About: Aluminium arsenide     Goto   Sponge   NotDistinct   Permalink

An Entity of Type : umbel-rc:ChemicalSubstanceType, within Data Space : dbpedia.org associated with source document(s)
QRcode icon
http://dbpedia.org/describe/?url=http%3A%2F%2Fdbpedia.org%2Fresource%2FAluminium_arsenide

Aluminium arsenide or aluminum arsenide (AlAs) is a semiconductor material with almost the same lattice constant as gallium arsenide and aluminium gallium arsenide and wider band gap than gallium arsenide. (AlAs) can form a superlattice with gallium arsenide (GaAs) which results in its semiconductor properties. Because (GaAs) and (AlAs) have almost the same lattice constant, the layers have very little induced strain, which allows them to be grown almost arbitrarily thick. This allows for extremely high performance high electron mobility, HEMT transistors, and other quantum well devices.

AttributesValues
rdf:type
rdfs:label
  • Aluminium arsenide
  • زرنيخيد الألومنيوم
  • Arsenur d'alumini
  • Aluminiumarsenid
  • Arseniuro de aluminio
  • Arséniure d'aluminium
  • Arsainíd alúmanaim
  • ヒ化アルミニウム
  • Арсенид алюминия
  • Арсенід алюмінію
  • 砷化铝
rdfs:comment
  • L'arsenur d'alumini, en anglès: aluminium arsenide o aluminum arsenide, és un compost químic i un material semiconductor el qual té gairebé la mateixa constant de xarxa cristal·lina que l'arsenur de gal·li i l'. La mobilitat d'electrons hi funciona molt bé i per això té aplicacions en l'electrònica.
  • زرنيخيد الألومنيوم (AlAS) هي مادة شبه موصلة مع تقريباً نفس ثابت الشبكة البلورية لكل من زرنيخيد الغاليوم و زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم وأوسع فجوة نطاق من زرنيخيد الغاليوم .
  • Aluminium arsenide or aluminum arsenide (AlAs) is a semiconductor material with almost the same lattice constant as gallium arsenide and aluminium gallium arsenide and wider band gap than gallium arsenide. (AlAs) can form a superlattice with gallium arsenide (GaAs) which results in its semiconductor properties. Because (GaAs) and (AlAs) have almost the same lattice constant, the layers have very little induced strain, which allows them to be grown almost arbitrarily thick. This allows for extremely high performance high electron mobility, HEMT transistors, and other quantum well devices.
  • Ábhar leathsheoltóra is ea arsainíd alúmanaim (AlAs le beagnach an tairiseach laitíseach céanna is a bhíonn ag agus agus níos leithne ná arsainíd ghailliam. Is féidir le AlAs sárlaitís a dhéanamh le arsanaíd ghailliam ( GaAs agus dá bharr sin bíonn airíonna leathsheoltóra de thoradh air. Toisc go mbíonn beagnach an tairiseach laitíse céanna ar ( GaAs agus ( AlAs ,bíonn straidhn ionduchtaithe an-beag sna sraitheanna, a ligeann dóibh a bheith fásta beagnach go haondeonach go tiubh. Ceadaíonn sé seo feidhmíochta an-ard i soghluaisteacht ard na leictreon, trasraitheoirí HEMT , agus gairis loig chandaim eile.
  • El Arseniuro de aluminio, es un compuesto de arsénico y aluminio con casi la misma constante de red del Arseniuro de galio (GaAs) y Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) y una banda prohibida más amplia. Puede formar una con el Arseniuro de galio, convirtiéndose en semiconductor.​
  • Aluminiumarsenid ist eine anorganische chemische Verbindung des Aluminiums aus der Gruppe der Arsenide.
  • ヒ化アルミニウム(ヒかアルミニウム、英: aluminium arsenide)は、化学式 AlAs で表される、アルミニウムのヒ化物である。主に半導体材料として用いられる。格子定数はヒ化ガリウムやと同じであり、バンドギャップはヒ化ガリウムより広い。
  • L’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic. C'est un matériau semi-conducteur avec presque la même constante de réseau que GaAs et AlGaAs et une bande interdite plus large que GaAs.
  • Арсени́д алюми́ния (AlAs) — бинарное неорганическое химическое соединение алюминия и мышьяка.Применяется для создания оптоэлектронных приборов (светодиодов, полупроводниковых лазеров, фотоприёмников). В гетероструктурах с арсенидом галлия — для изготовления сверхбыстродействующих транзисторов.
  • 砷化鋁是一种半導體材料,它的晶格常數跟砷化鎵類似。砷化鋁的晶系為等軸晶系,熔點是1740 °C,密度是3.76 g/cm³,而且它很容易潮解。
  • Арсенід алюмінію (AlAs) — непрямозонний напівпровідник. Арсенід алюмінію має майже однаковий період кристалічної ґратки з арсенідом галію, але має більшу ширину забороненої зони. Завдяки збігу періодів ґратки арсенід галію, арсенід алюмінію та їхні сплави добре утворюють гетеропереходи й гетероструктури, а тому широко використовується в напівпровідниковій електроніці.
sameAs
foaf:name
  • Aluminium arsenide
name
  • Aluminium arsenide
foaf:depiction
  • External Image
dct:subject
Wikipage page ID
Wikipage revision ID
Link from a Wikipage to another Wikipage
Faceted Search & Find service v1.17_git93 as of Oct 15 2021


Alternative Linked Data Documents: iSPARQL | ODE     Content Formats:   [cxml] [csv]     RDF   [text] [turtle] [ld+json] [rdf+json] [rdf+xml]     ODATA   [atom+xml] [odata+json]     Microdata   [microdata+json] [html]    About   
This material is Open Knowledge   W3C Semantic Web Technology [RDF Data] Valid XHTML + RDFa
OpenLink Virtuoso version 08.03.3322 as of Oct 25 2021, on Linux (x86_64-generic-linux-glibc25), Single-Server Edition (62 GB total memory, 41 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2021 OpenLink Software