About: 2N3055

An Entity of Type: SemiconductorDevice104171831, from Named Graph: http://dbpedia.org, within Data Space: dbpedia.org

The 2N3055 is a silicon NPN power transistor intended for general purpose applications. It was introduced in the early 1960s by RCA using a power transistor process, transitioned to an epitaxial base in the mid-1970s. Its numbering follows the JEDEC standard. It is a transistor type of enduring popularity.

Property Value
dbo:abstract
  • Der 2N3055 ist ein bipolarer Silicium-NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse und einer der meistproduzierten Leistungstransistoren. Er wurde in den frühen 1960er Jahren von RCA auf den Markt gebracht und später von vielen amerikanischen, japanischen und europäischen Herstellern mit zum Teil nicht unerheblich abweichenden Daten produziert. Durch die Entwicklung moderner Leistungstransistoren mit insgesamt besseren Eigenschaften – wie Typen mit auf Dünnschicht-Wafern gefertigten bipolaren Epitaxial- sowie bipolaren IGBT- und unipolaren VMOS-FET-Leistungstransistoren – hat der 2N3055 inzwischen an Bedeutung verloren; er wird aber nach wie vor produziert und v. a. als Ersatzteil, in frequenzunkritischen Anwendungen oder von Bastlern verwendet. (de)
  • The 2N3055 is a silicon NPN power transistor intended for general purpose applications. It was introduced in the early 1960s by RCA using a power transistor process, transitioned to an epitaxial base in the mid-1970s. Its numbering follows the JEDEC standard. It is a transistor type of enduring popularity. (en)
  • El 2N3055 es un transistor NPN de potencia diseñado para aplicaciones de propósito general.Fue introducido en la década de 1960 por la firma estadounidense RCA usando el proceso para transistores de potencia, que luego pasó a una base epitaxial en la década de 1970.​ Su numeración sigue el estándar JEDEC.​ Es un transistor de potencia muy utilizado en una gran variedad de aplicaciones.​​​ (es)
  • La sigla 2N3055 indica un transistor NPN progettato per usi generici in applicazioni con alta corrente e media potenza, circuiti di amplificazione e commutazione. In package TO-3, può dissipare 115 watt di potenza; le caratteristiche elettriche primarie: 60 volt, 15 ampere, guadagno (Beta) da 20 a 70. Ha avuto un largo utilizzo nel pilotaggio del trasformatore del circuito di deflessione dei televisori in bianco e nero, è stato impiegato da molti costruttori di apparecchi Hi-Fi e musicali per gli stadi finali di amplificazione, i radioamatori lo hanno anche usato come amplificatore a radiofrequenza in onde medie, e naturalmente anche come regolatore di tensione in alimentatori generici, per i quali era inizialmente nato.Gli stessi parametri di base li possiede un altro transistor di minore potenza, il 2N3054. Il dispositivo complementare, ovvero con le stesse caratteristiche ma di polarità opposta (PNP), porta la sigla MJ2955. Messo in commercio dalla RCA nel 1964 ed utilizzante inizialmente la tecnologia di fabbricazione a singola diffusione "Hometaxial Base", dato il suo vasto mercato è stato prodotto da quasi tutte le aziende di semiconduttori, l'unica a non produrlo è stata l'europea Philips, preferendo progettare un proprio dispositivo con caratteristiche equivalenti, siglandolo BD181. Il suo chip è stato montato su contenitore plastico inizialmente dalla Texas Instruments a nome TIP3055 e TIP35 e con dissipazione massima limitata a 90 W (altri in seguito hanno prodotto lo stesso modello incapsulato in una variante simile, il TO-218) ed è stata prodotta anche una versione a dissipazione ridotta (70 W) dovuta alle piccole dimensioni del contenitore TO-126 che lo ha ospitato, l'MJE3055. (it)
  • Tranzystor 2N3055 – krzemowy tranzystor mocy z typem przewodnictwa npn. Oryginalny tranzystor 2N3055 był wytwarzany opracowaną w firmie RCA w latach 1959–60 technologią „hometaxial base”. Charakteryzuje się on dużą odpornością na zjawisko wtórnego przebicia, co powoduje, że posiada szeroki bezpieczny obszar pracy, umożliwiający wydzielenie maksymalnej mocy nawet przy pełnych dopuszczalnych napięciach kolektora. Dzieje się to kosztem stosunkowo niewielkiej częstotliwości granicznej i umiarkowanego współczynnika wzmocnienia prądowego. 2N3055 był stosowany tam, gdzie nie była wymagana duża częstotliwość pracy, na przykład w zasilaczach, przetwornicach i wzmacniaczach mocy małej częstotliwości. W latach 70. i 80. XX w. stosowano go również w Polsce, na przykład we wzmacniaczach mocy odbiorników radiowych Meluzyna, Kleopatra i wzmacniaczach firmy Fonica. Ważniejsze parametry tranzystora 2N3055: * obudowa , * maksymalne natężenie prądu bazy Ib max=7 A, * napięcie kolektor–baza Ucbo max=100 V, * maksymalne natężenie prądu kolektora Ic max=15 A, * maksymalne napięcie kolektor–emiter Uce max=60 V, * maksymalna moc Ptot=115 W. Typami tranzystorów komplementarnych (typu przewodnictwa pnp) do 2N3055 są MJ2955 oraz BDX18. Tranzystor 2N3055 był popularny i produkowany przez większe fabryki tranzystorów. W krajach RWPG był wytwarzany przez węgierski Tungsram (pod oryginalną nazwą), w Polsce przez CEMI (jako BDP620) i czechosłowacką Teslę (jako KD3055). Był też produkowany w Rumunii w zakładach IPRS Baneasa. (pl)
