| rdfs:comment
| - MOSFET és l'acrònim de l'anglès Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (transistor d'efecte de camp metall-semiconductor). Consisteix en un transistor d'efecte de camp basat en l'estructura MOS. És el transistor més utilitzat en la indústria microelectrònica. Pràcticament la totalitat dels circuits integrats d'ús comercial són basats en transistors MOSFET. (ca)
- MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」や「モスフェット」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFETやMISFETがMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。 (ja)
- Een MOSFET of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor is een bepaald type veldeffecttransistor (FET). (nl)
- O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925. (pt)
- ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات (بالإنجليزية: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor اختصاراً MOSFET) وتُقرَأ موسفت، هو ترانزستور حقلي ذو قناة نقل تعتمد في بنائها على المواد شبه موصلة. يتكون من مصدر، ومصب، وبوابة، والجسم ويفصل بين الجسم والبوابة طبقة عازلة. يتحكم الجهد الكهربائي المطبق على البوابة في التيار الكهربي المار من المصدر إلى المصب - مثلما في الصمام الثلاثي حيث يتحكم جهد الشبكة في التيار المار من المهبط(كاثود) إلى المصعد(آنود). وظيفة الموسفت هو فتح وأغلاق دائرة كهربائية. ويوجد من الموسفت ثلاثة أنواع:
* Nmos
* Pmos
* Cmos (ar)
- MOSFET je nejrozšířenější druh tranzistorů řízených elektrickým polem, u nichž je vodivost kanálu mezi elektrodami S a D řízena napětím mezi elektrodou G, která je tvořena kovem (nebo polykrystalickým křemíkem) odizolovaným od zbytku struktury tenkou vrstvičkou oxidu křemičitého. Zkratka vyjadřuje:
* M (Metal) – řídicí elektroda je tvořena kovem (hliníkem)
* O (Oxide) – řídicí elektroda je izolována tenkou vrstvičkou oxidu křemičitého
* S (Semiconductor) – oxid je vytvořen na polovodičové destičce
* FET (Field effect transistor) – výsledkem je tranzistor řízený elektrickým polem (cs)
- Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h. eine Art elektronisches Ventil.In der Familie der Feldeffekttransistoren zeichnen sich MOSFETs durch ein isoliertes Gate (der Kontakt, mit dem das „Ventil“ angesteuert wird) aus einem Oxid aus und gehören damit zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET) bzw. Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET). (de)
- Metal oxido erdieroalezko eremu-efektuko transistorea —ingelesez: Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor, MOSFET— seinale elektronikoak kommutatzeko edo anplifikatzeko erabiltzen den transistore mota bat da. Gaur egun, industria mikroelektronikoan gehien erabiltzen den transistorea da, zirkuitu analogikoetan nahiz digitaletan. Hori dela eta, mikroprozesadore komertzialen gehiengoa MOSFET transistoreetan dago oinarritua. (eu)
- The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device. This ability to change conductivity with the amount of applied voltage can be used for amplifying or switching electronic signals. A metal-insulator-semiconductor field-effect transistor (MISFET) is a term almost synonymous with MOSFET. Another synonym is IGFET for insulated-gate field-effect transistor. (en)
- El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. (es)
- Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille. Il trouve ses applications dans les circuits intégrés numériques, en particulier avec la technologie CMOS, ainsi que dans l'électronique de puissance. (fr)
- Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (bahasa Inggris: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor, MOSFET) adalah salah satu jenis transistor efek medan. MOSFET mencakup kanal dari bahan dan , dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, tetapi transistor sambungan dwikutub pada satu waktu lebih umum. (in)
- Il MOSFET (acronimo del termine inglese metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, ovvero transistore a semiconduttore di ossido di metallo a effetto di campo), scritto anche MOS-FET o MOS FET e spesso conosciuto come transistore MOS, in elettronica indica una tipologia di transistor a effetto di campo largamente usata nel campo dell'elettronica digitale, ma diffusa anche nell'elettronica analogica. È detto anche IGFET (insulated-gate field-effect, FET a gate isolato). (it)
- 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(영어: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 전계효과 트랜지스터 (FET)이다. 줄여서 MOSFET(한국어: 모스펫)이라고도 한다. 모스펫은 N형 반도체나 P형 반도체 재료 (반도체소자 참조)의 채널로 구성되어 있고, 이 재료에 따라서 크게 엔모스펫 (NMOSFET)나 피모스펫 (PMOSFET), 두 가지를 모두 가진 소자를 씨모스펫(cMOSFET, complementary MOSFET)으로 분류한다. (또한 일반적으로 nMOSFET, pMOSFET, NMOS FET, PMOS FET, nMOS FET, p-MOS FET. etc..라고도 함)
* MOS : metal-oxide-semiconductor 일반적으로 사용된 반도체는 실리콘이지만 잘 알려진 IBM같은 어떤 칩 제조사는 모스펫 채널에 실리콘과 게르마늄 (SiGe)의 혼합을 사용하기 시작했다. 불행하게도 갈륨비소같이 실리콘보다 전기적 특성이 좋은 대다수의 반도체는 좋은 게이트 산화물을 형성하지 않고 이것은 모스펫에 적합하지 않다. (ko)
- MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) – technologia produkcji tranzystorów polowych z izolowaną bramką i obwodów układów scalonych. Jest to aktualnie podstawowa technologia produkcji większości układów scalonych stosowanych w komputerach i stanowi element technologii CMOS. (pl)
- MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) är en typ av fälteffekttransistor. Till skillnad från bipolära transistorer och JFET-transistorer har MOSFET-transistorer fyra terminaler; source, drain, gate och body. En MOSFET är spänningsstyrd vilket innebär att strömmen från source till drain regleras av spänningen mellan gate och body. Gate är isolerad från substratet av metalloxid vilket ger hög ingångsimpedans. (sv)
- МОП-транзи́стор, или Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращённо «MOSFET») — полупроводниковый прибор, разновидность полевых транзисторов. Аббревиатура МОП образована от слов «металл-оксид-полупроводник», обозначающих последовательность типов материалов в основной части прибора. (ru)
- 金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的N通道型與空穴占多数的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。 以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。 (zh)
- МДН-транзи́стор (англ. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor, MISFET) — напівпровідниковий прилад, що як базовий фізичний принцип використовує ефект поля. Типовий МДН-транзистор складається з МД/ОН- структури (метал-діелектрик/оксид-напівпровідник, наприклад n— типу), та двох p— кишень для електродів (source) та стоку (drain). Металічний керуючий електрод називається (gate), а напівпровідниковий — підкладкою (bulk). Відомо, що МДН-структури мають три режими роботи: збагачення або акумуляції (з власною провідністю напівпровідника); слабкої інверсії (зі змішаною провідністю) та сильної інверсії (з інверсною провідністю). Тому загалом, можна використовувати будь-який з цих трьох режимів роботи для практичної реалізації МДН-транзистора, і на перших порах в 60-х роках їх і вик (uk)
|
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)