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  • Memòria reprogramable (ca)
  • Memoria reprogramable (es)
  • REPROM (en)
  • Memória reprogramável (pt)
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  • Una memòria reprogramable és un cas particular de memòria no volàtil en què el seu contingut es pot variar després de programada. El primer dispositiu de memòria no volàtil va ser proposat per Kahng i el 1967. Aquests dispositius es basen en la modificació de la càrrega elèctrica atrapada a la porta d'un transistor mos. Hi ha diverses estructures per aconseguir això. Les principals són * Estructura FAMOS * Estructura MIOS * Estructura SAMOS (ca)
  • Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967. Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación. (es)
  • Uma memória não volátil é reprogramável quando o seu conteúdo se pode alterar após ser programada. O primeiro dispositivo de memória não volátil foi proposto por Kahng e Sze em 1967. Estes dispositivos baseiam-se na modificação da carga eléctrica capturada na porta de um transistor mos. Existem várias estruturas para conseguir isto. As 3 principais detalham-se a seguir. (pt)
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  • Una memòria reprogramable és un cas particular de memòria no volàtil en què el seu contingut es pot variar després de programada. El primer dispositiu de memòria no volàtil va ser proposat per Kahng i el 1967. Aquests dispositius es basen en la modificació de la càrrega elèctrica atrapada a la porta d'un transistor mos. Hi ha diverses estructures per aconseguir això. Les principals són * Estructura FAMOS * Estructura MIOS * Estructura SAMOS (ca)
  • Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967. Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación. (es)
  • Uma memória não volátil é reprogramável quando o seu conteúdo se pode alterar após ser programada. O primeiro dispositivo de memória não volátil foi proposto por Kahng e Sze em 1967. Estes dispositivos baseiam-se na modificação da carga eléctrica capturada na porta de um transistor mos. Existem várias estruturas para conseguir isto. As 3 principais detalham-se a seguir. (pt)
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