de materiais cristalinos para os quais se pretende elevada pureza e cristais isentos de defeitos. A metodologia é utilizada na produção de materiais semicondutores, como o silício, o germânio e o arseneto de gálio, de metais para os quais se pretende um elevado grau de pureza química, como o paládio, a platina, a prata e o ouro, e de diversos sais e gemas sintéticas. A designação do processo honra o cientista polaco , que descobriu o método em 1916, quando estudava a velocidade de cristalização de alguns metais. (pt)
- Ме́тод Чохра́льського — технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Цей метод був запропонований у 1918 році польським вченим Яном Чохральським. Метод Чохральського набув неабиякого поширення завдяки простоті реалізації та задовільній якості монокристалів. Найбільшого поширення набуло вирощування кремнію як найдоступнішого матеріалу для напівпровідникової промисловості. Монокристали кремнію, вирощені даним методом знаходять застосування у двох сферах: сонячній енергетиці та виробництві напівпровідникових приладів. Також, методом Чохральського вирощують монокристали, необхідні для наукових цілей (наприклад, — BiGeO, використовується як сцинтилятор у ядерній фізиці та фізиці високих енергій), та ювелірне каміння. Метод Чохральського є методом напрямленої кристалізації. Суть методу полягає у тому, що у розплав напівпровідникового матеріалу занурюють зародковий монокристал — затравку. Сплавляють, а по досягненні певної температури переохолодження розплаву, необхідної для початку кристалізації на міжфазній границі затравка — розплав, починають відносно повільно витягувати монокристал. При цьому відведення прихованої теплоти кристалізації, — енергії, яка звільняється при утворенні впорядкованих атомних зв'язків кристалічної структури — здійснюється через вирощену частину монокристала. Регулювання діаметра монокристала здійснюється, головним чином, зміною швидкості витягування монокристала і, меншою мірою, зміною температури розплаву. Регулювання умов вирощування відбувається за принципом ПІД-регулятора. Для задоволення умов осьової симетрії теплових полів монокристала, розплаву та теплового вузла печі застосовують обертання монокристала та (або) тигля з розплавом навколо вертикальної осі. Основними величинами, які характеризують вирощування монокристалів є градієнт температури та величина напружень кристалічної ґратки. Вирощування великих монокристалів вимагає ретельного підбору умов вирощування: градієнта температури, швидкості підйому. (uk)
- 柴可拉斯基法（英語：Czochralski process），简称柴氏法，又称直拉法或提拉法，是一种用来获取半导体（如硅、锗和砷化镓等）、金属（如钯、铂、银、金等）、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基，他在1916年研究金属的结晶速率时，发明了这种方法。後來，演變為鋼鐵工廠的標準製程之一。 直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以获得更低的晶体缺陷密度。 (zh)
|
| rdfs:comment
|
- Das Czochralski-Verfahren ist ein Verfahren der Werkstofftechnik zur Herstellung von einkristallinen Werkstoffen (Kristallzüchtung). Es ist auch als Tiegelziehverfahren oder Ziehen aus der Schmelze bekannt.Im Tiegel wird die zu kristallisierende Substanz wenige Grad über dem Schmelzpunkt gehalten (innerhalb des Ostwald-Miers-Bereiches, in dem keine spontane Keimbildung stattfindet). In ihre Oberfläche wird ein Keim (z. B. kleiner Einkristall) der zu züchtenden Substanz eingetaucht. Durch Drehen und langsames Nach-oben-ziehen – ohne dass der Kontakt zu der Schmelze abreißt – wächst das erstarrende Material zu einem Einkristall, der das Kristallgitter des Keims fortsetzt. (de)
- チョクラルスキー法（チョクラルスキーほう）とは半導体（シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム）、金属（白金、金、銀）、塩類、人造宝石向けに使用される超高純度の単結晶を成長させる、のひとつである。 (ja)
- Il processo Czochralski è una tecnica introdotta nei sistemi produttivi industriali agli inizi degli anni cinquanta, che permette di ottenere la crescita di monocristalli di estrema purezza. In ambito industriale tale processo è impiegato principalmente nella crescita di blocchi di silicio, che si ottengono con la forma di pani cilindrici. Il processo prende il nome dal ricercatore polacco Jan Czochralski, che lo sviluppò nel 1916 mentre stava studiando la cristallizzazione dei metalli. (it)