  • O 2N3055 é um transístor NPN de uso geral para aplicações de amplificação. Utiliza-se em aplicações de alta corrente e média potência. Apesar de se destinar preferencialmente em amplificação, também pode ser usado em aplicações de comutação. Apresenta-se em embalagem , com as características: 15 A, 60 V, 115 W e um Beta de 20 a 70. A sua principal utilização é em fontes de alimentação de baixas tensões e altas correntes. Outra aplicação típica em que é utilizado, é como amplificador de saída para as bobinas de deflexão de Tubo de raios catódicos de TVs. O é um transístor com parâmetros básicos equivalentes. O é o transístor complementar do 2N3055. (pt)
dbo:thumbnail
dbo:wikiPageExternalLink
dbo:wikiPageID
  • 3257222 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength
  • 20854 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 1100683076 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink
dbp:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
gold:hypernym
rdf:type
rdfs:comment
  • The 2N3055 is a silicon NPN power transistor intended for general purpose applications. It was introduced in the early 1960s by RCA using a power transistor process, transitioned to an epitaxial base in the mid-1970s. Its numbering follows the JEDEC standard. It is a transistor type of enduring popularity. (en)
  • El 2N3055 es un transistor NPN de potencia diseñado para aplicaciones de propósito general.Fue introducido en la década de 1960 por la firma estadounidense RCA usando el proceso para transistores de potencia, que luego pasó a una base epitaxial en la década de 1970.​ Su numeración sigue el estándar JEDEC.​ Es un transistor de potencia muy utilizado en una gran variedad de aplicaciones.​​​ (es)
  • Der 2N3055 ist ein bipolarer Silicium-NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse und einer der meistproduzierten Leistungstransistoren. Er wurde in den frühen 1960er Jahren von RCA auf den Markt gebracht und später von vielen amerikanischen, japanischen und europäischen Herstellern mit zum Teil nicht unerheblich abweichenden Daten produziert. (de)
  • La sigla 2N3055 indica un transistor NPN progettato per usi generici in applicazioni con alta corrente e media potenza, circuiti di amplificazione e commutazione. In package TO-3, può dissipare 115 watt di potenza; le caratteristiche elettriche primarie: 60 volt, 15 ampere, guadagno (Beta) da 20 a 70. (it)
  • Tranzystor 2N3055 – krzemowy tranzystor mocy z typem przewodnictwa npn. Oryginalny tranzystor 2N3055 był wytwarzany opracowaną w firmie RCA w latach 1959–60 technologią „hometaxial base”. Charakteryzuje się on dużą odpornością na zjawisko wtórnego przebicia, co powoduje, że posiada szeroki bezpieczny obszar pracy, umożliwiający wydzielenie maksymalnej mocy nawet przy pełnych dopuszczalnych napięciach kolektora. Dzieje się to kosztem stosunkowo niewielkiej częstotliwości granicznej i umiarkowanego współczynnika wzmocnienia prądowego. Ważniejsze parametry tranzystora 2N3055: (pl)
  • O 2N3055 é um transístor NPN de uso geral para aplicações de amplificação. Utiliza-se em aplicações de alta corrente e média potência. Apesar de se destinar preferencialmente em amplificação, também pode ser usado em aplicações de comutação. Apresenta-se em embalagem , com as características: 15 A, 60 V, 115 W e um Beta de 20 a 70. A sua principal utilização é em fontes de alimentação de baixas tensões e altas correntes. Outra aplicação típica em que é utilizado, é como amplificador de saída para as bobinas de deflexão de Tubo de raios catódicos de TVs. O é o transístor complementar do 2N3055. (pt)
rdfs:label
  • 2N3055 (de)
  • 2N3055 (en)
  • 2N3055 (es)
  • 2N3055 (it)
  • 2N3055 (pl)
  • 2N3055 (pt)
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:wikiPageRedirects of
is dbo:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of
Powered by OpenLink Virtuoso    This material is Open Knowledge     W3C Semantic Web Technology     This material is Open Knowledge    Valid XHTML + RDFa
This content was extracted from Wikipedia and is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 Unported License