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| - Indium gallium nitride (InGaN, InxGa1-xN) is a semiconductor material made of a mix of gallium nitride (GaN) and indium nitride (InN). It is a ternary group III/group V direct bandgap semiconductor. Its bandgap can be tuned by varying the amount of indium in the alloy.InxGa1−xN has a direct bandgap span from the infrared (0.69 eV) for InN to the ultraviolet (3.4 eV) of GaN.The ratio of In/Ga is usually between 0.02/0.98 and 0.3/0.7. (en)
- El nitruro de galio-indio (InGaN, IndioxGalio1-xNitruro) es un material semiconductor hecho de una mezcla de nitruro de galio (GaN) y nitruro de Indio (InN). Pertenece al grupo de semiconductores III/ V. Su banda prohibida puede ser manipulada variando la cantidad de Indio en la aleación. En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7. (es)
- Le Nitrure de gallium-indium (InGaN, InxGa1-xN) est un semi-conducteur III-V composé de nitrure de gallium (GaN) et de nitrure d'indium (InN). C'est un composé à gap direct, dont la bande interdite peut varier théoriquement entre 0,67 et 3,4 eV, en fonction du ratio In/Ga. Ce ratio ne varie cependant en pratique qu'entre 0,02/0,98 et 0,3/0,7. (fr)
- 窒化インジウムガリウム(ちっかインジウムガリウム)はインジウムとガリウムの窒化物であり、三元化合物で組成式はInGaNである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。 (ja)
- Indiumgalliumnitrid (InGaN, InxGa1-xN) ist ein III-V-Halbleiter, welcher aus den beiden Grundsubstanzen Galliumnitrid und Indiumnitrid gebildet ist. Anwendung dieses Werkstoffes liegen insbesondere in der Optoelektronik zur Realisierung von blauen, violetten und grünen Leuchtdioden und von blau-violetten Laserdioden, welche im Bereich optischer Speichermedien wie der Blu-ray Disc eingesetzt werden. Es sind auch grüne Laserdioden auf InGaN-Basis verfügbar. Diese sind, kombiniert mit blauen und roten Laserdioden, interessant für zukünftige Displaytechnologien, da mit dem emittierten Grün (ca. 515 nm) eine größere Fläche im CIE-Normvalenzsystem eingeschlossen wird als es bisher der Fall war. (de)
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