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- Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes Modell. Es gibt verschiedene Stufen der Abstraktion. Meist werden zur Dimensionierung einfache Modelle verwendet, für die Schaltungssimulation komplexere Modelle bzw. deren Ersatzschaltbild. Theoretisch wäre auch eine exakte Berechnung des physikalischen Verhaltens, beispielsweise über eine Monte-Carlo-Simulation möglich, aber schon in relativ einfachen elektrischen Netzwerken übersteigt der Rechenaufwand einer solchen Simulation die Leistung heutiger Computer. Die Modelle dienen daher zur Vereinfachung und hinreichenden Nachbildung der realen Abläufe, um so den Rechenaufwand drastisch zu reduzieren. Eine weitere Vereinfachung kann durch die Nutzung unterschiedlicher Modelle für den statischen und den dynamischen Betrieb erreicht werden. Erstere dienen zur gleichstrommäßigen Dimensionierung, und damit vor allem zur Berechnung der korrekten Arbeitspunkteinstellung, sowie für niederfrequente Logikschaltungen (z. B. TTL). Modelle für den dynamischen Betrieb dienen der wechselstrommäßigen Dimensionierung und damit zur Berechnung von Schaltungen für die Signalübertragung und Signalverarbeitung. Der vorliegende Artikel beschäftigt sich ausschließlich mit der Modellierung des Bipolartransistors, für Informationen über den Aufbau und die Verwendung von Bipolartransistoren wird auf den Hauptartikel verwiesen. (de)
- The Gummel–Poon model is a model of the bipolar junction transistor. It was first described in an article published by Hermann Gummel and at Bell Labs in 1970. The Gummel–Poon model and modern variants of it are widely used in the popular circuit simulators such as SPICE. A significant effect that the Gummel–Poon model accounts for is the variation of the transistor and values with the direct current level. When certain parameters are omitted, the Gummel–Poon model reduces to the simpler Ebers–Moll model. (en)
- Model Ebersa-Molla – model idealnego tranzystora bipolarnego w stanie aktywnym oraz aktywnym inwersyjnym, przy sterowaniu źródłem prądowym. Najprostszy model oparty na równaniach Ebersa-Molla zbudowany jest ze źródeł prądowych i diod idealnych. (pl)
- Модель Гуммеля—Пуна - математична модель біполярного транзистора, запропонована Гуммелем (англ. Hermann Gummel) і Пуном (англ. H. C. Poon) в 1970 році.До складу моделі входять ідеальні діоди, ідеальні керовані джерела струму, паразитні ємності, опори областей бази, еміттера і колектора. Модель Гуммеля—Пуна та сучасні її варіанти широко використовуються в популярних програмах, таких як SPICE. (uk)
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- The Gummel–Poon model is a model of the bipolar junction transistor. It was first described in an article published by Hermann Gummel and at Bell Labs in 1970. The Gummel–Poon model and modern variants of it are widely used in the popular circuit simulators such as SPICE. A significant effect that the Gummel–Poon model accounts for is the variation of the transistor and values with the direct current level. When certain parameters are omitted, the Gummel–Poon model reduces to the simpler Ebers–Moll model. (en)
- Model Ebersa-Molla – model idealnego tranzystora bipolarnego w stanie aktywnym oraz aktywnym inwersyjnym, przy sterowaniu źródłem prądowym. Najprostszy model oparty na równaniach Ebersa-Molla zbudowany jest ze źródeł prądowych i diod idealnych. (pl)
- Модель Гуммеля—Пуна - математична модель біполярного транзистора, запропонована Гуммелем (англ. Hermann Gummel) і Пуном (англ. H. C. Poon) в 1970 році.До складу моделі входять ідеальні діоди, ідеальні керовані джерела струму, паразитні ємності, опори областей бази, еміттера і колектора. Модель Гуммеля—Пуна та сучасні її варіанти широко використовуються в популярних програмах, таких як SPICE. (uk)
- Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes Modell. Es gibt verschiedene Stufen der Abstraktion. Meist werden zur Dimensionierung einfache Modelle verwendet, für die Schaltungssimulation komplexere Modelle bzw. deren Ersatzschaltbild. Der vorliegende Artikel beschäftigt sich ausschließlich mit der Modellierung des Bipolartransistors, für Informationen über den Aufbau und die Verwendung von Bipolartransistoren wird auf den Hauptartikel verwiesen. (de)
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- Ersatzschaltungen des Bipolartransistors (de)
- Gummel–Poon model (en)
- Model Ebersa Molla (pl)
- Модель Гуммеля—Пуна (uk)
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