- Metoda Czochralskiego, proces Czochralskiego – technika otrzymywania monokryształów opracowana w 1916 roku przez polskiego chemika Jana Czochralskiego. Jest ona najstarszą i jedną z najpowszechniej stosowanych na świecie metod wytwarzania monokryształów półmetali (zwłaszcza krzemu do produkcji półprzewodników), metali i ich stopów. (pl)
- O Processo Czochralski é um método de usado para a produção industrial de monocristais de uma diversidade de materiais cristalinos para os quais se pretende elevada pureza e cristais isentos de defeitos. A metodologia é utilizada na produção de materiais semicondutores, como o silício, o germânio e o arseneto de gálio, de metais para os quais se pretende um elevado grau de pureza química, como o paládio, a platina, a prata e o ouro, e de diversos sais e gemas sintéticas. A designação do processo honra o cientista polaco , que descobriu o método em 1916, quando estudava a velocidade de cristalização de alguns metais. (pt)
- 柴可拉斯基法（英語：Czochralski process），简称柴氏法，又称直拉法或提拉法，是一种用来获取半导体（如硅、锗和砷化镓等）、金属（如钯、铂、银、金等）、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基，他在1916年研究金属的结晶速率时，发明了这种方法。後來，演變為鋼鐵工廠的標準製程之一。 直拉法最重要的应用是晶锭、晶棒、单晶硅的生长。其他的半导体，例如砷化镓，也可以利用直拉法进行生长，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以获得更低的晶体缺陷密度。 (zh)
- عملية تشوخرالسكي (أو طريقة تشوخرالسكي Czochralski process) هي عملية تستخدم في مجال نمو البلورات في علم المواد من أجل الحصول على بلورة أحادية. اخترع هذه العملية العالم البولندي يان تشوخرالسكي سنة 1916 خلال أبحاثه على معدل التبلور بالنسبة للفلزات. اِكتشف العالِم الكيميائي البولندي «يان تشوخرالسكي» هذه الطريقة عام 1916 عندما سقط قلمه المعدن في بوتقةٍ من القصدير المنصهر بدلًا من محبرةٍ لَّه واكتشف أن القلم انصهر وكوَّن خيطًا رفيعًا كريستاليًا، وحينها تحقق من أن كل المعادن عندما تتبلور تكون في شكلٍ كِرِيستاليٍّ واحد. (ar)
- El procés o mètode de Czochralski consisteix en un procediment per a l'obtenció de lingots monocristal·lins. Va ser desenvolupat pel científic polonès Jan Czochralski. Aquest mètode és utilitzat per a l'obtenció de silici monocristal·lí mitjançant un cristall llavor dipositat per un bany de silici. És d'ampli ús en la indústria electrònica per a l'obtenció de wafers o hòsties, destinades a la fabricació de transistorés i circuits integrats. Per entendre millor aquest procés vegeu el següent video (ca)
- Jako Czochralského metoda (anglicky Czochralski process) se označuje jedna z technologií růstu syntetických monokrystalů. Výsledným produktem je monokrystal o přesně definované krystalografické orientaci s velmi pravidelnou krystalickou mřížkou. Nejčastěji se jedná o monokrystaly křemíku, germania nebo arsenidu gallitého. Czochralského metoda stojí téměř na počátku výroby polovodičových integrovaných obvodů, se kterými se lze setkat v oblastech výpočetní techniky, mobilních telefonů a u mnoha dalších elektronických zařízení. Základní princip výroby křemíkového monokrystalu Czochralského metodou spočívá ve vzniku taveniny vysoce čistého polykrystalického křemíku a v následném tažení monokrystalu z této taveniny pomocí zárodku o přesně stanovené krystalografické orientaci v Czochralského taž (cs)
- La "Czochralski-a procedo" estas metodo de kristala kreskigo uzita ekhavi unuopajn kristalojn de duonkonduktaĵoj, metaloj (ekz. paladio, plateno, arĝento, kaj oro), kaj saloj. La plej grava aplikaĵo eble estas la kreskigo de grandaj cilindraj ingotoj de silicio. Altpureca, semikonduktaĵ-grada silicio (kun nur kelkaj partoj el miliono da malpuraĵoj) fandiĝas en krisolo. Dopaĵaj malpuraĵaj atomoj tiel kiel boro aŭ fosforo povas aldoniĝi al fanda esenca silicio laŭ precizaj kvantoj por dopi la silicion, kiu ŝanĝigas ĝin en n-tipan aŭ p-tipan malesencan silicion. Tio ĉi influas la de silicio. Kerna kristalo mergiĝas en fandan silicion. La kerna kristalo tiriĝas supren kaj rotacias samtempe. Per preciza regado de la temperatura gradiento, la tira rapideco, kaj la rotacia (angula) rapideco ebli (eo)
