About: Velocity saturation     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : yago:Whole100003553, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)
QRcode icon
http://dbpedia.org/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2FVelocity_saturation

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • Geschwindigkeitssättigung (de)
  • Velocity saturation (en)
rdfs:comment
  • Die Geschwindigkeitssättigung (englisch velocity saturation) bezeichnet einen der bei Feldeffekttransistoren (FETs). Bei hohen Drainspannungen oder kleiner Kanallänge ( < 0,25 µm) wird das longitudinale elektrische Feld im Kanal sehr groß. Nach müsste die Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger stetig zunehmen. Die Ladungsträgerbeweglichkeit nimmt jedoch bei hohen Geschwindigkeiten ab. Diese hot carrier induced mobility degradation beruht auf einer Streuung der Ladungsträger am Kristallgitter unter Erzeugung optischer Phononen. Schließlich nimmt die Geschwindigkeit mit der Feldstärke nicht mehr zu, sie sättigt. (de)
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Wikipage redirect
sameAs
dbp:wikiPageUsesTemplate
has abstract
  • Die Geschwindigkeitssättigung (englisch velocity saturation) bezeichnet einen der bei Feldeffekttransistoren (FETs). Bei hohen Drainspannungen oder kleiner Kanallänge ( < 0,25 µm) wird das longitudinale elektrische Feld im Kanal sehr groß. Nach müsste die Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger stetig zunehmen. Die Ladungsträgerbeweglichkeit nimmt jedoch bei hohen Geschwindigkeiten ab. Diese hot carrier induced mobility degradation beruht auf einer Streuung der Ladungsträger am Kristallgitter unter Erzeugung optischer Phononen. Schließlich nimmt die Geschwindigkeit mit der Feldstärke nicht mehr zu, sie sättigt. Als Konsequenz steigt der Drainstrom im Transistor weniger stark an, als man erwarten würde, nämlich nur noch aufgrund zunehmender Ladungsträgerkonzentration. Dies äußert sich z. B. in der des Transistors, welcher statt eines quadratischen Verlaufs nur noch einen linearen Stromanstieg aufweist. Die Transkonduktanz wird damit unabhängig vom Strom, was meist sehr ungünstig ist. Dieser Effekt ist vor allem bei (DSM, engl. deep submicron) aufgrund der sehr kurzen Transistoren relevant. (de)
prov:wasDerivedFrom
page length (characters) of wiki page
foaf:isPrimaryTopicOf
is Link from a Wikipage to another Wikipage of
is foaf:primaryTopic of
Faceted Search & Find service v1.17_git139 as of Feb 29 2024


Alternative Linked Data Documents: ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3330 as of Mar 19 2024, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc212), Single-Server Edition (378 GB total memory, 67 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software