About: Insulated-gate bipolar transistor     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : yago:Whole100003553, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)

An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch, which, as it was developed, came to combine high efficiency and fast switching. It consists of four alternating layers (P–N–P–N) that are controlled by a metal–oxide–semiconductor (MOS) gate structure.

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة
  • Transistor bipolar de porta aïllada
  • IGBT
  • Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
  • Insulated-gate bipolar transistor
  • Transistor IGBT
  • Transistor bipolaire à grille isolée
  • Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
  • Transistor bipolare a gate isolato
  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
  • 절연 게이트 양극성 트랜지스터
  • IGBT
  • Insulated-gate bipolar transistor
  • IGBT
  • Биполярный транзистор с изолированным затвором
  • IGBT
  • IGBT
  • 功率模組
  • 絕緣柵雙極晶體管
rdfs:comment
  • ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة (بالإنجليزية: Insulated-gate bipolar transistor)‏ و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في الكهرباء ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات تراتزستور ثنائي القطب العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات الترانزستور الحقلي الأحادي القطب.
  • Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem (Anglicky Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT) je druh tranzistorů, který je zkonstruován pro velký rozsah spínaných výkonů (od zlomků W až po desítky MW)[zdroj?] a vysokou .IGBT je integrovaná kombinace unipolární a bipolární součástky. Čip tranzistoru má hradlo izolované tenkou oxidovou vrstvou stejně, jako výkonový MOSFET. Na kolektorové straně je vytvořen PN přechod, který injektuje minoritní nosiče do kanálu, když je IGBT sepnut. To výrazně snižuje úbytek napětí a tím i ztrátový výkon v sepnutém stavu.
  • Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah peranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.
  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、MOSFETをベース部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
  • 功率模組(power module)可以將各個电力电子学元件(多半是)放在同一封裝中。其中的功率半導體(稱為裸晶)會用銲接或是燒結的方式固定在乘載功率半導體的上,依需要提供熱接觸、電氣導通或是絕緣。分立功率半導體多半是TO-247或的塑膠包裝,相較起來,功率模組的功率密度較高,而且在許多領域中比分立元件要可靠。
  • 絕緣柵雙極電晶體(英語:Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導體器件的一種,主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。传统的BJT导通电阻小,但是驱动电流大,而MOSFET的导通电阻大,却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点:不仅驱动电流小,导通电阻也很低。
  • El transistor bipolar de porta aïllada sovint anomenat amb les sigles transistor IGBT (de l'anglès Insulated Gate Bipolar Transistor) és un transistor que combina les senzilles característiques de la porta del MOSFET amb l'elevada intensitat i baix voltatge de saturació dels transistors bipolars. Això s'aconsegueix ajuntant en un únic dispositiu una porta aïllada FET per al control amb un transistor bipolar de potència actuant en commutació.
  • Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Einer der Entwickler des IGBT war B. Jayant Baliga bei General Electric.
  • El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
  • An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch, which, as it was developed, came to combine high efficiency and fast switching. It consists of four alternating layers (P–N–P–N) that are controlled by a metal–oxide–semiconductor (MOS) gate structure.
  • Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance.
  • Il Transistor bipolare a gate isolato (sigla inglese IGBT da Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo a semiconduttore usato come interruttore elettronico in applicazioni ad alta potenza, cioè è in grado di commutare alte tensioni e alte correnti. Esso può essere schematizzato come il collegamento di un MOSFET e di un transistor a giunzione bipolare. Sebbene le correnti massime sopportabili dal singolo dispositivo siano inferiori a quelle del tiristore, utilizzando moduli con più IGBT in parallelo si ottengono componenti capaci di commutare correnti di 1,2 kA con tensione massima di 6 kV.
  • Een insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is een transistor die veel vermogen kan schakelen. De benodigde gate stuurspanning ligt wat hoger dan bij een MOSFET, in de orde van 15 volt. De stuurstromen kunnen aanzienlijk zijn, in de orde van enkele ampères, tijdens het opladen van de gate-capaciteit (enkele tientallen nF voor IGBT's die honderden ampères kunnen geleiden) bij het inschakelen van de IGBT. Bij het afschakelen treden evengrote stromen op. Er bestaan twee grote families van IGBT's:
  • IGBT (ang. insulated gate bipolar transistor) – tranzystor bipolarny z izolowaną bramką. Jest to element półprzewodnikowy mocy używany w przekształtnikach energoelektronicznych o mocach do kilkuset kilowatów. Łączy zalety dwóch typów tranzystorów: łatwość sterowania tranzystorów polowych i wysokie napięcie przebicia oraz szybkość przełączania tranzystorów bipolarnych; jest wykorzystywany m.in. w falownikach jako łącznik, umożliwia załączanie prądów powyżej 1 kA i blokowanie napięć do 6 kV.
  • O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente é muito utilizado em equipamentos modernos como carros elétricos ou híbridos, trens, aparelhos de ar condicionado e fontes chaveadas de alta potência. Devido a seu projeto que permite rápido chaveamento (liga/desliga), encontra aplicação também em amplificadores e geradores que necessitam sintetizar formas de onda complexa através de PWM e filtros passa-b
  • IGBT eller Insulated-gate bipolar transistor ("bipolär transistor med isolerat styre") är en typ av transistor som är en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-fälteffekttransistor och en bipolär transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric.
  • Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.
  • IGBT (англ. Insulated-gate bipolar transistor, укр. біполярний транзистор із ізольованим затвором) — трьохелектродний силовий , що поєднує два транзистора в одній напівпровідниковій структурі: біполярний (утворює силовий канал) і польовий (утворює канал управління). Використовується, в основному, як потужний електронний ключ в імпульсних джерелах живлення, інверторах, в системах управління електричними приводами.
rdfs:seeAlso
name
  • Insulated-gate bipolar transistor
foaf:depiction
  • External Image
foaf:isPrimaryTopicOf
thumbnail
dct:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Faceted Search & Find service v1.17_git81 as of Jul 16 2021


Alternative Linked Data Documents: PivotViewer | ODE     Content Formats:       RDF       ODATA       Microdata      About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3322 as of Jul 22 2021, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc25), Single-Server Edition (61 GB total memory)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2021 OpenLink Software