- The Czochralski method, also Czochralski technique or Czochralski process, is a method of crystal growth used to obtain single crystals of semiconductors (e.g. silicon, germanium and gallium arsenide), metals (e.g. palladium, platinum, silver, gold), salts and synthetic gemstones. The method is named after Polish scientist Jan Czochralski, who invented the method in 1915 while investigating the crystallization rates of metals. He made this discovery by accident: instead of dipping his pen into his inkwell, he dipped it in molten tin, and drew a tin filament, which later proved to be a single crystal. (en)
- El proceso o método de Czochralski (AFI: [t͡ʂɔ'xralskʲi]) consiste en un procedimiento para la obtención de lingotes monocristalinos. Fue desarrollado por el científico polaco Jan Czochralski a partir de 1916. Este método es utilizado para la obtención de silicio monocristalino mediante un cristal semilla depositado en un baño de silicio. Es de amplio uso en la industria electrónica para la obtención de wafers u obleas, destinadas a la fabricación de transistores y circuitos integrados. Para entender mejor este proceso véase el siguiente video (es)
- Proses Czochralski digunakan untuk pemurnian suatu bahan dengan cara pengkristalan. Bahan yang akan di kristalkan dimasukan ke dalam tempat yang sulit bereaksi dengan zat lain seperti quartz dan gas mulia argon. Contoh proses ini adalah pemurnian silikon yang nantinya akan dibuat wafer untuk Integrated Circuit (IC). Silikon yang akan dimurnikan dengan mengkristalkannya diletakkan di dalam tempat dari 9quartz dan dilelehkan. Sebuah silinder yang ujungnya terbuat dari kristal silikon dicelupkan kedalam lelehan silikon yang belum murni.ySilinder dengan ujung silikon murni tersebut di putar dengan sangat pelan ke arah atas yav v ng suhunya lebih dingin. Dengan pendinginan secara pelan-pelan, pengkristalan akan terjadi dengan sempurna di bagian atas dan secara otomatis pengotor akan bergerak ke (in)
- Le procédé de Czochralski (prononcé « Tchokhralski »), développé en 1916 par le chimiste polonais Jan Czochralski, est un procédé de croissance de cristaux monocristallins de grande dimension (plusieurs centimètres). Ces monocristaux « géants » sont utilisés dans l'industrie électronique (cristaux semi-conducteurs de silicium dopé), pour les études métallurgiques et pour des applications de pointe. On peut aussi faire croître des gemmes artificielles. L'opération se passe sous atmosphère neutre (argon ou azote) pour éviter l'oxydation. (fr)
- Het czochralski-proces (kortweg Cz) is een methode om kristallen te doen groeien door ze omhoog te trekken vanuit een smelt. Hierbij wordt een entkristal met een bekende kristaloriëntatie als startmateriaal gebruikt. Het proces vindt plaats in een inerte omgeving (argon-atmosfeer) in kwartsglazen smeltkroes, meestal ondersteund door verwarmingselementen van grafiet, waarbij in de smelt de gewenste dotering wordt toegevoegd. (nl)
- Ме́тод Чохра́льского — метод выращивания монокристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации путём приведения затравочного кристалла (или нескольких кристаллов) заданной структуры и кристаллографической ориентации в контакт со свободной поверхностью расплава. Может использоваться для выращивания кристаллов химических элементов и химических соединений, устойчивых при температурах плавления-кристаллизации. Метод наиболее известен применительно к выращиванию монокристаллического кремния и монокристаллического германия. (ru)
- Ме́тод Чохра́льського — технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Цей метод був запропонований у 1918 році польським вченим Яном Чохральським. Метод Чохральського набув неабиякого поширення завдяки простоті реалізації та задовільній якості монокристалів. Найбільшого поширення набуло вирощування кремнію як найдоступнішого матеріалу для напівпровідникової промисловості. Монокристали кремнію, вирощені даним методом знаходять застосування у двох сферах: сонячній енергетиці та виробництві напівпровідникових приладів. Також, методом Чохральського вирощують монокристали, необхідні для наукових цілей (наприклад, — BiGeO, використовується як сцинтилятор у ядерній фізиці та фізиці високих енергій), та ювелірне каміння. (uk)
|
