| rdfs:comment
| - 磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP)也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在太空應用的高速率太陽能電池，若加入鋁（合金）可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金。 Ga0.5In0.5P是一種有特別重要性的合金，其晶格幾乎和砷化鎵相同，因此配合(AlxGa1-x)0.5In0.5，可以產生晶格對應的量子阱，可以作為紅色的激光二極管，例如紅色光，波長650nm的，或是配合聚甲基丙烯酸甲酯塑膠光纖的垂直腔面發射雷射器。 Ga0.5In0.5P其能量接面是太陽能電池中砷化鎵接面的二倍到三倍。近年發現磷化銦鎵及砷化鎵疊層的太陽能電池在AM0條件（太陽光在大氣層外的平均照度，=1.35 kW/m2） 下，效率可以提升25%。 另一個磷化銦鎵的合金，其晶格匹配底層的，用來製作高能量效率的磷化銦鎵/砷化銦鎵/鍺三接面太陽電池。 磷化銦鎵的磊晶生長可以依磷化銦鎵的趨勢成長，生成一般的材料，而不是任意分布的合金。這會改變該材料的帶隙和其電子和光學性質。 (zh)
- Indiumgalliumphosphid (InGaP), auch als Galliumindiumphosphid (GaInP) bezeichnet, ist ein Halbleiterwerkstoff und Bezeichnung für eine Gruppe von Legierungen aus Indium (In), Gallium (Ga) und Phosphor (P). Die Legierung bildet Kristalle in Zinkblendestruktur und zählt zu den III-V-Verbindungshalbleitern. Der Halbleiter findet wegen der hohen Elektronenbeweglichkeit, ähnlich wie der verwandte III-V-Halbleiter Indiumgalliumarsenid, als Basismaterial für Heterojunction-Bipolartransistoren (HBT) und HEM-Transistoren (HEMT) in Hochfrequenzverstärkern Anwendung. Weitere Anwendungen liegen im Bereich der Optoelektronik bei Solarzellen. (de)
- Indium gallium phosphide (InGaP), also called gallium indium phosphide (GaInP), is a semiconductor composed of indium, gallium and phosphorus. It is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity with respect to the more common semiconductors silicon and gallium arsenide. Indium gallium phosphide is a solid solution of indium phosphide and gallium phosphide. A different composition of GaInP, lattice matched to the underlying GaInAs, is utilized as the high energy junction GaInP/GaInAs/Ge triple junction photovoltaic cells. (en)
- Le phosphure de gallium-indium est un composé chimique de formule InxGa1–xP, avec 0 < x < 1. Il s'agit d'une solution solide de phosphure d'indium InP et de phosphure de gallium GaP. C'est un semiconducteur III-V de structure cristalline zincblende utilisé pour sa mobilité électronique plus élevée que celle du silicium et de l'arséniure de gallium GaAs qui le rend intéressant pour les applications aux transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) et aux MODFET (transistors à haute mobilité électronique, HEMT). Il est également utilisé en optoélectronique avec de l'aluminium pour la réalisation de diodes électroluminescentes très lumineuses en alliage AlInGaP de couleur verte, jaune, orange et rouge orangé. (fr)
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| has abstract
| - Indiumgalliumphosphid (InGaP), auch als Galliumindiumphosphid (GaInP) bezeichnet, ist ein Halbleiterwerkstoff und Bezeichnung für eine Gruppe von Legierungen aus Indium (In), Gallium (Ga) und Phosphor (P). Die Legierung bildet Kristalle in Zinkblendestruktur und zählt zu den III-V-Verbindungshalbleitern. Der Halbleiter findet wegen der hohen Elektronenbeweglichkeit, ähnlich wie der verwandte III-V-Halbleiter Indiumgalliumarsenid, als Basismaterial für Heterojunction-Bipolartransistoren (HBT) und HEM-Transistoren (HEMT) in Hochfrequenzverstärkern Anwendung. Weitere Anwendungen liegen im Bereich der Optoelektronik bei Solarzellen. Je nach Mischungsverhältnis der Ausgangssubstanzen Indium und Gallium, es wird eine Schreibweise der Form In1−XGaXP verwendet, wobei X das Mischungsverhältnis angibt, verändert sich der Bandabstand des Halbleitermaterials. In der Halbleitertechnik ist das Mischungsverhältnis von X=0,5 in Form In0,5Ga0,5P von Bedeutung, da damit die Gitterkonstante von Indiumgalliumphosphid gleich der Gitterkonstante von Galliumarsenid (GaAs) ist. Diese beiden Halbleiter werden gemeinsam zur Bildung sogenannter Tandem-Solarzellen eingesetzt. In Verbindung mit Aluminium wird die Legierung Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlGaInP) gebildet, welche als Grundstoff für ultrahelle Leuchtdioden (LED) im Farbbereich Orange, Gelb bis Grün dient. (de)
