About: 10 nm process

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- Rule:
- Inverse Functional Properties:
- "Same As":

About: 10 nm process Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : owl:Thing, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)
QRcode icon

http://dbpedia.org/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2F10_nm_process

In semiconductor fabrication, the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) defines the 10 nm process as the MOSFET technology node following the 14 nm node. "10 nm class" denotes chips made using process technologies between 10 and 20 nm.

Attributes	Values
rdf:type	Thing
rdfs:label	10 nanòmetres (ca) 10 nm process (en) 10 nanómetros (es) 10 nm (fr) 10 nm (it) 10 nanômetros (pt) 10纳米制程 (zh)
rdfs:comment	10 nanòmetres (10 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 10 nm. És una millora de la tecnologia de 14 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 18 àtoms de llargada. (ca) 10纳米制程是半导体制造制程的一个水準。 (zh) In semiconductor fabrication, the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) defines the 10 nm process as the MOSFET technology node following the 14 nm node. "10 nm class" denotes chips made using process technologies between 10 and 20 nm. (en) El nodo de 10 nanómetros (10 nm) es el nodo de tecnología que sigue al nodo de 14 nm, y categoría 10 nm quiere decir chips fabricados usando tecnologías de proceso entre 10 y 20 nanómetros. La nomenclatura original de este nodo de tecnología como "11 nm" viene de la Hoja de Ruta Internacional de Tecnología para Semiconductores (ITRS). Según la edición de 2007 de esta hoja de ruta, en el año 2022, el half-pitch (paso medio) (es decir, la mitad de la distancia entre celdas idénticas en una matriz) para una DRAM debería ser de 11 nm, aunque la Arquitectura y Modelo de Cadencia de Silicio de Intel coloca su nodo de 10 nm más cerca del año 2015. , en ese momento ejerciendo como Director Tecnológico de Intel, reivindicó en 2008 que Intel ve un "camino claro" hacia el nodo de 10 nm. En el nodo (es) 10 nm désigne le procédé de fabrication des semi-conducteurs qui succède au procédé 14 nm de fabrication par CMOS. La technologie apparaît sur le marché en 2017 dans le microprocesseur Snapdragon 835 fabriqué par Qualcomm et utilisé dans le smartphone Galaxy S8 assemblé par Samsung. Il est suivi par le SoC A10X d'Apple, fabriqué par TSMC et utilisé dans la tablette tactile iPad Pro. En 2015, la gamme Cannonlake d'Intel est annoncée pour 2017. Mais, en 2018, la production en volume de la technologie 10 nm est à nouveau repoussée pour 2019. (fr) Il processo costruttivo a 10 nm (10 nanometri), inizialmente 11 nm secondo l'International Technology Roadmap for Semiconductors, è l'evoluzione del processo a 14 nm utilizzato per i microprocessori Intel e AMD (oltre che per altri tipi di circuiti realizzati da altre società del settore) e la sua introduzione, inizialmente prevista per la fine del 2016 è stata posticipata alla seconda metà del 2017. Una delle prime CPU a 10 nm è lo Snapdragon 835 di Qualcomm, seguita dall'Helio X30 di MediaTek. (it)
dcterms:subject	International Technology Roadmap for Semiconductors lithography nodes
Wikipage page ID	16567591 (xsd:integer)
Wikipage revision ID	1117870037 (xsd:integer)
Link from a Wikipage to another Wikipage	Cannon Lake (microarchitecture) Samsung Samsung Bijan Davari Dawon Kahng Apple A10X Dynamic random-access memory International Technology Roadmap for Semiconductors 14 nm process International Technology Roadmap for Semiconductors lithography nodes Gate oxide Frequency GeForce 30 series GlobalFoundries Gold N-type semiconductor Single crystal Apple A11 Apple Inc. MOSFET Multiple patterning 7 nm process Tiger Lake Tsu-Jae King Liu UC Berkeley Crystalline FinFET Flash memory Pat Gelsinger Germanium Tungsten Semiconductor device fabrication Technology node EMMC Jeffrey Bokor Chenming Hu TSMC Taiwan Semiconductor Manufacturing Company CMOS Field-effect transistor IBM IPad Intel Micron Technology Nanometre Semiconductors Mass production Multi-level cell System on a chip Silicon (disambiguation) Mohamed Atalla Thin films Transistor density 7 nm Galaxy S8 Bipolar transistors Semiconducting Semiconductor fabrication Semiconductor substrate Multi-gate MOSFET Nanometric
sameAs	10 nm process 10 nm process 10 nm process 10 nm process 10 nm process 10 nm process 10 nm process 10 nm process
dbp:wikiPageUsesTemplate	dbt:Authority_control dbt:Citation_needed dbt:Efn dbt:For dbt:Main dbt:Nbsp dbt:Notelist dbt:Reflist dbt:Semiconductor_manufacturing_processes dbt:Sequence dbt:Short_description dbt:Unknown dbt:Use_dmy_dates dbt:Yes

Faceted Search & Find service v1.17_git139 as of Feb 29 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 08.03.3330 as of Mar 19 2024, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc212), Single-Server Edition (61 GB total memory, 44 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software