About: field-effect transistor   Goto Sponge  NotDistinct  Permalink

An Entity of Type : yago:Substance100019613, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)
QRcode icon
http://dbpedia.org/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2FField-effect_transistor

The field-effect transistor (FET) is a transistor that uses an electric field to control the shape and hence the electrical conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material. FETs are also known as unipolar transistors and as they involve single-carrier-type operation.The FET has several forms, but all have high input impedance. While the conductivity of a non-FET transistor is regulated by the input current (the emitter to base current) and so has a low input impedance, a FET's conductivity is regulated by a voltage applied to a terminal (the gate) which is insulated from the device. The applied gate voltage imposes an electric field into the device, which in turn attracts or repels charge carriers to or from the region between a source terminal and a dra

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • ترانزستور ذو مفعول حقلي
  • Feldeffekttransistor
  • Transistor de efecto campo
  • Transistor à effet de champ
  • Transistor a effetto di campo
  • 電界効果トランジスタ
  • Veldeffecttransistor
  • Tranzystor polowy
  • Transistor de efeito de campo
  • Полевой транзистор
  • 场效应管
  • Field-effect transistor
rdfs:comment
  • 25بك المحتوى هنا ينقصه الاستشهاد بمصادر. يرجى إيراد مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (فبراير 2016) المقحل الحقلي أو المقحل المجالي أو ترانزستور تأثير المجال (بالإنجليزية: Field-effect transistor) نبيطة (مقحل) أحادي الاتجاه يتكون من 3 عناصر رئيسية المنبع، البوابة، المصب وينتقل التيار بين المنبع والمصب (أو بين المصب والمنبع لإنه أحادي القطب) عبر قناة ذات موصلية تتغير حسب جهد البوابة الكهربائي . ويعتمد نوع المقحل على نوعية تطعيم القناة ، فإذا كانت القناة سالبة أي الإلكترونات هن حوامل غالبة والفجوات الإلكترونية هن حوامل أقلية فإن النبيطة تكون شبه موصل سالب أما إذا كان التشويب موجبا فتصبح النبيطة شبه موصل موجب
  • Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique.
  • 電界効果トランジスタ(でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET)は、ゲート電極に電圧をかけ、チャネルの電界により電子または正孔の流れに関門(ゲート)を設ける原理で、ソース・ドレイン端子間の電流を制御するトランジスタである。電子と正孔の2種類のキャリアの働きによるバイポーラトランジスタに対し、いずれか1種類のキャリアだけを用いるユニポーラトランジスタである。FETは主にジャンクションFET(JFET)とMOSFETに大別される。他にMESFETなどがある。FETの動作原理は電界を使って電流を制御する点で真空管に類似している。 このページでは主にSiなどの無機半導体について述べる。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。
  • FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transitor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.
  • Полевой (униполярный) транзистор — полупроводниковый прибор, работа которого основана на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они входят, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.
  • Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET (ang. Field Effect Transistor) – tranzystor, w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego.
  • 场效应管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为「单极性晶体管」,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。
  • Feldeffekttransistoren oder FETs sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Defektelektronen. Sie werden bei tiefen Frequenzen – im Gegensatz zu den Bipolartransistoren – weitestgehend leistungs- bzw. verlustlos geschaltet. Die am weitesten verbreitete Art des Feldeffekttransistors ist der MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor).
  • El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor que se basa en el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, hecho de un material semiconductor, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Posee tres terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de los tipos Canal-N y Canal-P, dependiendo del material del cana
  • Il transistor a effetto di campo, abbreviato FET, dall'inglese field-effect transistor, è un tipo di transistor largamente usato nel campo dell'elettronica digitale e diffuso, in maniera minore, nell'elettronica analogica.
  • Een veldeffecttransistor, meestal aangeduid als FET (field-effect-transistor), is een unipolaire transistor met gewoonlijk drie aansluitingen: de source (S), de drain (D) en de gate (G). Bij een MOSFET is er nog een vierde aansluiting, het substraat (B van bulk), die meestal niet naar buiten uitgevoerd is, maar intern verbonden met de source. Speciale typen zoals de "dual gate"-MOSFET met twee gates, hebben extra aansluitingen. Veldeffecttransistoren komen onder meer voor in de volgende uitvoeringen: De twee meest gebruikte varianten van de FET zijn: de J-FET en de MOS-FET.
  • The field-effect transistor (FET) is a transistor that uses an electric field to control the shape and hence the electrical conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material. FETs are also known as unipolar transistors and as they involve single-carrier-type operation.The FET has several forms, but all have high input impedance. While the conductivity of a non-FET transistor is regulated by the input current (the emitter to base current) and so has a low input impedance, a FET's conductivity is regulated by a voltage applied to a terminal (the gate) which is insulated from the device. The applied gate voltage imposes an electric field into the device, which in turn attracts or repels charge carriers to or from the region between a source terminal and a dra
rdfs:seeAlso
sameAs
dct:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Faceted Search & Find service v1.17_git21 as of Mar 09 2019


Alternative Linked Data Documents: iSPARQL | ODE     Content Formats:       RDF       ODATA       Microdata      About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 07.20.3230 as of Apr 1 2019, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc25), Single-Server Edition (61 GB total memory)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2019 OpenLink Software