- Indium gallium phosphide (InGaP), also called gallium indium phosphide (GaInP), is a semiconductor composed of indium, gallium and phosphorus. It is used in high-power and high-frequency electronics because of its superior electron velocity with respect to the more common semiconductors silicon and gallium arsenide. It is used mainly in HEMT and HBT structures, but also for the fabrication of high efficiency solar cells used for space applications and, in combination with aluminium (AlGaInP alloy) to make high brightness LEDs with orange-red, orange, yellow, and green colors. Some semiconductor devices such as EFluor Nanocrystal use InGaP as their core particle. Indium gallium phosphide is a solid solution of indium phosphide and gallium phosphide. Ga0.5In0.5P is a solid solution of special importance, which is almost lattice matched to GaAs. This allows, in combination with (AlxGa1−x)0.5In0.5, the growth of lattice matched quantum wells for red emitting semiconductor lasers, e.g. red emitting (650nm) or VCSELs for PMMA plastic optical fibers. Ga0.5In0.5P is used as the high energy junction on double and triple junction photovoltaic cells grown on GaAs. Recent years have shown GaInP/GaAs tandem solar cells with AM0 (sunlight incidence in space=1.35 kW/m2) efficiencies in excess of 25%. A different composition of GaInP, lattice matched to the underlying GaInAs, is utilized as the high energy junction GaInP/GaInAs/Ge triple junction photovoltaic cells. Growth of GaInP by epitaxy can be complicated by the tendency of GaInP to grow as an ordered material, rather than a truly random solid solution (i.e., a mixture). This changes the bandgap and the electronic and optical properties of the material. (en)
- Le phosphure de gallium-indium est un composé chimique de formule InxGa1–xP, avec 0 < x < 1. Il s'agit d'une solution solide de phosphure d'indium InP et de phosphure de gallium GaP. C'est un semiconducteur III-V de structure cristalline zincblende utilisé pour sa mobilité électronique plus élevée que celle du silicium et de l'arséniure de gallium GaAs qui le rend intéressant pour les applications aux transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) et aux MODFET (transistors à haute mobilité électronique, HEMT). Il est également utilisé en optoélectronique avec de l'aluminium pour la réalisation de diodes électroluminescentes très lumineuses en alliage AlInGaP de couleur verte, jaune, orange et rouge orangé. Le composé de formule In0,5Ga0,5P présente de l'intérêt pour l'accord de sa maille avec celle de l'arséniure de gallium. Avec l'(AlxGa1–x)0,5In0,5, il permet de faire croître des boîtes quantiques en accord de maille pour des lasers rouges, émettant par exemple à 650 nm pour VCSEL utilisés avec des fibres optiques en PMMA. L'In0,5Ga0,5P est également utilisé dans les cellules photovoltaïques à hétérojonction sur de l'arséniure de gallium. Ont été obtenues des cellules à triple hétérojonction InGaP/GaAs/InGaAs atteignant un rendement de 37,4 % sous un soleil au zénith (AM1), porté à 44,4 % sous une concentration de 300 soleils ; il est également employé pour la réalisation de cellules à triple hétérojonction InGaP/GaAs/Ge, avec les compositions In0,49Ga0,51P/In0,01Ga0,99As/Ge permettant de couvrir l'ensemble du spectre de 400 à 1 600 nm. (fr)
- 磷化銦鎵（Indium gallium phosphide，簡稱InGaP)也被稱為磷化鎵銦（GaInP），是由磷、銦和鎵組成的半導體。因為其電子速率比常見的矽及砷化鎵要快，常用於高速或是高功率的電子元件中。 磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）結構中，但也用在太空應用的高速率太陽能電池，若加入鋁（合金）可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體。 磷化銦鎵是磷化銦及磷化鎵的合金。 Ga0.5In0.5P是一種有特別重要性的合金，其晶格幾乎和砷化鎵相同，因此配合(AlxGa1-x)0.5In0.5，可以產生晶格對應的量子阱，可以作為紅色的激光二極管，例如紅色光，波長650nm的，或是配合聚甲基丙烯酸甲酯塑膠光纖的垂直腔面發射雷射器。 Ga0.5In0.5P其能量接面是太陽能電池中砷化鎵接面的二倍到三倍。近年發現磷化銦鎵及砷化鎵疊層的太陽能電池在AM0條件（太陽光在大氣層外的平均照度，=1.35 kW/m2） 下，效率可以提升25%。 另一個磷化銦鎵的合金，其晶格匹配底層的，用來製作高能量效率的磷化銦鎵/砷化銦鎵/鍺三接面太陽電池。 磷化銦鎵的磊晶生長可以依磷化銦鎵的趨勢成長，生成一般的材料，而不是任意分布的合金。這會改變該材料的帶隙和其電子和光學性質。 (zh)
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